Влияние параметров узкозонных включений на тип и величину вторично-ионного фотоэффекта в гетерофазных фотопроводниках [Текст] / С. В. Стецюра [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1102-1108 : ил. - Библиогр.: с. 1107-1108 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэффекты -- вторично-ионные фотоэффекты -- ВИФЭ -- типы -- величины -- фотопроводники -- гетерофазные фотопроводники -- твердые растворы -- пересыщенные твердые растворы -- распад -- технология Ленгмюра-Блоджетт -- технология ЛБ -- Ленгмюра-Блоджетт технология -- ЛБ технология -- узкозонные включения -- преципитаты -- масс-спектрометрия -- масс-спектры -- масс-спектрометрический метод -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- математическое моделирование -- распыление -- глубина распыления -- корреляция -- экспериментальные данные -- сульфид кадмия -- Cds -- сульфид свинца -- PbS Аннотация: Применение технологии Ленгмюра-Блоджетт при получении гетерофазных поликристаллических пленочных образцов CdS-PbS позволило определить параметры образованных в результате распада пересыщенного твердого раствора CdS и PbS узкозонных преципитатов PbS с использованием методов анализа масс-спектров и математического моделирования. Обнаружена корреляция между размерами преципитатов и величиной вторично-ионного фотоэффекта. На основе экспериментальных данных и результатов моделирования предлагается объяснение впервые обнаруженной смены типа вторично-ионного фотоэффекта с увеличением глубины распыления. Сделан вывод о нелинейной зависимости вторично-ионного фотоэффекта от размеров преципитатов PbS и о существовании минимального среднего размера преципитата, при котором наблюдается влияние узкозонных включений PbS на тип вторично-ионного фотоэффекта. Доп.точки доступа: Стецюра, С. В.; Маляр, И. В.; Сердобинцев, А. А.; Климова, С. А. |
539.21:535 С 585 Создание микронных областей с измененными люминесцентными свойствами и топологией на пленках CdS[x]Se[1-x] посредством лазерного отжига [Текст] / Д. Н. Браташов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 12. - С. 45-52 : ил. - Библиогр.: с. 52 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Люминесценция Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- поликристаллические пленки -- тонкие пленки -- лазерный отжиг -- люминесцентные свойства -- изменение люминесцентных свойств -- микронные области -- создание микронных областей -- топологические рельефы -- микронная точность областей -- физические свойства -- полупроводниковые датчики Аннотация: Проведен лазерный отжиг тонких поликристаллических пленок твердых растворов CdS[x]Se[1-x], имеющий пороговый характер и сопровождающийся скачкообразным изменением люминесцентных свойств материала в области отжига. Образуемый в результате локального лазерного отжига топологический рельеф и возможность создания на заданном участке с микронной точностью областей с резко отличающимися физическими свойствами делает разработку перспективной для производства матриц полупроводниковых датчиков. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/12/p45-52.pdf Доп.точки доступа: Браташов, Д. Н.; Климова, С. А.; Сердобинцев, А. А.; Маляр, И. В.; Стецюра, С. В. |
536.42 М 219 Маляр, И. В. Формирование люминесцирующих кристаллитов в результате распада пересыщенного твердого раствора PbS-CdS [Текст] / И. В. Маляр, М. Д. Матасов, С. В. Стецюра // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 16. - С. 42-50 : ил. - Библиогр.: с. 49-50 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- пересыщенные твердые растворы -- распад растворов -- кристаллиты -- наноразмерные кристаллиты -- люминесцирующие кристаллиты -- формирование кристаллитов -- узкозонные включения -- гетерофазные материалы -- широкозонные материалы -- отжиг материалов -- режимы отжига -- температурные режимы -- люминесцентные свойства -- изменение свойств -- спектры -- люминесцирующие участки -- катодолюминесценция -- карты катодолюминесценции -- фазовые составы -- оже-спектроскопия Аннотация: Показана возможность создания наноразмерных кристаллитов CdS на поверхности узкозонных включений при определенных температурных режимах отжига гетерофазного материала на основе широкозонного материала CdS с узкозонными включениями Pb[x]Cd[1-x]S (x не менее 0. 94). Выявлено изменение люминесцентных свойств материала в видимой области спектра, показано изменение в распределении люминесцирующих участков на картах катодолюминесценции. Процессы, приводящие к подобным изменениям в фазовом составе, описаны с использованием данных оже-спектроскопии. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/16/p42-50.pdf Доп.точки доступа: Матасов, М. Д.; Стецюра, С. В. |
621.315.592 М 219 Маляр, И. В. Влияние морфологии и состава фаз поверхности на радиационную стойкость гетерофазного материала CdS-PbS [Текст] / И. В. Маляр, авт. С. В. Стецюра // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 916-921 : ил. - Библиогр.: с. 921 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сульфид кадмия -- CdS -- фоточувствительные материалы -- CdS-PbS -- сканирующая электронная микроскопия -- метод сканирующей электронной микроскопии -- оже-спектроскопия -- радиационная стойкость -- сульфид свинца -- PbS -- морфология поверхности (физика) -- температура отжига -- кристаллиты -- гетерофазные материалы Аннотация: В результате комплексного исследования гетерофазного фоточувствительного материала CdS-PbS с помощью методов сканирующей электронной микроскопии и оже-спектрометрии была обнаружена зависимость радиационной стойкости указанного материала от морфологии и состава фаз на его поверхности. Показано, что с ростом температуры отжига происходит рост скоплений с преимущественным содержанием PbS и изменение их состава вследствие реакции замещения атомов серы атомами кислорода. Последний из указанных процессов приводит к снижению радиационной стойкости гетерофазного фоточувствительного материала CdS-PbS, что объясняется снижением геттерирования ввиду возникновения промежуточного оксидированного слоя между PbS и CdS. Рост размеров и числа сферических скоплений на поверхности, состоящих из кристаллитов с преимущественным содержанием PbS, приводит к увеличению радиационной стойкости. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p916-921.pdf Доп.точки доступа: Стецюра, С. В. |
535.2/.3 М 219 Маляр, И. В. Влияние освещения на параметры полимерного покрытия, осаждаемого из раствора на полупроводниковую подложку / И. В. Маляр, S. Santer, С. В. Стецюра // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 14. - С. 69-76 : ил. - Библиогр.: с. 75-76 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): полимерные покрытия -- влияние освещения -- поликатионные молекулы -- полиэтилен -- полупроводниковые подложки -- полиэтиленимин -- шероховатости -- интегральная толщина -- органические покрытия -- электронная проводимость Аннотация: Обнаружено и исследовано влияние освещения на толщину и шероховатость монослоев из поликатионных молекул полиэтиленимина, осаждаемых из раствора на кремниевые подложки. Освещение с длиной волны из области собственного поглощения подложки во время адсорбции полиэтиленимина приводило одновременно к снижению шероховатости и интегральной толщины органического покрытия на кремниевых подложках с электронным и дырочным типами проводимости. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/14/p69-76.pdf Доп.точки доступа: Santer, S.; Стецюра, С. В. |