Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Безотосный, В. В.$<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

621.315.592
Б 401

Безотосный, В. В.
Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом [Текст] / В. В. Безотосный, В. В. Васильева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 357-360 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
ассиметричные гетероструктуры -- многомодовые лазерные диоды -- оптическая катастрофическая деградация зеркал -- сверхширокие волноводы
Аннотация: Проведено сравнение параметров мощных многомодовых лазерных диодов с длиной волны излучения 808 нм, полученных на основе асимметричных гетероструктур со сверхшироким волноводом в системах твердых растворов AlGaAs/GaAs и (Al) GaInP/GaInAsP/GaAs. В лазерах на основе системы AlGaAs/GaAs максимальная оптическая мощность была ограничена катастрофической оптической деградацией зеркал SiO[2]/Si и составила 4. 7 Вт. В лазерах на основе системы (Al) GaInP/GaInAsP/GaAs максимальная оптическая мощность была ограничена термическим насыщением и составила 7 Вт. Полученные результаты показали, что с точки зрения увеличения максимальной оптической мощности и срока службы лазеров более надежной является система (Al) GaInP/GaInAsP/GaAs.

Доп.точки доступа:
Васильева, В. В.; Винокуров, Д. А.; Капитонов, В. А.; Крохин, О. Н.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Мурашова, А. В.; Налет, Т. А.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Попов, Ю. М.; Слипченко, С. О.; Станкевич, А. Л.; Фетисова, Н. В.; Шамахов, В. В.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

535.2/.3
Б 401

Безотосный, В. В.
Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs на длине волны 808 нм / В. В. Безотосный, В. А. Олещенко, Е. А. Чешев // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 109-113 : ил. - Библиогр.: с. 113 (3 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.2/.3

621.315.592

ББК 22.343 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физическая оптика
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
мощные лазерные диоды -- лазерные диоды -- длина волны -- гетероструктуры -- GaAsP/AlGaAs/GaAs -- арсенидгаллиевые структуры -- излучательные параметры -- результаты экспериментов
Аннотация: Экспериментально исследованы выходные параметры мощных лазерных диодов на длине волны 808 нм, изготовленных на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs и забракованных по результатам первоначальных измерений. Найдены методы восстановления их излучательных параметров до уровня лучших образцов. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых явлений.
We investigated the output parameters of highpower 808 nm laser diodes manufactured at the base of stressed heterostructures GaAsP/AlGaAs/GaAs and excluded according to results of the first measurements after assembling. The methods of such lasers parameters recovery up to the level of the best samples in the lot were developed. The possible reasons of the observed phenomena are discussed.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p109-113.pdf

Доп.точки доступа:
Олещенко, В. А.; Чешев, Е. А.; Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва)Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Полупроводниковые лазеры: физика и технология, симпозиум (3 ; 2012 ; Санкт-Петербург)

Найти похожие

535.2/.3
П 711

Предельные параметры мощных однополосковых лазерных диодов диапазона 800-808 нм в импульсном режиме / В. В. Безотосный [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 114-119 : ил. - Библиогр.: с. 119 (6 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.2/.3

621.315.592

ББК 22.343 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физическая оптика
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
однополосковые лазерные диоды -- лазерные диоды -- импульсные режимы -- численное моделирование -- резонаторы -- спектральные параметры -- импульсы -- выходная мощность -- результаты экспериментов
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования выходных параметров мощных непрерывных лазерных диодов, работающих в импульсном режиме, и результаты численного моделирования полного кпд лазерных диодов с длиной резонатора 3 и 4 мм в широком диапазоне токов накачки. Изучены спектральные параметры мощных ЛД при различной частоте следования импульсов. Обсуждаются возможные причины ограничения выходной мощности в импульсном режиме работы.
The results of experimental research of high-power laser diodes output parameters in pulse operation and results of total efficiency numerical simulation for laser resonator length 3mm and 4mm in wide pumping current range are presented. Spectral parameters of high-power laser diodes are tested under different pulse repetition rates. The possible reasons of power limits in pulse operation are discussed.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p114-119.pdf

Доп.точки доступа:
Безотосный, В. В.; Бондарев, В. Ю.; Крохин, О. Н.; Олещенко, В. А.; Певцов, В. Ф.; Попов, Ю. М.; Чешев, Е. А.; Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва)Полупроводниковые лазеры: физика и технология, симпозиум (3 ; 2012 ; Санкт-Петербург)

Найти похожие

621.371.8
П 764

Применение диодных лазеров в светокислородной терапии рака / С. Д. Захаров [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 129-134 : ил. - Библиогр.: с. 134 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.371.8

621.315.592

ББК 32.86-5 + 31.233
Рубрики: Радиоэлектроника
   Квантовые приборы
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диодные лазеры -- лазеры -- синглетный кислород -- кислород -- молекулы кислорода -- фотодинамический эффект -- ФДЭ -- фотодинамическая терапия -- ФДТ -- светокислородная терапия -- СКТ -- рак -- низкоинтенсивная лазерная терапия -- НИЛТ -- поглощение кислорода -- внутривенное лазерное облучение крови -- ВЛОК -- фотосенсибилизаторы
Аннотация: Синглетный кислород - самое низкоэнергетическое электронно-возбужденное состояние молекулы кислорода обладает способностью повреждать живые клетки, и это свойство давно используется для сенсибилизированного разрушения опухолей при фотодинамической терапии рака. Здесь продемонстрировано, что аналогичные результаты могут быть достигнуты без фотосенсибилизаторов, если использовать светокислородный эффект. Для светокислородной терапии рака наилучшим образом подходят мощные непрерывные диодные лазеры, излучающие в пределах полос поглощения растворенного молекулярного кислорода.
Singlet oxygen, the lowest electronically excited state of molecular oxygen, possesses ability to damage living cells and this feature is used for a long time for sensitized destruction of tumours by the photodynamic therapy. Here it is shown that similar results can be reached without photosensitizers if to use the light-oxygen effect. High-power cw diode lasers emitting within absorption bands of the dissolved oxygen are most acceptable for the light-oxygen therapy.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p129-134.pdf

Доп.точки доступа:
Захаров, С. Д.; Корочкин, И. М.; Юсупов, А. С.; Безотосный, В. В.; Чешев, Е. А.; Frantzen, F.; Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Российский государственный медицинский университет им. И. М. Сеченова (Москва); Клиника "Лазер и здоровье" (Уфа); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Retail Design Group (Norway)Полупроводниковые лазеры: физика и технология, симпозиум (3 ; 2012 ; Санкт-Петербург)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)