Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Найдено в других БД:

Электронный каталог (18)

Труды ОмГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Румянцев, В. В.$<.>)

Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 17

001(09)
Р 865

Румянцев, В. В.
Беззаветное служение науке и образованию [Текст] : К 100-летию со дня рождения члена-корреспондента АН СССР Н.Г.Четаева / В. В. Румянцев // Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N1. - Библиогр.:22 назв. . - ISSN 0869-5873

УДК

001(09)

ББК 72.3
Рубрики: Механика--История науки--Общие вопросы механики
Кл.слова (ненормированные):
биографии -- наука -- ученые -- члены-корреспонденты -- юбилеи
Аннотация: Рассказывается о жизни и научной деятельности крупнейшего российского ученого-механика XX века Николая Гурьевича Четаева.

Доп.точки доступа:
Четаев, Н.Г.

Найти похожие

001(09)
Н 168

Награды и премии [Текст] : [Премии вручены: премия имени В. Н. Сукачева 2004 года - Е. А. Ваганову и С. Г. Шиятову; премия имени А. М. Ляпунова 2004 года - В. В. Румянцеву] // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 10 . - ISSN 0869-5873

УДК

001(09)

ББК 72.3
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки
Кл.слова (ненормированные):
доктора наук -- ученые -- академики -- РАН -- Российская академия наук -- академия наук -- награды -- премии
Аннотация: Официальный отдел дает информацию о присуждении наград и премий академикам, докторам наук.

Доп.точки доступа:
Ваганов, Е. А.; Шиятов, С. Г.; Румянцев, В. В.; Российская академия наук; РАН

Найти похожие

539.2
Р 865

Румянцев, В. В.
Рассеяние света подрешеткой апекального кислорода в тонком слое YBaCuO кристалла [Текст] / В. В. Румянцев, Ю. Г. Пашкевич // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 10. - Библиогр.: c. 83 (23 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

535

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
апекальный кислород -- ВТСП -- высокотемпературные сверхпроводники -- мостиковый кислород -- рассеяние света
Аннотация: Исследованы особенности рассеяния TM-поляризованной световой волны подрешеткой апекального кислорода, обусловленные спецификой дисперсии фононного n-поляритона, локализованного в сверхтонком YBaCuO слое. Оценено отличие угла рассеяния светового потока от угла отражения для максимума рамановского сдвига частоты. Показано, что вблизи резонансной частоты амплитуда g-осцилляций ионов мостикового кислорода резко возрастает и, следовательно, становится возможным наблюдение дополнительного (к объемному) рассеяния когерентных электромагнитных волн на стоксовой и антистоксовой частотах.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/10/page-80.html.ru

Доп.точки доступа:
Пашкевич, Ю. Г.

Найти похожие

001.89
Р 76

Российская академия наук. Президиум РАН (2005).
Президиум РАН решил [] // Вестник Российской академии наук. - 2005. - Т. 75, N 2. - С. 177-178 . - ISSN 0869-5873

УДК

001.89

ББК 72.4
Рубрики: Наука. Науковедение--Организация науки
Кл.слова (ненормированные):
Президиум РАН -- РАН -- научные учреждения -- ученые -- решения РАН -- утверждения РАН -- академики
Аннотация: Дана информация о решениях Президиума РАН.

Доп.точки доступа:
Евтушенко, Ю. Г.; Старовайт, О. Е.; Румянцев, В. В.; Кузнецов, Н. Т.; Сахаров, А. Н.; Савиных, Г. И.; Гончаров, В. И.; Басиров, К. Д.; Кануков, З. В.; Фарниев, А. Т.; Годжиев, С. А.; Козырев, Е. Н.; Кузнецов, В. А.; Темраков, А. И.; Илишев, И. Г.; Урманчеев, С. Ф.; Юнусов, А. Б.; Ахатов, И. Ш.; Байков, А. А.; Фаттахов, Р. В.; Маслов, В. П.; Гончар, А. А.; Новиков, С. П.; Волчаков, Э. П.; Деревянко, А. П.; Решетняк, Ю. Г.; Уткин, В. И.; Книрель, Ю. А.; Шашков, А. С.; Кочарова, Н. А.; Затонский, Г. В.; Гамиан, А.; Катценелленбоген, Э.; Липиньский, Т.; Богульская, М.

