347.963 У 932 Ушаков, В. В. Роль органов прокуратуры в борьбе с религиозным экстремизмом - идеологической основой терроризма на Северном Кавказе [Текст] / В. В. Ушаков // Прокурорская и следственная практика. - 2004. - N 1/2 . - ISSN XXXX-XXXX
Рубрики: Право--Прокуратура Кл.слова (ненормированные): борьба с терроризмом -- органы прокуратуры -- религиозный экстремизм -- религиозные организации -- прокурорский надзор -- доклады -- международные семинары Аннотация: Противодействие экстремистской деятельности в Южном Федедеральном округе. |
621.3 У 932 Ушаков, В. В. Микрофотолюминесценция нелегированного теллурида кадмия, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов [Текст] / В. В. Ушаков, авт. Ю. В. Клевков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 140-143 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): кристаллы CdTe -- CdTe -- теллурид кадмия -- фотолюминесценция Аннотация: Методом микрофотолюминесцентного спектрального анализа и имиджинга исследованы свойства нелегированного CdTe, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов. Несмотря на весьма значительное увеличение скорости кристаллизации, большая интенсивность краевой полосы с разрешением спектроскопических деталей внутри ее контура при температурах ~100 K свидетельствовала о высоком качестве кристаллического материала с размером монокристаллических зерен до 0. 5 мм. Люминесцентные топограммы исследованных образцов напоминали по форме топограммы кристаллов, выращенных квазиравновесными методами, однако механизм сегрегации примесей на межзеренных границах в исследованных кристаллических структурах не был связан с диффузионными процессами, а имел иную природу. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В. |
621.315.592 У 932 Ушаков, В. В. Y- и Z-люминесценция поликристаллического теллурида кадмия, полученного неравновесной реакцией прямого синтеза компонентов [Текст] / В. В. Ушаков, авт. Ю. В. Клевков // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С. 536-541 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): микрофотолюминисцентные методы -- теллурид кадмия -- имиджинг -- экситоны Аннотация: Микрофотолюминесцентными методами спектрального анализа и топографии исследованы свойства поликристаллического CdTe с размером зерен 10-20 мкм, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов при низкой температуре. Присутствие в спектрах Y- и Z-полос отражало явный неравновесный характер процессов кристаллизации. Определенные в данной работе сверхлинейные зависимости интенсивности этих полос от уровня межзонного возбуждения, необычно слабое электрон-фононное взаимодействие, а также данные монохроматической микролюминесцентной топографии соответствуют представлению об излучении экситонов на различных протяженных дефектах с делокализацией связывающего потенциала (элементах дислокаций, двойниковых ламелях, дефектах упаковки), генерируемых в исследованных образцах концентрационными и термическими флуктуациями на ростовой поверхности вследствие динамических неустойчивостей в паровой фазе в зоне кристаллизации. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В. |
Формирование и оптические свойства полупроводниковых нанокристаллов CdSSe в матрице силикатного стекла [Текст] / В. В. Ушаков [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 10. - С. 2036-2040. - Библиогр.: с. 2040 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- полупроводниковые кристаллы -- силикатные стекла -- оптические свойства нанокристаллов -- кристаллические структуры полупроводников -- легирование кристаллов -- получение нанокристаллов -- стекла Аннотация: Определены технологические режимы, обеспечивающие формирование в матрице силикатного стекла полупроводниковых кристаллитов CdS[x]Se[1-x] размером 2-8 nm. По мере увеличения температуры формирующего отжига их размер увеличивается без изменения кристаллической структуры и состава. Коротковолновый сдвиг края оптического поглощения свидетельствовал о влиянии размерного квантования на энергетическую структуру нанокристаллов. Интенсивная люминесценция образцов представляет излучательные переходы с участием дефектов на интерфейсе полупроводниковый нанокристалл-силикатная матрица либо внутренних дефектов нанокристаллов. Доп.точки доступа: Ушаков, В. В.; Аронин, А. С.; Караванский, В. А.; Гиппиус, А. А. |
Служба практической психологии в техническом вузе [Текст] = Practical psychology department at technical university / В. В. Ушаков [и др. ] // Высшее образование в России. - 2010. - N 11. - С. 58-65. - Библиогр.: с. 65 (5 назв. ) . - ISSN 0869-3617
Рубрики: Образование. Педагогика Высшее профессиональное образование--Россия, 21 в. нач. Кл.слова (ненормированные): вузы -- высшие учебные заведения -- учебно-воспитательный процесс -- технические вузы -- служба практической психологии -- профессиональная подготовка -- профессиональная компетентность -- компетентность -- социально-личностная компетентность Аннотация: Описана деятельность службы практической психологии в техническом вузе, представлены результаты функционирования службы в научно-исследовательской, информационно-просветительской и практической деятельности Московского автомобильно-дорожного государственного технического университета. Доп.точки доступа: Ушаков, В. В. (профессор; проректор); Федоров, И. В. (профессор; заведующий кафедрой); Абдулаева, В. М. (доцент); Федосеева, А. М. (доцент); Московский автомобильно-дорожный государственный технический университет; МАДИ |
Ушаков, В. В. Y- и Z-люминесценция поликристаллического теллурида кадмия [Текст] / В. В. Ушаков, Ю. В. Клевков // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 11. - С. 2195-2200. - Библиогр.: с. 2200 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия -- спектральный анализ -- топография Аннотация: Микрофотолюминесцентными методами спектрального анализа и топографии исследованы свойства поликристаллического CdTe с размером зерен 5-30 мюm, полученного методом прямого синтеза в потоке паров компонентов при низкой температуре. Доминирование в спектрах Y- и Z-полос отражало неравновесный характер процессов кристаллизации. Сверхлинейные зависимости интенсивностей излучения от уровня межзонного возбуждения свидетельствуют об экситонной природе этих переходов. Данные монохроматической топографии указывают на различную материальную основу Y- и Z-дефектов. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В. |