Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Ермаков, В. С.$<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

347
Е 721

Ермаков, В. С.
Товарищество собственников жилья как юридическое лицо [Текст] / В. С. Ермаков // Жилищное право. - 2002. - N2

УДК

347

ББК 67.404
Рубрики: Право--Гражданское право
Кл.слова (ненормированные):
жилье -- кондоминимумы -- право собственности -- товарищества собственников жилья -- юридические лица
Аннотация: Статья рассматривает только юридико-технические аспекты данной темы.

Перейти: http://www.TOP.PERSONAL.ru/

Найти похожие

347
Е 721

Ермаков, В. С.
Общее имущество собственников жилья в многоквартирном доме [Текст] / В. С. Ермаков // Жилищное право. - 2003. - N2 . - ISSN XXXX-XXXX

УДК

347

ББК 67.404
Рубрики: Право--Гражданское право
Кл.слова (ненормированные):
жилые помещения -- многоквартирные дома -- общая собственность -- общее имущество -- права собственников -- собственники жилья
Аннотация: Определение правового статуса общего имущества в многоквартирном доме как определяющий фактор для распределения прав и обязанностей собственников помещений.

Перейти: http://www.TOP-PERSONAL.ru/

Найти похожие

347
Е 721

Ермаков, В. С.
Понятие "многоквартирного жилого дома" [Текст] / В. С. Ермаков // Жилищное право. - 2003. - N3 . - ISSN XXXX-XXXX

УДК

347

ББК 67.404
Рубрики: Право--Гражданское право
Кл.слова (ненормированные):
жилищное законодательство -- жилищное право -- жилые дома -- жилые помещения -- жилье -- многоквартирный дом -- обязательства -- термины
Аннотация: Многообразие толкований термина ведет к различному его пониманию.

Перейти: http://www.TOP-PERSONAL.ru/

Найти похожие

347
Е 721

Ермаков, В. С.
Концепция построения правовой системы управления общим имуществом кондоминимума (многоквартирного дома [Текст] / В. С. Ермаков // Жилищное право. - 2004. - N 2 . - ISSN XXXX-XXXX

УДК

347

ББК 67.404
Рубрики: Право--Гражданское право
Кл.слова (ненормированные):
жилье -- управление жильем -- домовладельцы -- долевая собственность -- частная собственность -- коллективная собственность -- земельные участки -- кондоминимумы -- управление имуществом -- многоквартирные дома -- собственники жилья
Аннотация: Основные моменты, характеризующие управление общим имуществом кондоминимумов.

Найти похожие

621.315.592
Э 455

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 450-456 : ил. - Библиогр.: с. 455 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
облучение электронами -- электронное облучение -- термообработка -- термическая обработка -- электронные свойства -- нитрид галлия -- GaN -- электрофизические свойства -- глубокие ловушки (физика) -- эпитаксиальные слои -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- спектры ловушек -- электроны -- отжиг -- радиационные дефекты
Аннотация: Рассмотрено влияние облучения электронами (энергии E=7 и 10 МэВ, дозы D=10{16}-10{18} см{-2}) и последующих термообработок в интервале температур 100-1000 °C на электрофизические свойства и спектр глубоких ловушек нелегированных (концентрации электронов n=1 x 10{14}-1 x 10{16} см{-3}), промежуточно легированных (n= (1. 2-2) x 10{17} см{-3}) и сильно легированных кремнием (n= (2-3. 5) x 10{18} см{-3}) эпитаксиальных слоев n-GaN, выращенных на подложке Al[2]O[3] с использованием технологии MOCVD. Обнаружено увеличение удельного сопротивления n-GaN при электронном облучении, обусловленное смещением уровня Ферми в предельное положение вблизи E[c]-0. 91 эВ. Исследован спектр глубоких ловушек в исходном и облученном электронами n-GaN. Показано, что восстановление исходных свойств облученного материала имеет место в интервале температур 100-1000 °C с основной стадией отжига радиационных дефектов вблизи 400 °C.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p450-456.pdf

Доп.точки доступа:
Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Говорков, А. В.; Ермаков, В. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.; Поляков, А. Я.; Смирнов, Н. Б.

Найти похожие

539.2
Э 455

Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами / В. М. Бойко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 885-889 : ил. - Библиогр.: с. 888-889 (23 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронные свойства -- реакторные нейтроны -- облучение нейтронами -- быстрые нейтроны -- электрофизические свойства -- эпитаксиальные пленки -- легирование -- сопротивление материалов -- прыжковая проводимость -- носители заряда -- радиационные дефекты -- изохронный отжиг -- температурные зависимости
Аннотация: Проанализировано влияние облучения полным спектром реакторных нейтронов и преимущественно быстрыми нейтронами реактора (до 8·10{18} см{-2}) на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок p-GaN (Mg) с различным уровнем исходного легирования (концентрация дырок p = 10{17}-10{19} см{-3}). При нейтронном облучении отмечено увеличение удельного сопротивления исходного материала до значений 10{10} Ом·см при 300 K. При больших флюенсах нейтронов обнаружено уменьшение электросопротивления материала вследствие прыжковой проводимости носителей заряда по состояниям радиационных дефектов. Исследование изохронного отжига в области 100-1000°С выявило стадии отжига донорных, около 100-300, 500-700 и 750-850°С, и акцепторных, около 300-500 и 650-800°С, дефектов в облученных нейтронами образцах p-GaN (Mg).

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p885-889.pdf

Доп.точки доступа:
Бойко, В. М.; Брудный, В. Н.; Веревкин, С. С.; Ермаков, В. С.; Колин, Н. Г.; Корулин, А. В.; Поляков, А. Я.; Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Томский государственный университет; Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова" (Обнинск); ОАО "Гиредмет" (Москва)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)