Петрова, Л. И. Исследование физико-химического взаимодействия в контакте высшего силицида марганца с хромом [Текст] / Л. И. Петрова, Л. Д. Дудкин [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 41 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диффузия -- силицид марганца -- хром Аннотация: Изучены диффузионные процессы, происходящие при контакте высшего силицида марганца (ВСМ - MnSi[1.71-1.75]) с хромом при повышенных температурах. Изучение микроструктуры литых и отожженных образцов показало, что на границе между ВСМ и Cr образуется диффузионная зона еще в процессе кристаллизации расплава ВСМ на чешуйках Cr. При термообработке с увеличением температуры и времени отжига образцов ВСМ-Cr толщина диффузионной зоны увеличивалась и появлялись слои новых фаз. Показано, что диффузия имеет реакционный характер. Рассчитаны коэффициенты диффузии марганца, хрома и кремния в твердом растворе на основе моносилицидов марганца и хрома и в твердом растворе на основе соединения Cr[3]Si. Показано, что при оптимальной рабочей температуре ВСМ в качестве положительной ветви термоэлемента время истощения слоя хрома толщиной 10 mum превышает 15000 h. Интерметаллические фазы, формирующиеся в диффузионной зоне между ВСМ и Cr, обладают металлическим типом проводимости и высокими значениями теплопроводности, что позволяет избежать больших потерь энергии в контактных слоях термоэлементов Доп.точки доступа: Дудкин, Л.Д.; Федоров, М.И.; Соломкин, Ф.Ю.; Зайцев, В.К.; Еремин, И.С. |
539.2 Ф 33 Федоров, М. И. Кинетические свойства твердых растворов p-типа Mg[2]X[0. 4]Sn[0. 6] (X=Si, Ge [Текст] / М. И. Федоров, В. К. Зайцев [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 8. - С. 1402-1406. - Библиогр.: с. 1406 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дырочная подвижность; концентрации дырок; коэффициент Холла; твердые растворы; термоэдс; Холла коэффициент; электропроводность Аннотация: Приведены результаты исследования кинетических свойств твердых растворов Mg[2]X[0. 4]Sn[0. 6], где (X=Si, Ge) . Показано, что возможно получение этих материалов p-типа проводимости с концентрацией дырок до 4*10{19} cm{-3}. Коэффициент Холла, термоэдс и электропроводность измерены в широком интервале температур. Дырочная подвижность в этих твердых растворах меньше подвижности электронов в 2 раза для Mg[2]Si[0. 4]Sn[0. 6] и в 1. 5 раза для Mg[2]Ge[0. 4]Sn[0. 6]. Более перспективными для термоэлектрических применений являются твердые растворы системы Mg[2]Ge - Mg[2]Sn. Доп.точки доступа: Зайцев, В. К.; Еремин, И. С.; Гуриева, Е. А.; Бурков, А. Т.; Константинов, П. П.; Ведерников, М. В.; Самунин, А. Ю.; Исаченко, Г. Н.; Шабалдин, А. А. |
539.2 К 87 Ктиторов, С. А. Термоэлектрическая эффективность кластерных решеток [Текст] / С. А. Ктиторов, В. К. Зайцев, М. И. Федоров // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 10. - С. 1865-1867. - Библиогр.: с. 1867 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): кластерные решетки; кластеры; тепловое сопротивление; теплопроводность; термоэдс; термоэлектрическая эффективность; электрическое сопротивление Аннотация: Получена формула для термоэлектрической эффективности решеток из слабо связанных кластеров. Результат выражен через фундаментальные константы и зависит, таким образом, только от геометрии системы, а не от ее химического состава (в пределах применимости использованного подхода) . Доп.точки доступа: Зайцев, В. К.; Федоров, М. И. |
539.2 П 930 Пшенай-Северин, Д. А. Влияние особенностей зонной структуры на термоэлектрические свойства полупроводника [Текст] / Д. А. Пшенай-Северин, авт. М. И. Федоров // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 9. - С. 1559-1562. - Библиогр.: с. 1562 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): зоны проводимости; относительная подвижность электронов; полупроводники; проводимость; термоэлектрическая эффективность; эффективные массы носителей заряда Аннотация: Теоретически исследуется зависимость термоэлектрических параметров материала со сложной зонной структурой от энергетического положения зон и эффективных масс носителей тока. Указываются оптимальные значения параметров, приводящие к увеличению термоэлектрической добротности. Полученные результаты проиллюстрированы на примере твердых растворов Mg[2]Si-Mg[2]Sn n-типа, в которых сложная структура зоны проводимости является одной из причин повышения термоэлектрической эффективности. Доп.точки доступа: Федоров, М. И. |
