Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Найдено в других БД:

Электронный каталог (4)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Абрамов, П. $<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11

53
Л 330

Лебедев, А. А.
Исследование пленок 3C-SiC, выращенных на грани (0001) C подложек 6H-SiC [Текст] / А. А. Лебедев, В. В. Зеленин [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 61-67 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- пленки 3C-SiC -- подложки (0001) С 6H-SiC -- сублимационная эпитаксия в вакууме -- рентгеновская дифрактометрия -- эпитаксиальные слои -- двумерный электронный газ -- гетеропереходы
Аннотация: Проведено исследование пленок 3C-SiC, выращенных на подложках (0001) С 6H-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методом рентгеновской дифрактометрии показано достаточно высокое структурное совершенство полученных эпитаксиальных слоев. Проведенное исследование спектров рамановского рассеяния показало, что эпитаксиальный слой 3C-SiC вырос непосредственно на подложке 6H-SiC, без образования каких-либо переходных слоев. Сделан вывод, что данные структуры пригодны для исследования двумерного электронного газа у гетероперехода 3C-SiC/6H-SiC.

Доп.точки доступа:
Зеленин, В. В.; Абрамов, П. Л.; Лебедев, С. П.; Смирнов, А. Н.; Сорокин, Л. М.; Щеглов, М. П.; Yakimova, R.

Найти похожие

821(4).09
А 161

Абрамов, П. (канд. филол. наук).
Живые образы Германии [Текст] / рец. П. Абрамов // Высшее образование в России. - 2008. - N 2. - С. 175-176. - Рец. на кн.: Пронин, В. А. История немецкой литературы [Текст] / В. А. Пронин.- М.: Логос, 2007.- 384 с. . - ISSN 0869-3617

УДК

821(4).09

ББК 83.3(4)
Рубрики: Литературоведение
Литература Европы--Германия
Кл.слова (ненормированные):
история литературы -- история немецкой литературы -- немецкая литература -- культура -- немецкая культура -- учебные пособия -- рецензии

Доп.точки доступа:
Пронин, В. А. (д-р филол. наук; проф.); История, немецкой литературы

Найти похожие

821(4).09
А 161

Абрамов, П. В.
Живые образы Германии [Текст] / рец. П. В. Абрамов // Университетская книга. - 2008. - N 2. - С. 45. - Рец. на кн.: Пронин В. А. История немецкой литературы / В. А. Пронин.- М.: Логос, 2007.- 384 с.

УДК

821(4).09

ББК 83.3(4)
Рубрики: Литературоведение
Литература Европы
Кл.слова (ненормированные):
история литературы -- немецкая литература -- рецензии -- учебные пособия

Доп.точки доступа:
Пронин, В. А.; История, немецкой литературы

Найти похожие

621.3
Л 330

Лебедев, А. А.
Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC [Текст] / А. А. Лебедев, В. В. Зеленин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 273-275 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- эпитаксиальные слои -- сублимационная эпитаксия
Аннотация: Эпитаксиальные слои 3C-SiC толщиной до 100 мкм были получены методом сублимационной эпитаксии на гексагональных подложках 6H-SiC. Площадь выращенных слоев составляла 0. 3 - 0. 5 см\{2\}. Максимальные скорости роста достигали 200 мкм/ч. Были получены эпитаксиальные слои n-типа проводимости с концентрацией нескомпенсинованных доноров N[d] - N[a] ~ (10\{17\} - 10\{18\}) см\{-3\}. Рентгеновские исследования показали, что эпитаксиальный слой состоит из политипа 3C-SiC, без включений других политипов. В спектре фотолюминесценции преобладала донорно-акцепторая рекомбинация (Al - N) с энергией максимума полосы h ню ? 2. 12 эВ. Представлен подробный анализ спектра фотолюминесценции, полученного при 6 K. Сделан вывод, что данные эпитаксиальные слои могут быть использованы как подложки для создания приборов на основе 3C-SiC.

Доп.точки доступа:
Зеленин, В. В.; Абрамов, П. Л.; Богданова, Е. В.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Разбирин, Б. С.; Щеглов, М. П.; Трегубова, А. С.; Suvajarvi, M.; Yakimova, R.

Найти похожие

Гальваномагнитные свойства эпитаксиальных пленок 3C-SiC, выращенных на основе подложек гексагонального SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 24. - С. 8-15 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
гальваномагнитные свойства -- эпитаксиальные пленки -- эффект Холла -- Холла эффект
Аннотация: Эпитаксиальные пленки 3C-SiC выращены на основе подложек 6H-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Проведено исследование эффекта Холла и магнетосопротивления данных гетероструктур в диапазоне температур 1. 4-300 K. При гелиевых температурах обнаружено низкое сопротивление образцов и появление отрицательного магнетосопротивления в слабых полях (~1 T). Анализ полученных результатов показывает, что низкое сопротивление, скорее всего, связано с переходом металл-изолятор в эпитаксиальных пленках 3C-SiC.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Агринская, Н. В.; Козуб, В. И.; Кузнецов, А. Н.; Лебедев, С. П.; Оганесян, Г. А.; Сорокин, Л. М.; Черняев, А. В.; Шамшур, Д. В.

