Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=вторичные ионы<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11

543
К 630

Комаров, С. М.
Самоорганизация ржавчины [Текст] / С. М. Комаров // Химия и жизнь - XXI век. - 2004. - N 10. - Ил.: 5 фот. . - ISSN 1727-5903

УДК

543

ББК 24.4
Рубрики: Химия--Аналитическая химия
Кл.слова (ненормированные):
Fe -- вторичные ионы -- железо -- ржавчина
Аннотация: Ржавчина может оказаться вовсе не бесформенным порошком; порой она способна собираться в структуры, подобные тем, что создают живые существа.

Найти похожие

539.2
К 889

Кудрявцев, Ю.
Зависимость вероятности ионизации распыленных атомов от их энергии [Текст] / Ю. Кудрявцев, С. Гаярдо [и др.]. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 5. - С. 50-53. - Доклад на международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" . - ISSN 0207-3528

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
вторичные ионы -- ионизация распыленных атомов -- распыленные атомы
Аннотация: Рассмотрена модель взаимодействия отлетающего вторичного иона, образовавшегося на критическом расстоянии от поверхности, с зарядом противоположного знака, возникшим на поверхности в процессе образования ионов. Получены уравнения для энергораспределения вторичных ионов и энергозависимости выхода вторичных ионов. Оба соотношения подтверждаются экспериментально.

Доп.точки доступа:
Гаярдо, С.; Вьегас, А.; Рамирес, Г.; Азомоза, Р.; Взаимодействие ионов с поверхностью, международная конференция (Вторичная ответственность)

Найти похожие

539.2
Д 444

Диденко, П. И.
Структурные особенности природного кварца по данным масс-спектрометрии вторичных ионов [Текст] / П. И. Диденко // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 7. - С. 83-86 . - ISSN 0207-3528

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
природный кварц -- масс-спектометрия -- вторичные ионы -- распыление кварца
Аннотация: Методом ВИМС исследована серия образцов природного кварца, отобранных на разных глубинах рудного месторождения и различающихся исходной структурой и дефектностью. На поверхности кристаллов кварца обнаружено существование дефектного слоя. Выход вторичных ионов Si+ из кварца уменьшается на несколько порядков по мере увеличения глубины залегания образцов.

Найти похожие

Кудрявцев, Ю.
Усовершенствованная "статистическая" модель образования вторичных ионов [Текст] / Ю. Кудрявцев, Р. Азомоза // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 11. - С. 6-9. - Библиогр.: c. 9 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a539.107

ББК 22.381
Рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики
Кл.слова (ненормированные):
вторичные ионы -- распыление мишеней -- ионное распыление мишеней -- ионные пучки -- статистические модели -- динамическая температура -- вероятность ионообразования -- ионообразование
Аннотация: Рассмотрена модель образования вторичных ионов при распылении мишени ионным пучком. В основу модели положена так называемая "статистическая модель" образования вторичных ионов на некотором критическом расстоянии от поверхности, предложенная ранее. Введенное нами в предыдущих работах понятие динамической температуры для каскада столкновений, инициированных первичным ионом, а также новое рассмотрение взаимодействия образовавшегося иона с поверхностным зарядом противоположного знака позволило нам получить аналитическое выражение для вероятности ионообразования. Сравнение расчетных данных с экспериментальными значениями показывает хорошее соответствие между ними, что свидетельствует в пользу предложенной нами модели.

Доп.точки доступа:
Азомоза, Р.

Найти похожие

Диденко, П. И.
Динамика радиационных дефектов в приповерхностной области образцов природного кварца при распылении пучком ионов кислорода [Текст] / П. И. Диденко, А. А. Ефремов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 4. - С. 87-94

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
масс-спектрометрия -- вторичные ионы -- бомбардировка ионами -- примесно-дефектная релаксация -- компьютерное моделирование -- процессы распыления
Аннотация: Методом масс-спектрометрии вторичных ионов исследованы образцы природного кварца в режиме остановленной и возобновленной бомбардировки ионами молекулярного кислорода (ионный микрозонд Cameca IMS-4f). При этом один и тот же участок поверхности подвергался ионной бомбардировке через промежутки времени разной продолжительности. Подробный анализ полученных масс-спектров (Si[n]O\{+\}[m], H\{+\}, O\{+\}, OH\{+\}) позволил выявить ряд особенностей “естественной” структурной и примесно-дефектной релаксации как приповерхностного слоя матрицы SiO[2], так и ее объема. Для объяснения эволюции масс-спектров проведено компьютерное моделирование процессов распыления и ионного перемешивания поверхности SiO[2] пучком ионов кислорода в режиме повторной ионной бомбардировки.