Кинетические свойства твердых растворов Mg[2] Six Sn[1-x] p-типа при x0. 4 [Текст] / Г. Н. Исаченко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 9. - С. 1693-1696. - Библиогр.: с. 1696 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- кинетические свойства растворов -- термоэдсы -- электропроводимость растворов -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- термоэлектрические материалы Аннотация: Приведены результаты исследования твердых растворов Mg[2]Si[x]Sn[1-x] (где x=0. 25, 0. 3, 0. 35, 0. 4). Проведены измерения термоэдс, электропроводности и коэффициента Холла в широких интервалах температур (80-700 K) и концентраций носителей тока (от 10{18} до 6 10{20} cm{-3}). На основе этих измерений определены параметры зонной структуры (ширина запрещенной зоны, подвижность дырок, их эффективная масса). Обнаружен сильный рост эффективной массы дырок с ростом их концентрации. Доп.точки доступа: Исаченко, Г. Н.; Зайцев, В. К.; Федоров, М. И.; Бурков, А. Т.; Гуриева, Е. А.; Константинов, П. П.; Ведерников, М. В. |
Пшенай-Северин, Д. А. Влияние межзонного рассеяния на термоэлектрические свойства полупроводников и полуметаллов [Текст] / Д. А. Пшенай-Северин, М. И. Федоров // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 7. - С. 1257-1261. - Библиогр.: с. 1261 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- межзонное рассеяние -- термоэлектрическая эффективность -- полупроводники -- полуметаллы Аннотация: Исследуется влияние межзонного рассеяния на термоэлектрическую эффективность полупроводниковых материалов и полуметаллов. Показано, что учет межзонного рассеяния при наличии двух типов носителей одного знака приводит к уменьшению термоэлектрической эффективности. Если же в материале имеются два типа носителей разных знаков и существует перекрытие зоны проводимости и валентной зоны, как в полуметаллах, то межзонное рассеяние положительно влияет на величину термоэлектрической эффективности. Доп.точки доступа: Федоров, М. И. |
343.132 В 705 Волынская, О. В. (д-р юрид. наук, профессор). Актуальность проблемы процессуальной деятельности следователя по предупреждению преступлений в современных условиях [Текст] / О. В. Волынская, авт. М. И. Федоров // Российский следователь. - 2010. - N 14. - С. 28-32. - Библиогр. в примеч. . - ISSN 1812-3783
Рубрики: Право Органы расследования Криминология Кл.слова (ненормированные): преступления -- следователи -- расследование преступлений -- информация о преступлении -- предварительное расследование -- профилактика преступлений -- доказательственная информация -- досудебное производство -- превентивные меры -- общественное мнение -- тайна следствия Аннотация: На основании исследования опубликованных теоретических и практических материалов сделана попытка обратить внимание на актуальность проблемы процессуальной деятельности следователя по предупреждению преступлений в современных условиях. Доп.точки доступа: Федоров, М. И. |
544.58 Ф 503 Физико-химическое взаимодействие в контакте MnSi[1.71-1.75]/Mo / Л. И. Петрова [и др.] // Неорганические материалы. - 2013. - Т. 49, № 4. - С. 367-371 : 2 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 370-371 (14 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Ядерная химия Кл.слова (ненормированные): теплопроводность -- коэффициент теплового расширения -- метод микроструктурного анализа -- метод микрорентгеноспектрального анализа -- физико-химическое взаимодействие Аннотация: Методами микроструктурного и микрорентгеноспектрального анализов исследованы диффузионные процессы, происходящие при контакте высшего силицида марганца (ВСМ) MnSi[1. 75] с Мо при повышенных температурах. Доп.точки доступа: Петрова, Л. И.; Федоров, М. И.; Зайцев, В. К.; Енгалычев, А. Э. |
536.42 Т 352 Термоэлектрическая эффективность интерметаллида ZnSb / М. И. Федоров [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 448-453 : ил. - Библиогр.: с. 453 (6 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термоэлектрическая эффективность -- акцепторные примеси -- медь -- серебро -- натрий -- результаты исследований -- германий -- олово -- свинец -- интерметаллиды -- антимонид цинка Аннотация: В интерметаллическом полупроводнике ZnSb были приняты во внимание акцепторные примеси элементов I (медь, серебро) и IV групп (свинец, олово, германий). Дополнительное легирование было снабжено небольшим добавлением элементов I группы, которые могут быть сопровождаться образованием акцепторных состояний внутри запрещенной зоны, заполнение которых становится эффективным при высоких температурах. Второй эффект возникает в легированных образцах при температуре около 600 К независимо от состава акцепторных примесей и величины концентрации дырок; в нелегированных образцах он начинается примерно 400K. Этот эффект предшествует поколению собственных носителей. В результате использования двойного легирования были получены материалы с оптимальными термоэлектрическими свойствами в широком диапазоне температур. Для образцов с малой концентрацию Cu термоэлектрической эффективности ZT не было меньше, чем 0, 8 при 600 К и уменьшается только на 10% в диапазоне 575-725K. В образцах, легированных Ag она была больше, чем 0, 9 при 635K. In the intermetallic semiconductor ZnSb two effects of additional increase of Hall concentration were revealed when it was doped with elements of I (copper, silver) and