Найти похожие

001.89
Р 76

Российская академия наук. Президиум РАН (2005).
Президиум РАН решил [] // Вестник Российской академии наук. - 2005. - Т. 75, N 6. - С. 571-573 . - ISSN 0869-5873

УДК

001.89

ББК 72.4
Рубрики: Наука. Науковедение--Организация науки
Кл.слова (ненормированные):
Президиум РАН -- РАН -- ученые -- решения РАН -- утверждения РАН -- академики -- научная деятельность -- научные организации
Аннотация: Дана информация о решениях Президиума РАН.

Доп.точки доступа:
Матвеев, В. А.; Гуляев, Ю. В.; Кузнецов, В. Д.; Иванников, В. П.; Цивадзе, А. Ю.; Макаров, А. А.; Осипов, Ю. С.; Андреев, А. Ф.; Румянцев, В. В.; Кулешов, А. П.; Васильев, В. И.; Попков, Ю. С.; Абрамов, С. М.; Гридин, В. Н.; Нахушев, А. М.; Орликовский, А. А.; Пустовойт, В. И.; Сойфер, В. И.; Соколов, И. А.; Леонов, Ю. Г.; Волков, В. К.; Кузнецов, Ф. Ф.; Кайбышев, О. А.; Барыкин, Н. П.; Камелин, Р. В.; Буданцев, А. Л.; Лаверов, Н. П.; Бортников, Н. С.; Рябчиков, И. Д.; Галимов, Э. М.; Виноградов, М. Е.; Глико, А. О.; Голицын, Г. С.; Жариков, В. А.; Котляков, В. М.; Марин, Ю. Б.; Осипов, В. И.; Пущаровский, Ю. М.; Соколов, Б. С.; Тимофеев, Д. А.; Федотов, С. А.; Холодов, В. Н.; Хубларян, М. Г.; Исаченко, А. Г.; Калакуцкий, Л. В.; Еремеев, В. Н.

Найти похожие

531.3
Р 86

Румянцев, В. В.
О вариационных принципах для систем с неудерживающими связями [Текст] / В. В. Румянцев // Прикладная математика и механика. - 2006. - Т. 70, N 6. - С. 902-914. - Библиогр.: с. 913-914 (19 назв. ) . - ISSN 0032-8235

УДК

531.3

ББК 22.213
Рубрики: Механика--Динамика
Кл.слова (ненормированные):
Гаусса принцип; Даламбера-Лагранжа принцип; неравенство Фурье; принцип Даламбера-Лагранжа; принцип виртуальных перемещений; принцип Гаусса; принцип наименьшего действия в форме Якоби; принцип Суслова-Воронца; системы с неудерживающими связями; Суслова-Воронца принцип; форма Якоби; Фурье неравенство; Якоби форма
Аннотация: Даются выводы и формулировки вариационных принципов аналитической механики для систем с неудерживающими (освобождающими) идеальными гладкими связями, первоначально установленных их авторами для систем, стесненных удерживающими (неосвобождающими) связями. Излагаются принцип виртуальных перемещений, неравенство Фурье, принцип Даламбера-Лагранжа, принцип наименьшего принуждения Гаусса и его видоизменение - принцип наибольшей работы Четаева, принцип Журдена, принцип Гамильтона-Остроградского, принцип наименьшего действия в формах Лагранжа и Якоби, принцип Суслова-Воронца.

Найти похожие

519.6
К 361

Керимов, М. К.
Памяти академика Валентина Витальевича Румянцева (1921-2007 [Текст] / М. К. Керимов // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2008. - Т. 48, N 2. - С. 345-351. - Библиогр.: с. 348-349 (52 назв. ) . - ISSN 0044-4669

УДК

519.6

ББК 22.19
Рубрики: Математика
Вычислительная математика
Кл.слова (ненормированные):
академики -- некрологи -- ученые-математики -- ученые-механики
Аннотация: После тяжелой болезни 10 июня 2007 года скончался известный российский математик и механик, академик РАН Валентин Витальевич Румянцев. Ушел из жизни один из выдающихся представителей российской школы в области теоретической механики и теории устойчивости движения. Вклад В. В. Румянцева в теорию устойчивости движения и аналитической динамики огромен. Дан список основных научных трудов.