Доп.точки доступа:
Ефремов, А. А.

Найти похожие

Анизотропия эмисcии вторичных ионов из монокристалла Ni[4]Mo [Текст] / К. Ф. Миннебаев [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 12. - С. 33-36

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- грани монокристалла -- облучение аргоном -- вторичные ионы -- эмисcия вторичных ионов -- анизотропия эмисcии -- коррелированные соударения
Аннотация: Исследовано распределение по азимутальному и полярному углу вылета ионов Ni\{+\} и Mo\{+\}, эмитированных из упорядоченного монокристалла Ni[4]Mo при облучении его ионами Ar\{+\} с энергией 10 кэВ. Обнаружено различное азимутальное распределение для ионов Ni\{+\} и Mo\{+\}, выходящих с грани (001) Ni[4]Mo: максимумы эмиссии наблюдались в направлениях 011 для Ni\{+\} и в направлениях 001 для Mo\{+\}. Показано, что вид полярных распределений вторичных ионов никеля меняется с его энергией. Полученные закономерности объяснены коррелированными соударениями в верхних слоях монокристалла Ni[4]Mo.

Доп.точки доступа:
Миннебаев, К. Ф.; Еловиков, С. С.; Крюков, К. В.; Хайдаров, А. А.; Юрасова, В. Е.

Найти похожие

Роках, А. Г.
Парадоксы фотопроводящей мишени и оптическое управление выходом вторичных ионов [Текст] : памяти основоположников современных взглядов на фотоэлектричество С. М. Рывкина и А. Роуза посвящаем / А. Г. Роках, М. Д. Матасов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 101-108 : ил. - Библиогр.: с. 107-108 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
основоположники фотоэлектричества -- фотоэлектричество -- кадмий -- халькогениды кадмия -- полупроводники -- фотопроводимость -- фотопроводимые мишени -- вторично-ионный фотоэффект -- ВИФЭ -- спектральные характеристики -- СХ -- экспериментальные исследования -- ионные распыления -- оптоэлектроника -- ваккумная оптоэлектроника -- люкс-амперная характеристика -- ЛАХ -- нанотехнологии -- оптоионика -- ваккумные преобразователи -- вторичные ионы -- выход вторичных ионов -- оптическое управление
Аннотация: Изучение фотопроводимости полупроводников и, в частности, халькогенидов кадмия в качестве материалов для мишеней вакуумных преобразователей изображения шло по пути преодоления парадоксов. Развитые классиками фотоэлектричества взгляды помогают разобраться и в парадоксах нового, вторично-ионного, фотоэффекта, особенно в его спектральной характеристике. Оптический канал управления выходом вторичных ионов открывает через фотопроводящую мишень путь к новой ветви нанотехнологии - оптоионике.

Доп.точки доступа:
Матасов, М. Д.; Рывкин \с. М.\; Роуз \а.\

Найти похожие

539.2
Н 725

Новая альтернатива вторичным ионам CsM{+} для послойного анализа многослойных металлических структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии [Текст] / М. Н. Дроздов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 24. - С. 75-85 : ил. - Библиогр.: с. 84-85 (22 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.2

535.33

ББК 22.37 + 22.344
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Спектроскопия
Кл.слова (ненормированные):
металлические структуры -- многослойные структуры -- анализ структур -- послойный анализ -- результаты анализа -- сопоставление результатов -- ионы -- вторичные ионы -- масс-спектрометрия -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- метод вторично-ионной масс-спектрометрии -- цезий -- ионы цезия -- кислород -- ионы кислорода -- кластерные ионы
Аннотация: Проведено сопоставление результатов послойного анализа многослойных металлических структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии с использованием различных типов регистрируемых вторичных ионов. Впервые показано, что для повышения разрешения по глубине наряду с известными вторичными ионами CsM{+} (M=La, Pd, Mo) могут быть использованы два новых варианта: M{+} при распылении ионами цезия и OM{-} при распылении ионами кислорода. Для многослойных структур Mo/Si использование элементарных вторичных ионов Mo{+} и Si{+} при распылении ионами Cs и зондировании кластерными ионами Bi{+}[3] обеспечивает наилучшее разрешение по глубине.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/24/p75-85.pdf

Доп.точки доступа:
Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Полковников, В. Н.; Стариков, С. Д.; Юнин, П. А.