Найти похожие

Исследование спектров краевой фотолюминесценции эпитаксиальных пленок n-3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 11. - С. 32-37 : ил. - Библиогр.: с. 37 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.2

^a535.37

ББК 22.37 + 22.345
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные пленки -- фотолюминесценция -- краевая фотолюминесценция -- спектры -- исследование спектров -- кубические политипы -- подложки (физика) -- гексагональные политипы -- структурное совершенство -- низкие температуры -- излучение -- экситоны -- рекомбинация экситонов -- результаты исследований -- кристаллы -- объемные кристаллы
Аннотация: Проведено исследование эпитаксиальных пленок кубического политипа n-3C-SiC, выращенных на основе подложек гексагонального политипа 6H-SiC. Показано, что в пленках с наилучшим структурным совершенством при низких температурах наблюдается излучение, связанное с рекомбинацией связанных экситонов. Проводится сравнение полученных результатов с результатами исследования объемных кристаллов 3C-SiC.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Богданова, Е. В.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Разбирин, Б. С.; Трегубова, А. С.

Найти похожие

О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 12. - С. 71-77 : ил. - Библиогр.: с. 76-77 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- объемные кристаллы -- получение объемных кристаллов -- сублимационная эпитаксия -- 3C-SiC -- структурное совершенство -- эпитаксиальные слои -- политипно-однородные толстые эпитаксиальные слои -- подложки (физика) -- метод Лэли -- Лэли метод
Аннотация: Показана возможность получения политипно-однородных толстых (>100 mum), хорошего структурного совершенства, с диаметром не менее 25 mm эпитаксиальных слоев 3C-SiC на основе подложек 6H-SiC. Подобные слои могут быть использованы в качестве затравок для получения объемных кристаллов 3C-SiC модифицированным методом Лэли.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Зубрилов, А. С.; Богданова, Е. В.; Лебедев, С. П.; Середова, Н. В.; Трегубова, А. С.

Найти похожие

Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках n-3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 337-341

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
подложки гексагонального карбида кремния -- сублимационная эпитаксия -- гальваномагнитные исследования -- гетероструктуры -- магнетосопротивление -- эпитаксиальные структуры
Аннотация: На подложках гексагонального карбида кремния методом сублимационной эпитаксии выращены пленки n-3C-SiC. Проведено исследование низкотемпературной проводимости и магнетосопротивления полученных пленок в зависимости от уровня легирования и структурного качества. Обнаружено, что при концентрациях нескомпенсированных доноров N[d]-N[a] ? 3 •10\{17\} см\{-3\} в слое n-3C-SiC происходит переход металл-диэлектрик.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Агринская, Н. В.; Козуб, В. И.; Кузнецов, А. Н.; Лебедев, С. П.; Оганесян, Г. А.; Трегубова, А. С.; Черняев, А. В.; Шамшур, Д. В.; Скворцова, М. О.

Найти похожие

Исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 785-788 : ил. - Библиогр.: с. 787-788 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- кубический карбид кремния -- слои -- эпитаксиальные слои -- кубические эпитаксиальные слои -- сублимационная эпитаксия -- рентгеновская топография -- рамановская спектроскопия -- вольт-фарадные измерения -- спектроскопия -- 3C-SiC -- подложки -- 15R-SiC
Аннотация: Проведено исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методами рентгеновской топографии и рамановской спектроскопии показано достаточно высокое структурное качество полученных эпитаксиальных слоев. По данным рамановской спектроскопии и вольт-фарадным измерениям установлено, что концентрация электронов в слое 3C-SiC составляет (4-6) х10{18} см{-3}.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Богданова, Е. В.; Зубрилов, А. С.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Середова, Н. В.; Смирнов, А. Н.; Трегубова, А. С.

Найти похожие

10.

539.2
П 535

Получение затравочных кристаллов улучшенного качества для роста объемного карбида кремния [Текст] / М. Г. Мынбаева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 847-851 : ил. - Библиогр.: с. 850 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
затравочные кристаллы -- карбид кремния -- SiC -- метод сублимационной эпитаксии -- сублимационная эпитаксия -- низкодефектные слои -- подложки пластин -- монокристаллические слитки -- метод Лэли -- Лэли метод -- эпитаксиальные слои -- дефекты -- сравнительные исследования -- структурные дефекты
Аннотация: Методом сублимационной эпитаксии в вакууме выращены низкодефектные слои карбида кремния при использовании в качестве подложек пластин SiC, вырезанных из монокристаллических слитков, полученных модифицированным методом Лэли. На основании проведенных сравнительных исследований распределения структурных дефектов в подложках и эпитаксиальных слоях сделан вывод о том, что изоморфная пара эпитаксиальный слой/монокристаллическая подложка SiC, представляющая собой композицию материалов, полученных в рамках одного и того же метода - сублимационного синтеза - но в различающихся технологических условиях, является перспективной для получения затравочных кристаллов карбида кремния улучшенного качества.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p847-851.pdf

Доп.точки доступа:
Мынбаева, М. Г.; Абрамов, П. Л.; Лебедев, А. А.; Трегубова, А. С.; Литвин, Д. П.; Васильев, А. Б.; Чемекова, Т. Ю.; Макаров, Ю. Н.

Найти похожие

11.

37.015
А 161

Абрамов, П. В. (кандидат филологических наук).
Свет личности / рец. П. В. Абрамов // Высшее образование в России. - 2013. - № 5. - С. 157-159. - Рец. на кн.: Б. И. Пуришев - учитель и педагог [Текст] / под ред. В. Н. Ганина, М. И. Никола. - Москва : Изд-во МГОУ, 2013. - 312 с.; Пуришев Б. И. Воспоминания старого москвича [Текст]. - Москва : Флинта; Наука, 1998. . - ISSN 0869-3617

УДК

37.015

ББК 74.03
Рубрики: Образование. Педагогика
История образования
Кл.слова (ненормированные):
педагоги -- германисты -- медиевисты -- филологи -- рецензии

Доп.точки доступа:
Пуришев, Борис Иванович (педагог, германист, медиевист ; 1903-1989); Ганин, В. Н.; Никола, М. И.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)