66 О 567 Ольхов, Ю. А. Исследование методом термомеханической спектроскопии влияние радиолиза на молекулярно-топологическое строение полиэтилена [Текст] / Ю. А. Ольхов, Ю. Н. Смирнов, О. М. Ольхова, С. Р. Аллаяров // Пластические массы. - 2004. - N 10. - Библиогр.: с. 12 (13 назв. ) . - ISSN 0554-2901
Рубрики: Химическая технология--Общие вопросы химической технологии Кл.слова (ненормированные): полиэтилен -- полимеры -- спектроскопия -- термомеханическая спектроскопия -- радиолиз -- полиэтилен высокой плотности Аннотация: Анализ молекулярно-топологического строения порошкообразного полиэтилена высокой плотности после его прессования. Доп.точки доступа: Смирнов, Ю. Н.; Ольхова, О. М.; Аллаяров, С. Р. |
66 К 568 Коврига, В. В. Синтетические смолы и пластические массы на выставке "К 2004" [Текст] / В. В. Коврига // Пластические массы. - 2004. - N 11 . - ISSN 0554-2901
Рубрики: Химическая технология--Общие вопросы химической технологии Кл.слова (ненормированные): полиэтилен -- полиэтилен высокой плотности -- этилен -- полистирольные пластики -- полиамиды -- прессматериалы -- выставки Аннотация: В октябре 2004 г. в Дюссельдорфе состоялась очередная выставка пластмасс "К 2004". Ассортимент пластмасс на выставке "К 2004" был представлен 109 фирмами-производителями. Доп.точки доступа: К 2004 |
Хайруллин, Р. З. Модификация полиэтилена высокой плотности бинарными смесями капролактона и капролактама [Текст] / Р. З. Хайруллин, В. П. Архиреев // Журнал прикладной химии. - 2008. - Т. 81, вып: вып. 1. - С. 127-131. - Библиогр.: с. 131 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Химия полимеров Кл.слова (ненормированные): бинарные смеси -- вязкость расплава -- гетероциклические соединения -- капролактам -- капролактон -- модификация -- оптические свойства -- полиамидоэфиры -- полиэтилен высокой плотности -- ПЭВП -- реологические характеристики -- термоокислительная деструкция -- физико-механические испытания Аннотация: Построены диаграммы состав-свойство зависимости физико-механических, реологических и оптических свойств полимерных композиций от содержания компонентов модифицирующей системы, исследована термоокислительная деструкция полученных образцов. Доп.точки доступа: Архиреев, В. П. |
Варисторный эффект в композитах полимер-проводник [Текст] / М. К. Керимов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 934-942 : ил. - Библиогр.: с. 941 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): варисторный эффект -- композиты -- полимер-проводник -- полиэтилен высокой плотности -- ПЭВП -- полипропилен -- ПП -- поливинилденфторид -- ПВДФ -- кремний -- германий -- туннельные переносы -- варисторы -- композитные варисторы -- гетерогенные системы Аннотация: Определен механизм формирования варисторного эффекта в композитах на основе полярных (поливинилиденфторид), неполярных (полиэтилен, полипропилен) полимеров и полупроводников: кремния и германия. Показано, что варисторный эффект в композитах полимер-полупроводник обусловлен туннельным переносом носителей заряда через барьер на границе раздела фаз, параметры которого зависят от напряжения, температуры, объемного содержания и дисперсности частиц полупроводника и диэлектрической проницаемости компонентов композита. Доп.точки доступа: Керимов, М. К.; Курбанов, М. А.; Султанахмедова, И. С.; Фараджзаде, И. А.; Татардар, Ф. Н.; Алиев, Х. С.; Яхъяев, Ф. Ф.; Юсифова, У. В. |
544.77 Ж 812 Жорин, В. А. Термостимулированные токи в полиэтилене низкой плотности и его смесях с различными компонентами после пластического деформирования под высоким давлением [Текст] / В. А. Жорин, Г. А. Лущейкин, И. В. Разумовская // Журнал физической химии. - 2012. - Т. 86, № 3. - С. 551-556. - Библиогр.: c. 556 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Коллоидная химия в целом Кл.слова (ненормированные): высокое давление -- кристаллизация полимера -- ластическое деформирование -- плавление полимера -- полиэтилен высокой плотности -- полиэтилен низкой плотности Аннотация: Установлено, что пластическое деформирование полиэтилена низкой плотности (ПЭНП) под давлением 0. 5–2. 0 ГПа на аппаратуре высокого давления типа наковален Бриджмена приводит к появлению в образцах термостимулированных токов, свидетельствующих о том, что образцы содержат захваченные электроны. Доп.точки доступа: Лущейкин, Г. А.; Разумовская, И. В. |
541.6 Э 949 Эффект фотогашения электропроводности в композитах полимер-ферроцен [Текст] / М. А. Курбанов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 510-517 : ил. - Библиогр.: с. 516 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): полимеры -- неполярные полимеры -- полиэтилен высокой плотности -- ПЭВП -- полимерные композиты -- поливинилиденфторид -- ПВДФ -- эффект фотогашения электропроводности -- матричные композиты -- перенос заряда -- гетерогенные системы -- полимер-ферроцен -- фотопроводимость Аннотация: На основе неполярного полимера - полиэтилена высокой плотности, полярного поливинилиденфторида и ди-pi-циклопентадиенилжелеза (pi- (C[5]H[5]) 2Fe, ферроцен) созданы матричные композиты, проявляющие эффект фотогашения электропроводности. Исследованы фотоэлектретное, зарядовое состояния и фотопроводящие свойства пленок этих композитов. В видимой области света степень фотогашения электропроводности матричных композитов существенно зависит от особенностей переноса заряда в гетерогенной системе полимер-ферроцен и от обратимого изменения электронных и химических структур ферроцена под действием света и приложенного электрического поля. Предложен возможный механизм формирования эффекта фотогашения электропроводности композитов полимер-ферроцен, удовлетворительно объясняющий экспериментальные результаты. После выключения света темновой ток восстанавливается, что свидетельствует об обратимости наблюдаемого эффекта. Отрицательная фотопроводимость не проявляется при замене ферроцена на CdS в композитах исследуемых полимеров. Эффект отрицательной фотопроводимости увеличивается при введении в композит полимер-ферроцен третьего компонента - фоточувствительного полупроводника CdS. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p510-517.pdf Доп.точки доступа: Курбанов, М. А.; Сулейманов, Г. З.; Сафаров, Н. А.; Гочуева, А. Ф.; Оруджев, И. Н.; Мамедова, З. М. |