539.2 М 91 Мустафаева, С. Н. Проводимость по локализованным состояниям в монокристалле твердого раствора TlGa (0. 5) Fe (0. 5) Se (2 [] / С. Н. Мустафаева, Э. М. Керимова, А. И. Джаббарлы // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 2. - С. 208-209. - Библиогр.: с. 209 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): галлий; диэлектрики; естественные слои; железо; локализованные состояния; монокристаллы; перескоковая проводимость; полупроводники; поля; проводимость; растворы; селен; слои; таллий; твердые растворы; электрические поля Аннотация: Установлено, что в температурной области 128-178 К в слоистом монокристалле твердого раствора TlGa (0. 5) Fe (0. 5) Se (2) вдоль его естественных слоев в постоянном электрическом поле имеет место перескоковая проводимость с переменной длиной прыжка по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Доп.точки доступа: Керимова, Э. М.; Джаббарлы, А. И. |
539.2 М 91 Мустафаева, С. Н. Фотоэлектрические и рентгендозиметрические свойства монокристаллов TlGaS[2]{Yb} [Текст] / С. Н. Мустафаева // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 11. - С. 1937-1945. - Библиогр.: с. 1945 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): амплитуда фототока; галлий; иттербий; легирование иттербием; монокристаллы; примесный фототок; рентгендозиметрические свойства; спектральная чувствительность; спектры; фототок; фотоэлектрические свойства; чувствительность Аннотация: В результате изучения фотоэлектрических свойств монокристаллов TlGa[1-x]Yb[x]S[2] (x=0, 0. 01) установлено, что частичное замещение галлия иттербием приводит к увеличению сопротивления полученных образцов, смещению максимума собственного фототока в длинноволновую область спектра, существенному расширению области спектральной чувствительности и увеличению амплитуды примесного фототока. |
Мустафаева, С. Н. Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристалле TlS [Текст] / С. Н. Мустафаева, М. М. Асадов, А. А. Исмаилов // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 11. - С. 1958-1960. - Библиогр.: с. 1960 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): перенос заряда -- моносульфид таллия -- слоистые монокристаллы -- проводимость -- прыжковая проводимость Аннотация: Обнаружено, что при температурах T< = 230 K в монокристаллах TlS поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле имеет место прыжковая прводимость с переменной длиной прыжка. В области низких температур и сильных электрических полей в монокристаллах TlS установлено наличие безактивационной прыжковой проводимости. Доп.точки доступа: Асадов, М. М.; Исмаилов, А. А. |
Мустафаева, С. Н. Влияние gamma-облучения на диэлектричеcкие свойства и проводимость монокристалла TlI[n]S[2] [Текст] / С. Н. Мустафаева, М. М. Асадов, А. А. Исмайлов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 11. - С. 2140-2143. - Библиогр.: с. 2143 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- диэлектрические свойства монокристаллов -- проводимость монокристаллов -- диэлектрические дисперсии -- gamma-облучения -- облучения gamma -- полупроводники -- сегнетоэлектрики Аннотация: Изучено влияние gamma-облучения на диэлектрические свойства и ac-проводимость слоистого монокристалла TlI[n]S[2] в диапазоне частот 5 104-3. 5 107 Hz. Показано, что gamma-облучение монокристалла TlI[n]S[2] дозой 104-2. 25 106 rad приводит к существенному увеличению тангенса угла диэлектрических потерь tgdelta, действительной varepsilon штрих и мнимой varepsilon два штриха составляющих комплексной диэлектрической проницаемости и ac-проводимости sigmaac поперек слоев. Установлено, что в TlI[n]S[2] при всех дозах gamma-облучения имеют место потери на электропроводность вплоть до 107 Hz, после чего начинают проявляться релаксационные потери. Облучение монокристалла TlI[n]S[2] приводило к увеличению дисперсии tgdelta, varepsilon' и varepsilon''. Показано, что по мере накопления дозы gamma-облучения в монокристалле TlInS2 плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми NF увеличивается (от 5. 2 1018 до 1. 9 1019 eV-1 cm{-3}). Доп.точки доступа: Исмайлов, А. А.; Асадов, М. М. |
