Ионычев, В. К. Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов [Текст] / В. К. Ионычев, А. Н. Ребров // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 980-984 : ил. - Библиогр.: с. 984 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды -- кремниевые диоды -- лавинные диоды -- эпитаксиальные диоды -- глубокие центы -- ГК -- микроплазменные каналы -- микроплазмы -- микроплазменные пробои -- пробои микроплазмы -- p-n переходы -- область пространственного заряда -- ОПЗ Аннотация: Проведено исследование статистической задержки пробоя микроплазмы в кремниевых эпитаксиальных p-n-переходах. Показано, что при изменении зарядового состояния глубоких центров снижением напряжения на p-n-переходе статистическая задержка микроплазменного пробоя позволяет определять параметры глубоких центров. В температурном диапазоне 100-220 K обнаружено четыре глубоких уровня, и определены их параметры. Доп.точки доступа: Ребров, А. Н. |