539.37 С 770 Старенченко, В. А. Механизм деформационного разрушения дольнего атомного порядка в сплавах со сверхструктурной L1 (2) , обусловленный накоплением дислокационных стенок. [Текст] / В. А. Старенченко, О. Д. Пантюхова, С. В. Старенченко // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 3. - Библиогр.: С. 24 ( 10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): антифазные границы -- дислокационные стенки -- механизм деформационного разрушения -- атомный порядок Аннотация: Сформулирована математическая модель деформационного разрушения дальнего атомного порядка вследствие накопления дислокационных стенок. Доп.точки доступа: Пантюхова, О. Д.; Старенченко, С. В. |
Сарафанов, Г. Ф. Эффекты самосогласованной динамики дислокаций в упругом поле планарного мезодефекта [Текст] / Г. Ф. Сарафанов, В. Н. Перевезенцев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 12. - С. 2309-2314. - Библиогр.: с. 2314 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дислокации -- дислокационные стенки -- эффект экранирования упругого поля планарного мезодефекта -- упругие поля -- стыковые дисклинации -- дисклинационный диполь -- планарный мезодефект Аннотация: На основе кинетического подхода проведено рассмотрение самосогласованной динамики дислокационного ансамбля в упругом поле планарного мезодефекта. Получена эффективная функция напряжений Эйри для планарного мезодефекта, учитывающая экранирующий эффект от системы распределенных дислокационных зарядов. Найдены координатные зависимости компонент тензора напряжений и плотности дислокационного заряда для рассмотренной экранированной системы. Произведен расчет ее упругой энергии и разориентировки областей, прилегающих к планарному мезодефекту. Доп.точки доступа: Перевезенцев, В. Н. |
621.315.592 К 780 Красавин, С. Е. О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN [Текст] / С. Е. Красавин // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 616-619 : ил. - Библиогр.: с. 618-619 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные слои -- заряженные дислокационные стенки -- дислокационные стенки -- заряженные дислокации -- свободные носители -- рассеяние электронов -- ридовские цилиндры Аннотация: Предложена теоретическая модель в рамках традиционного представления о ридовских цилиндрах для объяснения коллапса подвижности как функции концентрации свободных носителей в пленках на основе GaN. Наряду с фононными и примесными механизмами рассеяния в модели учитывается рассеяние электронов за счет заряженных дислокаций, выстроенных в стенку. Найдено выражение для высоты дрейфового барьера в зависимости от концентрации свободных носителей. На основе полученных уравнений объясняется причина зависимости положения минимума подвижности от дислокационной структуры. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p616-619.pdf |
539.3/.6 С 770 Старенченко, В. А. Моделирование пластической деформации кристаллических материалов на основе концепции упрочнения и отдыха / В. А. Старенченко, Д. Н. Черепанов, О. В. Селиваникова // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 2. - С. 4-14 : рис. - Библиогр.: c. 14 (30 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника Сопротивление материалов Кл.слова (ненормированные): бивакансии -- вакансии -- дефекты кристаллической решётки -- деформации кристаллических материалов -- дислокационные стенки -- кристаллические материалы -- межузельные атомы -- модели зоны сдвига -- моделирование пластической деформации -- сдвигообразующие дислокации -- упрочнение сплавов Аннотация: Представлен обзор и предложена систематизация основных направлений моделирования пластической деформации кристаллических материалов и сопутствующих явлений в рамках концепции упрочнения и отдыха. Предполагается, что формулировка концепции упрочнения и отдыха напрямую связывает явления, происходящие в деформируемом кристаллическом материале, с поведением дефектов кристаллического строения. В работе рассматриваются только математические модели, в которых предполагается образование дефектов в процессе деформирования. Для исследования явлений, наблюдаемых в процессе деформации, используются физические величины, характеризующие дефекты, такие, как плотности дислокаций, границ разориентировки, несплошностей, концентрации точечных дефектов и т. п. Большое внимание уделяется работам томской школы материаловедения, в которых наиболее последовательно и систематически исследуется формирование деформационных субструктур. Доп.точки доступа: Черепанов, Д. Н.; Селиваникова, О. В. |