IV (lead, tin, germanium) groups. The fist one was observed in the temperature range of 500-600K in the samples doped with impurities of both mentioned groups. Extra doping was provided with small addition of the element of I group that can be accompanied by the formation of acceptor states inside the band gap, the filling of which becomes efficient at high temperatures. The second effect emerges in the doped samples at the temperature about 600K independently of a composition of acceptor addition and of a magnitude of hole concentration; in undoped sample it starts at about 400K. This effect precedes intrinsic carrier generation. It is possible that intrinsic defects of the material can form localized stated near the conduction band bottom inside the band gap. Using double doping, the materials with optimal thermoelectric properties in the wide temperature range were obtained. For the samples with small Cu concentration the thermoelectric efficiency ZT was not smaller than 0. 8 at 600K and decreased only by 10% in the range of 575-725K. In the samples doped with Ag it was greater than 0. 9 at 635K. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p448-453.pdf Доп.точки доступа: Федоров, М. И.; Прокофьева, Л. В.; Равич, Ю. И.; Константинов, П. П.; Пшенай-Северин, Д. А.; Шабалдин, А. А.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наукСанкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики |
539.2 Л 385 Легирование и дефектообразование в термоэлектрике ZnSb с примесью меди / Л. В. Прокофьева [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 12. - С. 1611-1620 : ил. - Библиогр.: с. 1619 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): легирование -- дефектообразование -- коэффициенты Холла -- Холла коэффициенты -- термоэдс -- электропроводность -- термические циклы -- термоциклы -- носители заряда -- акустические фононы -- заряженные примеси -- термоэлектрики -- термические электрики -- электрики -- микроструктуры -- антимонид цинка -- ZnSb Аннотация: В образцах ZnSb: Cu и ZnSb: CuSb с концентрацией меди до 0. 6 ат% измерены коэффициенты Холла, термоэдс и электропроводности в режиме термоциклов 300-720-300 K. Показано, что поведение свойств определяется существованием двух температурных областей с разным характером изменения холловской концентрации и механизма рассеяния носителей заряда. Поведение заметно осложняется, когда при охлаждении появляется температурный гистерезис, привносящий в изменение свойств дополнительные особенности. Две отмеченные области легирования (с диапазоном 300-500 K и максимальной концентрацией дырок 2. 5 x 10{19} см{-3} и с температурами выше 500 K и максимальной концентрацией 7. 2 x 10{19} см) характеризуются рассеянием с участием как акустических фононов, так и заряженных примесей, при этом относительный вклад последних существенно зависит от состава легирующей добавки, температуры и хода ее изменения; охлаждение образцов до 77 K вызывает сильное снижение холловской подвижности, исчезающее только при ~650 K. Взаимосвязанные процессы легирования и образования с последующей трансформацией дефектов, занимающих нейтральные позиции в решетке, связываются с изменением в микроструктуре образцов. The Hall coefficient, thermopower and electric conductivity were measured under the thermocycling conditions 300-720-300K in ZnSb: Cu and ZnSb: CuSb with the copper concentration up to 0. 6 at. %. It was shown that the material properties were determined by the presence of two temperature regions with different characters of the Hall concentration temperature dependences and the scattering mechanisms of charge carriers. The temperature dependencies were noticeably more complex, when during cooling the temperature hysteresis appeared, that brought additional peculiarities into the change of material properties. Two mentioned doping regions (with the temperature range of 300-500K and maximum hole concentration of 2. 5 x 10{19} cm{-3} and with the temperatures higher than 500K and maximum concentration of 7. 2 x 10{19} cm{-3}) are characterized by the hole scattering on both acoustic phonons and ionized impurities with the relative contribution of the latter appreciably dependent on the composition of the doping additives, the temperature and the course of its change; the cooling of the samples down to 77K leads to the strong decrease of the Hall mobility, that disappeared only at about 650K. The interconnected doping processes and the processes of defect formation with subsequent transformation of the defect, that occupy the neutral positions, were associated with the changes of the microstructure of the samples. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/12/p1611-1620.pdf Доп.точки доступа: Прокофьева, Л. В.; Константинов, П. П.; Шабалдин, А. А.; Пшенай - Северин, Д. А.; Бурков, А. Т.; Федоров, М. И.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |