Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ВМН<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
63
Г 634

    Гольдфаин, И. И.
    Двусмысленные числа [Текст] / И. И. Гольдфаин // Вопросы истории. - 2002. - N6. - Примеч. С.173 (15 назв.) . - ISSN 0042-8779
ББК 63
Рубрики: История--История СССР
Кл.слова (ненормированные):
20 в. -- ВМН -- НКВД -- армия -- высшая мера наказания -- командный состав -- предвоенные репрессии -- репрессии -- репрессии военнослужащих -- репрессии предвоенные -- состав командный
Аннотация: В статье представлен материал о репрессиях военнослужащих в предвоенные годы в СССР.

Перейти: http://www.rfh.ru/

Найти похожие
2.
621.315.592
В 586

   
    Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au-TiB[x]-Ge-Au-n-n{+}-n{++}- GaAs(InP) [Текст] / А. Е. Беляев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 558-561 : ил. - Библиогр.: с. 561 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
621.315.592^V3
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
омические контакты -- микроволновое облучение -- облучение микроволнами -- микроволны -- арсенид галлия -- GaAs -- фосфид индия -- InP -- температурные зависимости -- экспериментальные исследования -- теоретические исследования -- внутренние механические напряжения -- ВМН -- микроволновое излучение
Аннотация: Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления rho[c] омических контактов Au-TiB[x]-Ge-Au-n-n{+}-n{++} (GaAs) -InP до и после кратковременной (10 с) микроволновой обработки. Показано, что после микроволновой обработки rho[c] может уменьшаться во всем температурном интервале измерений 100-400 K. Получено хорошее согласие экспериментальных и теоретических зависимостей rho[c] (T), объяснение дано в предположении изменения плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, стимулированного микроволновым излучением.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p558-561.pdf

Доп.точки доступа:
Беляев, А. Е.; Саченко, А. В.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Матвеева, Л. А.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Шеремет, В. Н.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)