Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковые материалы<.>)

Общее количество найденных документов : 49
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-49

539.19
Ч 494

Черноплеков, Н. А.
Сверхпроводниковые технологии [Текст] : современное состояние и перспективы практического применения / Н. А. Черноплеков // Вестник Российской академии наук. - 2001. - Т.71,N4 . - ISSN 0869-5873

УДК

539.19

621.3

621.38

ББК 22.36 + 31.2 + 32.85
Рубрики: Физика--Молекулярная физика
Энергетика--Электротехника
Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- сверхпроводники -- сверхпроводимость -- низкотемпературная -- сверхпроводящие материалы -- наукоемкие технологии -- провода -- ленточные провода -- изоляция -- электротехника -- силовая сверхпроводимость -- сильноточные технологии -- электроника сверхпроводниковая -- электронные приборы
Аннотация: В развитии техники большие надежды связаны с созданием электротехнического оборудования в сверхпроводниковом исполнении.Автор,чл.-кор.РАН,рассказывает о новом поколении сверхпроводниковых технологий.Публикуется его научное сообщение и материалы дискуссии,состоявшейся в Президиуме РАН.

Доп.точки доступа:
Осипьян, Ю.А.; Гапонов, С.В.; Фортов, В.Е.; Андреев, А.Ф.

Найти похожие

537
П 542

Поляков, Н. Н.
Измерение электропроводимости анизотропных полупроводниковых пластин и пленок [Текст] / Н. Н. Поляков, А. В. Карлов, В. В. Филиппов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2004. - Т. 70, N 3. - Библиогр.: с. 31 (8 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

537

ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
анизотропия -- пластины -- полупроводниковые материалы -- тонкие пленки -- электропроводимость
Аннотация: Предложен способ определения компонентов электропроводимости тонких полупроводниковых пленок на основе известного четырехзондового метода при условии, что цензор удельной электропроводности приведен к диагональному виду.

Доп.точки доступа:
Карлов, А. В.; Филиппов, В. В.

Найти похожие

621.38
А 901

Асеев, А. Л. (???? 1).
Физика и технология гетероструктур III-V: современное сотояние и тенденции развития [Текст] / А. Л. Асеев, О. П. Пчеляков, А. И. Торопов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0021-3411

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
атомно-гладкие гетерограницы -- гетероструктуры -- горячие электроны -- лазеры с вертикальным резонатором -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полевые транзисторы -- полупроводниковые материалы -- структуры с квантовыми ямами
Аннотация: В данной статье приведен обзор современного положения дел в области молекулярно-лучевой эпитаксии в Институте физики полупроводников СО РАН (г.Новосибирск)

Доп.точки доступа:
Пчеляков, О.П. (???? 1); Торопов, А.И. (???? 1)

Найти похожие

546
В 191

Васильев, Р. Б.
Неорганические структуры как материалы для газовых сенсоров [Текст] / Р. Б. Васильев, Л. И. Рябова, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов // Успехи химии. - 2004. - Т. 73, N 10. - Библиогр.: с. 1036-1038 (114 назв. ) . - ISSN 0042-1308

УДК

546

ББК 24.1
Рубрики: Химия--Неорганическая химия
Кл.слова (ненормированные):
неорганические структуры -- полупроводниковые материалы -- механизм газовой чувствительности -- газовые сенсоры
Аннотация: Проанализированы работы по созданию новых неорганических материалов для газовых сенсоров на основе полупроводниковых структур. Обсуждено влияние адсорбированных молекул на электронное состояние, электропроводность поверхности и внутренних границ раздела в полупроводниковых материалах. Механизм газовой чувствительности рассмотрен на примерах структур металл/диэлектрик/полупроводник, полупроводник/диэлектрик/полупроводник, металл/полупроводник и полупроводник/полупроводник. Отмечены особенности поведения гетероструктур на основе нанокристаллических оксидов металлов на подложках из монокристаллического кремния с диэлектрическим слоем SiO[2]. Описаны сенсорные свойства полупроводниковых структур при детектировании различных молекул.

Доп.точки доступа:
Рябова, Л. И.; Румянцева, М. Н.; Гаськов, А. М.