Доп.точки доступа:
Румянцев, В. В. (1921-2007)

Найти похожие

539.2
Р 865

Румянцев, В. В.
Оптическая анизотропия полубесконечного молекулярного кристалла с учетом структуры поверхности [Текст] / В. В. Румянцев, авт. С. Н. Латынин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 10. - С. 89-92 . - ISSN 0207-3528

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
молекулярные кристаллы -- полубесконечные молекулярные кристаллы -- оптическая анизотропия
Аннотация: В рамках метода действующего поля, обобщенного на двумерно-периодические структуры, исследованы законы дисперсии "объемных" светоэкситонов в полубесконечных атомарных криокристаллах. В окрестности частоты поперечного экситона, где могут наблюдаться добавочные световые волны, рассчитаны параметры дисперсии экситонного поляритона для кристаллов с различными равновесными поверхностными гранями (001), (101), (111) и (121).

Доп.точки доступа:
Латынин, С. Н.

Найти похожие

Румянцев, В. В.
О стабилизации движения нестационарной управляемой системы [Текст] / В. В. Румянцев, А. С. Андреев // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 416, N 5, октябрь. - С. 627-629. - Библиогр.: с. 629 (6 назв. ) . - ISSN 0869-5652

УДК

^a531.3

ББК 22.213
Рубрики: Механика
Динамика
Кл.слова (ненормированные):
функции Ляпунова -- Ляпунова функции -- тип Беллмана -- Беллмана тип -- устойчивость движения -- стабилизация движения
Аннотация: Представлено решение задачи о стабилизации движения нестационарной управляемой системы на основе применения постоянно-положительной функции Ляпунова.

Доп.точки доступа:
Андреев, А. С.

Найти похожие

10.

Румянцев, В. В.
Распространение света в слоистых композитных материалах с переменной толщиной слоев [Текст] / В. В. Румянцев, С. А. Федоров // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 6. - С. 54-58. - Библиогр.: c. 58 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
слоистые материалы -- композитные материалы -- сверхрешетки -- приближение виртуального кристалла -- распространение света -- кремний-жидкокристаллические системы
Аннотация: В рамках приближения виртуального кристалла исследовано распространение света в неидеальной кремний-жидкокристаллической сверхрешетке (одномерном кристалле с двумя элементами-слоями в элементарной ячейке). Исследованы особенности оптических характеристик показателя преломления, ширины нижайшей запрещенной зоны, обусловленные случайной вариацией слоев по толщине. Использование слоистых композитных материалов с переменной толщиной слоев существенно расширяет возможности моделирования и создания новых слоистых материалов.

Доп.точки доступа:
Федоров, С. А.

Найти похожие

11.

Кинетика терагерцовой фотопроводимости в p-Ge в условиях примесного пробоя [Текст] / С. В. Морозов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1523-1526 : ил. - Библиогр.: с. 1526 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотопроводимость -- кинетика фотопроводимости -- примесный пробой -- время релаксации (физика) -- терагерцовое излучение -- электрические поля -- акцепторы -- гелий -- жидкий гелий -- p-Ge -- экспериментальные исследования
Аннотация: Исследованы времена релаксации примесной фотопроводимости в p-Ge при возбуждении наносекундным узкополосным источником терагерцового излучения в зависимости от приложенного к образцу напряжения смещения. Показано, что в допробойных полях время релаксации растет с приложенным электрическим полем, а при превышении поля примесного пробоя уменьшается. В исследованных образцах, различающихся концентрацией акцепторов и степенью компенсации, наблюдалась немонотонная кинетика фотопроводимости при приближении к полю примесного пробоя.

Доп.точки доступа:
Морозов, С. В.; Маремьянин, К. В.; Ерофеева, И. В.; Яблонский, А. Н.; Антонов, А. В.; Гавриленко, Л. В.; Румянцев, В. В.; Гавриленко, В. И.

Найти похожие

12.

51
М 690

Михайлов, В. Б. (Центр информационных технологий в проектировании РАН).
Новый спектральный численно-аналитический метод решения нелинейных дифферениально-алгебраических систем уравнений [Текст] / В. Б. Михайлов, авт. В. В. Румянцев // Математическое моделирование. - 2012. - Т. 24, № 6. - С. 83-90. - Библиогр.: с. 90 (5 назв. ) . - ISSN 0234-0879

УДК

519.6

ББК 22.19 + 22.19
Рубрики: Математика
Вычислительная математика
Кл.слова (ненормированные):
ортогональные многочлены Чебышева -- нелинейные дифференциальные уравнения -- спектральный численно-аналитический метод решения уравнений -- Чебышева ортогональные многочлены
Аннотация: Рассмотрен спектральный численно-аналитический метод решения нелинейных дифференциально-алгебраических систем уравнений. Для аппроксимации невязок предлагается использовать ортогональные многочлены Чебышева. Разработан метод и алгоритм их вычисления.