537.311.33 М 917 Мустафаева, С. Н. Рентгенодозиметрические характеристики монокристаллов CdIn[2]S[4]Cu [Текст] / С. Н. Мустафаева, М. М. Асадов, Д. Т. Гусейнов // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 1. - С. 144-147. - Библиогр.: c. 147 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): рентгенопроводимость -- легирование -- рентгенодетекторы -- рабочее напряжение питания -- рентгеноток -- рентгеновское излучение -- высокоомные полупроводники -- кадмоиндит -- монокристаллы Аннотация: В результате изучения влияния легирования медью (3 mol. %) на рентгенодозиметрические характеристики монокристаллов CdIn[2]S[4] установлено, что характеристические коэффициенты рентгенопроводимости образцов CdIn[2]S[4] Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/01/p144-147.pdf Доп.точки доступа: Асадов, М. М.; Гусейнов, Д. Т. |
621.315.592 М 917 Мустафаева, С. Н. Влияние частоты на электрические и диэлектрические свойства монокристаллов ( TlGaS[2]) [1] _[х] (TlInSe[2]) [x] (х = 0. 005, 0. 02) [Текст] / С. Н. Мустафаева // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 2. - С. 145-148 : Рис. 4, табл. 1. - Библиогр.: с. 148 (8 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): дисперсия -- диэлектрическая проницаемость -- монокристаллы -- плотность -- релаксационная дисперсия -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- частотная дисперсия -- энергетический разброс -- диэлектрические коэффициенты Аннотация: Об изучении электрических и диэлектрических свойств монокристаллов ( TlGaS[2]) [1] _[х] (TlInSe[2]) [x] и влияния их состава на эти свойства. |
621.315.592 М 917 Мустафаева, С. Н. Рентгенодозиметрические свойства монокристаллов CdGa[2]S[4], выращенных из газовой фазы [Текст] / С. Н. Мустафаева, М. М. Асадов, Д. Т. Гусейнов // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, N 6. - С. 663-665 : Рис. 4. - Библиогр.: с. 665 (3 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- рентгенодозиметрические свойства -- дозы излучения -- коэффициент рентгеночувствительности -- газотранспортные реакции Аннотация: Монокристаллы CdGa[2]S[4] выращены из синтезированного соединения методом химических транспортных реакций в замкнутом объеме с использованием иода в качестве носителя. Изучены рентгенодозиметрические свойства монокристалла CdGa[2]S[4] и показано, что их коэффициент рентгеночувствительности варьируется в пределах K = 1. 26 х 10{-11}-1. 39 х 10{-10} А мин/ (В Р) при эффективной жесткости излучения Ua = 25-50 кэВ c мощностью дозы Е = 0. 75-78. 05 Р/мин. Доп.точки доступа: Асадов, М. М.; Гусейнов, Д. Т. |
539.2 В 586 Влияние ионизирующего излучения на диэлектрические характеристики монокристаллов TlInSe[2] и TlGaTe[2] [Текст] / А. У. Шелег [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 3. - С. 443-445. - Библиогр.: с. 445 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): температурная зависимость -- электропроводность -- диэлектрическая проницаемость -- кристаллы Аннотация: Приведены результаты исследования температурной зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости кристаллов соединений TlInSe[2] и TlGaTe[2], необлученных и облученных электронами с энергией 4 MeV дозой 10{16} cm{-2}. Установлено, что облучение электронами приводит к уменьшению значений удельной электропроводности сигма и диэлектрической проницаемости эпсилон во всей исследованной области температур (90-320 K). Обнаружено, что в монокристаллах TlInSe[2] и TlGaTe[2] имеет место характерная для этого типа кристаллов последовательность фазовых переходов, проявляющаяся на температурных зависимостях сигма = f (T) и эпсилон = f (T) в виде аномалий. Облучение кристаллов электронами дозой 10{16} cm{-2} не влияет на температуры фазовых переходов исследованных кристаллов. Доп.точки доступа: Шелег, А. У.; Гуртовой, В. Г.; Мустафаева, С. Н.; Керимова, Э. М. |
539.2 А 670 Анизотропия проводимости цепочечного монокристалла TlGaTe[2] под гидростатическим давлением [Текст] / С. Н. Мустафаева [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 1. - С. 43-45. - Библиогр.: с. 45 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): анизотропия проводимости -- цепочечные монокристаллы -- гидростатическое давление -- барические зависимости -- температурные зависимости Аннотация: Изучены барические и температурные зависимости степени анизотропии проводимости цепочечных монокристаллов TlGaTe[2]. Установлено, что с помощью подбора значений температуры и давления можно управлять степенью анизотропии проводимости TlGaTe[2]. Определены температуры (216, 193 и 77 K) и соответствующие им давления (0, 0. 31 и 0. 71 GPa), при которых проводимость монокристалла TlGaTe[2] становится изотропной. Доп.точки доступа: Мустафаева, С. Н.; Гасымов, Ш. Г.; Керимова, Э. М.; Асадов, М. М. |
539.2 Д 508 Диэлектрические характеристики и фазовые переходы в твердых растворах Tl(InS[2])[1-x](FeSe[2])[x] [Текст] / А. У. Шелег [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 3. - С. 567-570. - Библиогр.: с. 569-570 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диэлектрические характеристики -- фазовые переходы -- твердые растворы -- электропроводность -- кристаллы Аннотация: Приведены результаты исследования зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости кристаллов Tl (InS[2]) [1-x] (FeSe[2]) [x] от состава и температуры. Установлено, что с увеличением x значения диэлектрической проницаемости уменьшаются, а электропроводности - увеличиваются. Обнаружено, что в кристаллах Tl (InS[2]) [1-x] (FeSe[2]) [x] имеет место характерная для TlInS[2] последовательность фазовых переходов, проявляющаяся в виде аномалий на температурных зависимостях. Показано, что с ростом значений x температуры фазовых переходов уменьшаются, а температурная область существования несоразмерной фазы несколько увеличивается. Доп.точки доступа: Шелег, А. У.; Гуртовой, В. Г.; Мустафаева, С. Н.; Керимова, Э. М.; Шевцова, В. В. |
539.2 В 586 Влияние ионизирующего излучения на диэлектрические характеристики монокристаллов TlInS[2] и TlGaS[2] [Текст] / А. У. Шелег [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 9. - С. 1754-1757. - Библиогр.: с. 1757 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ионизирующее излучение -- диэлектрические характеристики -- монокристаллы -- электропроводность -- облучение -- электронные пучки Аннотация: Исследованы зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности монокристаллов TlInS[2] и TlGaS[2] от температуры и дозы облучения электронным пучком. Установлено, что облучение электронами с ростом дозы приводит к значительному увеличению значений удельной электропроводности сигмa и уменьшению диэлектрической проницаемости эпсилон во всей исследованной области температур (80-320 K). Показано, что на температурных зависимостях сигмa=f (T) и эпсилон=f (T) в областях характерных для TlInS[2] фазовых переходов наблюдаются аномалии в виде максимумов. Облучение кристаллов TlInS[2] и TlGaS[2] электронами дозой 10{15} и 10{16} cm{-2} не приводит к изменению температур фазовых переходов в них. Построены дисперсионные кривые диэлектрической проницаемости эпсилон кристалла TlGaS[2]. Доп.точки доступа: Шелег, А. У.; Гуртовой, В. Г.; Шевцова, В. В.; Мустафаева, С. Н.; Керимова, Э. М. |
544.34 Д 440 Диаграмма состояния системы TlGaS[2]-TlFeS[2] и ширина запрещенной зоны монокристаллов TlGa[1 – х]Fe[х]S[2] (0 x 0.01) / С. Н. Мустафаева [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 10. - С. 1110-1113 : 3 рис. - Библиогр.: с. 1113 (3 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Химическое равновесие Кл.слова (ненормированные): диаграмма состояния -- монокристаллы -- твердые растворы -- квазибинарная система -- фазовая диаграмма Аннотация: Построена Т–х-фазовая диаграмма системы TlGaS[2]-TlFeS[2] эвтектического типа с координатами эвтектики 953 К и 80 мол. % TlFeS[2]. Установлено существование ограниченных твердых растворов на основе исходных тройных соединений с моноклинной сингонией. Доп.точки доступа: Мустафаева, С. Н.; Асадов, М. М.; Кязимов, С. Б.; Гасанов, Н. З. |