Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>U=621.38<.>)
Общее количество найденных документов : 1524
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.
621.38
Г 953


    Гурман, В. И. (д-р техн. наук).
    Магистральные решения в задачах оптимизации стратегий развития регионов [Текст] [Текст] / В. И. Гурман // Автоматика и телемеханика. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 117 (9 назв. ). - Часть текста на англ. яз. . - ISSN 0005-2310
УДК
ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники
   Экономика--Экономическая география. Регионоведение

Кл.слова (ненормированные):
эколого-экономические модели -- инновационные факторы -- практическое моделирование -- социально-экономические системы -- инновационные блоки -- коэффициенты затрат -- прямые затраты -- экологические нарушения -- функции Кротова-Беллмана -- ФКБ -- модификации -- агрегированные модификации -- инвестиции -- управляющие переменные -- аналитические решения -- численные решения -- функционалы -- регионы -- развитие регионов
Аннотация: Рассматривается задача оптимизации стратегии развития для агрегированной эколого-экономической модели с учетом инновационного фактора, формализованного по сравнительно простой и достаточно общей схеме, предложенной при практическом моделировании стратегий развития ряда конкретных регионов.


Доп.точки доступа:
???? канд. техн. наук, М. Ю.

Найти похожие

2.
621.38
Л 363


    Левин, В. И. (д-р техн. наук).
    Сравнение интервальных чисел и оптимизация систем с интервальными параметрами [Текст] [Текст] / В. И. Левин // Автоматика и телемеханика. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 142 (15 назв. ). - Часть текста на англ. яз. . - ISSN 0005-2310
УДК
ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники
Кл.слова (ненормированные):
интервальные параметры -- параметры -- интервалы -- удаленность интервалов -- экстремальные интервалы -- задачи -- интервальные параметры -- интервальные числа
Аннотация: Рассмотрена задача сравнения интервально заданных чисел в связи с оптимизацией систем с интервальными параметрами. Получено решение, использующее понятие меры близости интервалов и распространяющееся на интервалы, расположенные произвольно относительно друг друга.


Найти похожие

3.
621.38
М 231


    Мандель, А. С. (д-р техн. наук).
    Метод аналогов в прогнозировании коротких временных рядов: экспертно-статистический подход [Текст] [Текст] / А. С. Мандель // Автоматика и телемеханика. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 151 (18 назв. ). - Часть текста на англ. яз. . - ISSN 0005-2310
УДК
ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники
Кл.слова (ненормированные):
временные ряды -- статистические методы -- статистические анализы -- экспертно-статистические методы -- линейные неравенства -- задачи -- прогнозирование -- процедуры прогнозирования -- методы аналогов -- функции -- формулы -- экспертные суждения -- аналоги
Аннотация: Рассматривается проблема прогнозирования временных рядов по коротким выборкам данных.


Найти похожие

4.
539.19
Ч 494


    Черноплеков, Н. А.
    Сверхпроводниковые технологии [Текст] : современное состояние и перспективы практического применения / Н. А. Черноплеков // Вестник Российской академии наук. - 2001. - Т.71,N4 . - ISSN 0869-5873
УДК
ББК 22.36 + 31.2 + 32.85
Рубрики: Физика--Молекулярная физика
   Энергетика--Электротехника

   Радиоэлектроника--Электроника

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- сверхпроводники -- сверхпроводимость -- низкотемпературная -- сверхпроводящие материалы -- наукоемкие технологии -- провода -- ленточные провода -- изоляция -- электротехника -- силовая сверхпроводимость -- сильноточные технологии -- электроника сверхпроводниковая -- электронные приборы
Аннотация: В развитии техники большие надежды связаны с созданием электротехнического оборудования в сверхпроводниковом исполнении.Автор,чл.-кор.РАН,рассказывает о новом поколении сверхпроводниковых технологий.Публикуется его научное сообщение и материалы дискуссии,состоявшейся в Президиуме РАН.


Доп.точки доступа:
Осипьян, Ю.А.; Гапонов, С.В.; Фортов, В.Е.; Андреев, А.Ф.

Найти похожие

5.
537
В 275


    Велихов, Е. П.
    Наноэлектронные приборы и технологические процессы [Текст] / Е. П. Велихов // Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.:14 назв. . - ISSN 0869-5873
УДК
ББК 22.33 + 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электричество и магнетизм--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
ИМПРИНТ -- кристаллы -- литография -- нанообъекты -- наноэлектронные приборы -- технологические процессы
Аннотация: Важнейший процесс в микро- и наноэлектронных процессах - литография.Наряду с оптической литографией получили развитие методы,с помощью которых уже теперь формируются отдельные наноструктуры и прототипы устройств на наноэлектронных приборах - ИМПРИНТ и электронная литография.