Доп.точки доступа:
Румянцев, В. В. (Центр информационных технологий в проектировании РАН)

Найти похожие

13.

538.9
Т 350

Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe [Текст] / А. В. Иконников [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 92, вып. 11. - С. 837-841

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
узкозонные гетероструктуры -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- терагерцовая спектроскопия -- спектры циклотронного резонанса -- межзонная фотопроводимость
Аннотация: Исследованы энергетические спектры гетероструктур Hg[1-y]Cd[y]Te/Cd[x]Hg[1-x]Te с квантовыми ямами с узкой шириной запрещенной зоны. Из измерений спектров циклотронного резонанса получены зависимости эффективной циклотронной массы от концентрации (в классических магнитных полях) и от энергии перехода (в квантующих полях), подтверждающие близкий к линейному характер закона дисперсии электронов с малой величиной массы на дне зоны (минимальная измеренная величина циклотронной массы - 0. 003m[0]). Продемонстрирована межзонная фотопроводимость структур на основе CdHgTe с длинноволновой границей фотоотклика менее 6 мэВ.

Доп.точки доступа:
Иконников, А. В.; Ластовкин, A. A.; Спирин, К. Е.; Жолудев, М. С.; Румянцев, В. В.; Маремьянин, К. В.; Антонов, А. В.; Алешкин, В. Я.; Гавриленко, В. И.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Садофьев, Ю. Г.; Samal, N.

Найти похожие

14.

51
М 690

Михайлов, В. Б. (Центр информационных технологий в проектировании РАН).
Теория параметрической чувствительности собственных частот и ее применение к анализу устойчивости / В. Б. Михайлов, авт. В. В. Румянцев // Математическое моделирование. - 2012. - Т. 24, № 9. - С. 113-124 : 1 табл. - Библиогр.: с. 124 (13 назв. ) . - ISSN 0234-0879

УДК

519.6

ББК 22.19 + 22.19
Рубрики: Математика
Вычислительная математика
Кл.слова (ненормированные):
параметрическая корневая чувствительность -- дифференциально-алгебраические системы уравнений -- регулярные пучки матриц -- спектральная задача для регулярных пучков матриц
Аннотация: Рассмотрены вопросы организации вычислений параметрических корневых чувствительностей первого и второго порядка как спектральных задач для регулярных пучков матриц в Windows-версии пакета схемотехнического проектирования SimStar/Win, полученных из дифференциально-алгебраических систем уравнений (ДАСУ) радиоэлектронных схем. Рассмотрены проблемы декомпозиции процесса вычислений и определен объем вычислительной работы, а также проведено сравнение с методом Ланкастера-Ху-Эндрю.

Доп.точки доступа:
Румянцев, В. В. (Центр информационных технологий в проектировании РАН)

Найти похожие

15.