Найти похожие

53
Н 580

Нефедов, Д. В.
Влияние упругих взаимодействий на формирование кремниевых нанокристаллитов на некристаллических подложках в плазме СВЧ газового разряда низкого давления [Текст] / Д. В. Нефедов, авт. Р. К. Яфаров // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. 26-34 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллиты -- кремниевые нанокристаллиты -- плазма СВЧ газового разряда -- СВЧ газовый разряд -- полупроводниковые материалы -- гетероструктуры
Аннотация: Исследованы условия получения наноразмерных островков кремния в плазме СВЧ газового разряда низкого давления на некристаллических подложках с различной энергией взаимодействия на межфазной границе. Показано, что формирование островков происходит через заращивание углублений рельефа поверхности подложки. В оптимальных режимах синтеза размер островков определяется стехиометрическим составом и температурой получения пленки-подложки, на которой эти островки формируются.

Доп.точки доступа:
Яфаров, Р. К.

Найти похожие

621.38
Н 254

Наноразнообразие [Текст] // Наука из первых рук. - 2007. - N 2. - С. 45-47 . - ISSN 1810-3960

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
нанотехнологии -- физика полупроводников -- полупроводниковые материалы -- наноэлектроника -- трехмерные наноструктуры -- исследования
Аннотация: О создании и исследовании наноструктур с контролируемыми размерами и заданными свойствами.

Найти похожие

544
Т 666

Третьякова, Н. А.
Гидрохимическое осаждение, состав и морфология пленок селенида олова (II [Текст] / Н. А. Третьякова, В. Ф. Марков [и др.] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2008. - Т. 51, вып. 7. - С. 37-40. - Библиогр.: с. 40 (9 назв. ) . - ISSN 0579-2991

УДК

544

ББК 24.5
Рубрики: Химия
Физическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
гидрохимическое осаждение -- пленки селенида олова -- селениды олова -- полупроводниковые материалы -- кинетика осаждения -- селеномочевины
Аннотация: Исследована кинетика гидрохимического осаждения селенида олова (II) селеномочевиной. Определены условия получения пленок SnSe. Их состав и морфология изучены методами рентгеновской дифракции, рентгенодисперсного микроанализа и электронной микроскопии.

Доп.точки доступа:
Марков, В. Ф.; Маскаева, Л. Н.; Миронов, М. П.; Дьяков, В. Ф.

Найти похожие

004.33
П 276

Перов, А. (канд. физико-мат. наук).
Флэш-память: физика, применение и перспективы [Текст] / А. Перов // Наука и жизнь. - 2008. - N 3. - С. 38-41. - Библиогр.: с. 41 . - ISSN 0028-1263

УДК

004.33

ББК 32.973-04
Рубрики: Вычислительная техника
Запоминающие устройства
Кл.слова (ненормированные):
флэш-память -- флэш-накопители -- транзисторы -- компьютерная память -- нанопроводы -- полупроводниковые материалы
Аннотация: Флэш-память как одно из самых популярных в общем ряду устройств хранения данных.

Найти похожие

537.533.35
Г 127

Гагарин, Ю. Е.
Использование конфлюентного анализа для оценки влияния электрофизических параметров прямозонных полупроводниковых материалов на результаты интервального оценивания зависимости интенсивности катодолюминесценции от энергии электронов пучка. Результаты математического моделирования [Текст] / Ю. Е. Гагарин, Е. Н. Лапшинова, В. И. Петров, М. А. Степанович // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 10. - С. 31-35 . - ISSN 0207-3528

УДК

537.533.35

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
конфлюентный анализ -- электрофизические параметры -- полупроводниковые материалы -- прямозонные полупроводниковые материалы -- катодолюминесценция -- энергия электронов пучка -- математическое моделирование
Аннотация: Рассмотрено использование конфлюентного анализа для нахождения интервальных оценок функциональных зависимостей в катодолюминесцентной микроскопии. Изучено влияние электрофизических параметров на интервальные оценки функциональной зависимости интенсивности катодолюминесценции от энергии электронов пучка.

Доп.точки доступа:
Лапшинова, Е. Н.; Петров, В. И.; Степанович, М. А.

Найти похожие

10.

Нестехиометрические дефекты в Si-легированных эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных на подложках с ориентациями (111) A и (111) В [Текст] : текст / Н. Г. Яременко [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 4, апрель. - С. 483-487. - Библиогр.: с. 487 (13 назв. ) . - ISSN 0869-5652

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
галлий -- полупроводниковые материалы -- мышьяк -- кремний -- кристаллы
Аннотация: Цель работы - изучение методом фотолюминесценции природы структурных дефектов.

Доп.точки доступа:
Яременко, Н. Г.; Галиев, Г. Б.; Карачевцева, М. В.; Мокеров, В. Г.; Страхов, В. А.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-49

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)