Найти похожие

6.
537
О 257


   
    Обсуждение [Текст] // Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N5 . - ISSN 0869-5873
УДК
ББК 22.33 + 22.38 + 30.3 + 32.84 + 32.85 + 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Материаловедение--Общая радиотехника
Кл.слова (ненормированные):
акдемики -- алмазные материалы -- выступления -- доклады -- кластеры -- магнитострикция -- миниатюризация -- нанокомпозиты -- наноматериалы -- наноразмерные вещества -- наностол -- нанотехнологии -- нанотрубки -- наноэлементы -- наука -- обсуждения -- субмикрокристаллические материалы
Аннотация: Представлены выступления академиков, чл.-корреспондентов РАН и докторов наук, принявших участие в обсуждении докладов, посвященных фундаментальным проблемам науки о веществах, материалах и функциональных устройствах в наноразмерном состоянии.


Доп.точки доступа:
Моисеев, И.И.; Климов, Д.М.; Спицын, Б.В.; Котов, Ю.А.; Русанов, А.И.; Микаэлян, А.Л.; Алфимов, В.В.; Раховский, В.И.; Лопота, В.А.

Найти похожие

7.
001(09)
К 350


    Кеменов, В. П.
    [Рецензия] [Текст] / В. П. Кеменов // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 3. - Владимир Козьмич Зворыкин Зворыкин. - Рец. на кн.: Борисов В. П. Владимир Козьмич Зворыкин.- М.: Наука, 2002.- 150 с. . - ISSN 0869-5873
УДК
ББК 72.3
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
рецензии -- биографии -- эмигранты -- электронное телевидение -- фотоэлектронные умножители -- электронно-оптические преобразователи -- преобразователи -- изобретатели -- русские ученые -- ученые
Аннотация: Книга - по существу первое достаточно полное описание жизни и деятельности Владимира Козьмича Зворыкина (1889-1982) . Русскому эмигранту принадлежат фундаментальные изобретения в области электронного телевидения, пионерские разработки в области фотоэлектронных умножителей и электронно-оптических преобразователей, он стал лидером в области применеия электроники в биологии и медицине.


Доп.точки доступа:
Борисов, В. П.

Найти похожие

8.
001(09)
Г 808


    Грехов, И. В.
    Создатель силовой полупроводниковой электроники [Текст] : к 100-летию со дня рождения академика В. М. Тучкевича / И. В. Грехов // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 12 . - ISSN 0869-5873
УДК
ББК 72.3
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки
   Радиоэлектроника--Электроника

Кл.слова (ненормированные):
исследования -- ученые -- юбилеи -- полупроводники -- полупрводниковая электроника -- диэлектрики -- диэлектрическая электроника -- рентгеновское излучение -- германиевые диоды -- диоды -- реакторы -- тиристоры
Аннотация: Академику Владимиру Максимовичу Тучкевичу - ученый, создатель силовой полупроводниковой электроники. Основными направлениями его работы были исследования электрических свойств диэлектриков и воздействия на них рентгеновского излучения; под его руководством были сделаны первые в стране мощные германиевые диоды, первые полупроводниковые устройства для бесперебойного питания реакторов атомных подводных лодок; проводились работы по созданию мощных тиристоров.


Доп.точки доступа:
Тучкевич, В. М.

Найти похожие

9.
621.38
З 430


    Звездин, А. К.
    Вольт-амперные характеристики спинового полуметаллического транзистора [Текст] / А. К. Звездин, А. С. Мищенко, А. В. Хвальковский // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 29 назв. . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
спиновые полуметаллические транзисторы -- спиновые транзисторы -- транзисторы -- ферромагнитные полуметаллы
Аннотация: Предложена новая конструкция спинового транзистора на основе ферромагнитных полуметаллов, называемого спиновым полуметаллическим транзистором, и теоретически исследованы его вольт-амперные характеристики. Новое устройство подобно биполярному транзистору способно усиливать ток. В то же время свойства спинового полуметаллического транзистора кардинально зависят от взаимной ориентации намагниченностей трех его контактов. Также в работе предложен Fuparrow-Fdownarrow-переход. Это устройство состоит из двух однодоменных полуметаллических частей с противоположными направлениями намагниченности. В некотором диапазоне напряжений вольт-амперные характеристики Fuparrow-Fdownarrow-перехода и полупроводникового диода схожи между собой. Исследовано поведение Fuparrow-Fdownarrow-перехода при различных условия


Доп.точки доступа:
Мищенко, А.С.; Хвальковский, А.В.

Найти похожие

10.
621.38
Б 796


    Болтовец, Н. С.
    Межфазные взаимодействия и термодеградация контактных структур TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, стимулированные быстрыми термическими отжигами [Текст] / Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
барьер Шоттки -- бориды титана -- контактные структуры -- межфазные взаимодействия -- нитриды титана -- термический отжиг -- термодеградация
Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований термической стабильности контактов с барьером Шоттки (БШ) TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, Au-TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si и Au-Ti(Mo)-TiN[x](TiB[x])-n-n[+}-Si, подвергнутых быстрым термическим отжигам в атмосфере водорода при T=400,600 и 800oC. Показано, что структурно-морфологические перестройки в слоях сплавов внедрения (бориды и нитриды титана) и связанные с ними процессы деградации электрофизических характеристик барьера происходят начиная с 600`C. Обсуждаются возможные причины, приводящие к нарушению барьерных свойств слоев нитридов и боридов титана


Доп.точки доступа:
Иванов, В.Н.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Войциховский, Д.И.

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)