Найти похожие

543
Е 924

Ефремов, А. А.
Матричные эффекты в масс-спектрах вторичных ионов при распылени кварца ионами молекулярного кислорода [Текст] / А. А. Ефремов, П. И. Диденко, Г. Ф. Романова // Известия РАН. Серия физическая. - 2006. - Т. 70, N 6. - С. 862-866. - Библиогр.: с. 866 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

543

ББК 24.4
Рубрики: Химия
Аналитическая химия
Кл.слова (ненормированные):
матричные эффекты в ионах -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- ионные перемещения -- вторичные ионы -- ВИ -- компьтерное моделирование
Аннотация: Методом ВИМС исследован широкий набор кремний-кислородных матриц.

Доп.точки доступа:
Диденко, П. И.; Романова, Г. Ф.

Найти похожие

10.

537
Д 406

Джемилев, Н. Х.
Эволюция масс- и энергетических распределений вторичных ионов в процессе фрагментации кластеров. [Текст] / Н. Х. Джемилев // Известия РАН. Серия физическая. - 2006. - Т. 70, N 6. - С. 872-878. - Библиогр.: с. 877-878 (24 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
вторичные ионы -- кластерные ионы -- бомбардировка ионами -- фрагментация кластеров -- эмиссия кластеров -- вторичные ионные эмиссии -- ВИЭ
Аннотация: Изучены энергетические распределения ионов Cu{+}[n], Au{+}[n] и Au{+}[n] (n=1-6), полученные при распылении Cu, Ag и Au ионами Xe{+}.

Найти похожие

11.

539.26
И 889

Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов / П. А. Юнин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1580-1585 : ил. - Библиогр.: с. 1584-1585 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.26

621.315.592

ББК 22.361 + 31.233
Рубрики: Физика
   Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
многослойные полупроводниковые структуры -- SiGe/Si -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- РД -- малоугловая рефлектометрия -- метод малоугловой рефлектометрии -- МУР -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- метод вторично-ионной масс-спектрометрии -- масс-спектроскопия вторичных ионов -- вторичные ионы -- матричные эффекты -- рентгеновское излучение -- артефакты ионного распыления -- ионное распыление -- травление -- результаты анализа -- гетероэпитаксиальные структуры
Аннотация: В рамках данной работы проведено исследование многослойной непериодической структуры SiGe/Si методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и вторично-ионной масс-спектрометрии. Особое внимание уделяется обработке измеренного профиля распределения состава в методе вторично-ионной масс-спектрометрии и учету наиболее существенных экспериментальных искажений, создаваемых методом. Предложена методика обработки измеряемого профиля распределения состава с последовательным учетом влияния матричных эффектов, вариации скорости травления и артефактов ионного распыления. Результаты такой обработки сравниваются с моделью структуры, полученной при совместном анализе данных рентгеновской дифрактометрии и малоугловой рефлектометрии. Установлено хорошее соответствие между результатами. Показано, что совместное использование независимых методов позволяет усовершенствовать методики вторично-ионной масс-спектрометрии и малоугловой рефлектометрии применительно к анализу многослойных гетероэпитаксиальных структур, повысить их точность и информативность.
Multilayered nonperiodic SiGe/Si structure is studied by X-ray diffractometry (XRD), grazing incidence X-ray reflectometry (XRR) and secondary ions mass spectrometry (SIMS). Special attention is given to the processing of measured SIMS depth profile and allowance for the most significant experimental distortions of the actual profile. The special method of SIMS profile processing is proposed. It takes into account matrix effects, sputtering rate compositional dependence, and profile broadening induced by ion sputtering. The result of such processing procedure is compared with the model, obtained by joint analysis of the XRD and XRR data. Good correspondence of the SIMS and X-ray analysis data is demonstrated. It is shown that joint use of the independent techniques can improve the relevancy and the accuracy of the multilayered structures analysis.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1580-1585.pdf

Доп.точки доступа:
Юнин, П. А.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Королев, С. А.; Лобанов, Д. Н.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)