539.2
О-754

Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe / В. В. Румянцев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1446-1450 : ил. - Библиогр.: с. 1449 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
спектры релаксации -- кинетика релаксации -- релаксация фотопроводимости -- межзонная фотопроводимость -- фотопроводимость -- узкозонные эпитаксиальные пленки -- эпитаксиальные пленки -- структуры -- квантовые ямы -- HgCdTe -- кадмий-ртуть-теллур -- КРТ -- межзонные переходы -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- подложки -- примеси -- дефекты -- оптические переходы -- неравновесные носители -- ампер-ваттная чувствительность -- эквивалентная мощность -- длина волны -- излучательная рекомбинация -- рекомбинация носителей
Аннотация: Проведены исследования спектров и кинетики релаксации межзонной фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках Hg[1-x]Cd[x]Te с x=0. 19-0. 23 и структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe с энергией межзонных переходов в диапазоне 30-90 мэВ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (013). В спектрах структур с квантовыми ямами помимо межзонной фотопроводимости обнаружена длинноволновая полоса чувствительности, обусловленная примесями/дефектами. Показано, что при той же самой энергии оптического перехода времена жизни неравновесных носителей в структурах с КЯ меньше, чем в объемных образцах. По измеренным временам жизни носителей оценены ампер-ваттная чувствительность и эквивалентная мощность шума для пленки с x=0. 19 для длины волны 19 мкм. При исследованиях кинетики релаксации фотопроводимости при 4. 2 K в условиях сильного возбуждения обнаружено преобладание излучательной рекомбинации над остальными механизмами рекомбинации неравновесных носителей.
Here we present the investigation of the spectra and relaxation kinetics of interband photoconductivity in narrow gap Hg[1-x]Cd[x]Te epitaxial films with x = 0. 19-0. 23 and Hg[1-x]Cd[x]Te based quantum well structures with interband transitions energy in the range of 30-90meV, grown by molecular-beam epitaxy on GaAs (013) substrates. In the spectra of quantum well structures in addition to the interband photoconductivity a long wavelength band of sensitivity is observed which results from impurities/defects related transitions. It is shown that for the same optical transition energy the nonequilibrium carriers lifetime in the quantum well structures is lower as compared with the bulk samples. Basing on the measured lifetimes, ampere-watt sensitivity and NEP for the film with x = 0. 19 are estimated for the wavelength of 19 mum. It is found that the photoconductivity relaxation kinetics under high excitation at 4. 2K is predominated by the radiative recombination.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1446-1450.pdf

Доп.точки доступа:
Румянцев, В. В.; Иконников, А. В.; Антонов, А. В.; Морозов, С. В.; Жолудев, М. С.; Спирин, К. Е.; Гавриленко, В. И.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск)Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород)

Найти похожие

16.

539.19
К 413

Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в p-Si:B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях / С. В. Морозов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1472-1475 : ил. - Библиогр.: с. 1475 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.19

621.315.592

ББК 22.36 + 31.233
Рубрики: Физика
   Молекулярная физика в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
примесная фотопроводимость -- фотопроводимость -- импульсное оптическое возбуждение -- оптическое возбуждение -- электрические поля -- релаксация -- оптические фононы -- фононы -- длина волны -- время релаксации -- кинетика релаксации
Аннотация: Исследуется релаксация примесной фотопроводимости в p-Si: B при импульсном оптическом возбуждении узкополосным перестраиваемым источником излучения в "греющих" (10-500 В/см) электрических полях. Обнаружено изменение характера зависимости времени релаксации от электрического поля при E>75 В/см за счет подключения процессов релаксации с испусканием оптического фонона. Зависимость темпов релаксации носителей от интенсивности и длины волны возбуждающего излучения указывает также на наличие долгоживущего возбужденного состояния, играющего роль уровня прилипания при релаксации носителей.
We study the relaxation kinetics of the impurity photoconductivity in p-Si: B under pulsed optical excitation in the strong (10-500V/cm) electric fields. It is found that the dependence of the relaxation time on the electric field changes its behavior when E > 75V/cm due to the relaxation processes involving optical phonons. The dependence of the carrier relaxation rate on the intensity and wavelength of the excitation indicates the presence of long-lived excited state, which leads to the delay of the carrier relaxation.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1472-1475.pdf

Доп.точки доступа:
Морозов, С. В.; Румянцев, В. В.; Кудрявцев, К. Е.; Гавриленко, В. И.; Козлов, Д. В.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород)Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород)

Найти похожие

17.

539.21:534
Р 865

Румянцев, В. В.
Распространение упругих волн в неидеальной слоистой среде / В. В. Румянцев, С. А. Федоров, В. М. Юрченко // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 2. - С. 111-114. - Библиогр.: c. 114 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.21:534

ББК 22.372
Рубрики: Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
упругие волны -- неидеальные слоистые среды -- слоистые среды -- приближение виртуального кристалла -- акустические возбуждения -- 1D-сверхрешетки -- сверхрешетки -- численное моделирование -- 1D-фононные кристаллы -- фононные кристаллы -- ширина нижайшей запрещенной акустической зоны -- примесные слои
Аннотация: В рамках приближения виртуального кристалла изучены особенности распространения акустических возбуждений через несовершенную 1D-сверхрешетку. Выполнено численное моделирование зависимости ширины нижайшей запрещенной акустической зоны неидеального (разупорядоченного по составу) двухподрешеточного 1D-фононного кристалла от концентрации примесных слоев.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/02/p111-114.pdf

Доп.точки доступа:
Федоров, С. А.; Юрченко, В. М.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)