539.2 Х 694 Ходорковский, М. А. Пленки фуллерена с высокой лазерной устойчивостью [Текст] / М. А. Ходорковский, С. В. Мурашов [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - Библиогр.: c. 123 (24 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): фуллерены -- лазерное облучение -- фазовый состав -- лазерная устойчивость Аннотация: Проведено исследование влияния лазерного воздействия на фазовый состав тонких пленок фуллерена. С помощью метода комбинационного рассеяния показано, что пленки фуллерена, нанесенные с использованием сверхзвукового молекулярного пучка, сохраняют структуру фуллеренов при плотности мощности, в сотни раз большей, чем пленки, нанесенные методом термического осаждения. Возможной причиной лазерной устойчивости является быстрая полимеризация пленок с образованием линейных и многомерных структур. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/ Доп.точки доступа: Мурашов, С. В.; Артамонова, Т. О.; Шахмин, А. Л.; Беляева, А. А.; Давыдов, В. Ю. |
539.2 С 50 Смирнов, М. Б. Колебательные спектры сверхрешеток AlN/GaN: теория и эксперимент [] / М. Б. Смирнов, С. В. Карпов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 4. - С. 716-727. - Библиогр.: с. 727 (23 назв. ). - Теория и эксперимент . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): колебательные состояния; колебательные спектры; комбинационное рассеяние; моделирование; низкоразмерные системы; рассеяние; сверхрешетки; слоистые сверхрешетки; спектры; спектры рассеяния Аннотация: В результате численного моделирования динамики слоистых сверхрешеток AlN/GaN установлена микроскопическая природа колебательных состояний, соответствующих наиболее интенсивным полосам в спектрах комбинационного рассеяния. Доп.точки доступа: Карпов, С. В.; Давыдов, В. Ю.; Смирнов, А. Н.; Заварин, Е. Е.; Лундин, В. В. |
539.2 К 50 Клочихин, А. А. Флуктуации состава в изотопических твердых растворах [Текст] / А. А. Клочихин, В. Ю. Давыдов, Е. Р. Сеель // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 1. - С. 43-51. - Библиогр.: с. 51 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): изотопические твердые растворы; колебательные спектры; рамановские спектры; спектральные линии рамановских спектров; твердые растворы; упругое рассеяние фононов; уширение спектральных линий; флуктуации состава Аннотация: Исследуется влияние флуктуаций состава изотопических твердых растворов на сдвиг частот и уширение спектральных линий рамановских спектров. Прослеживается зависимость уширения линии оптического фонона от состава во всем диапазоне концентраций бинарного твердого раствора. Показано, что уширение обусловлено упругим рассеянием фононов на флуктуациях состава. Определены тип, размер и число флуктуаций, ответственных за рассеяние, а также зависимость этих величин от концентрации компонентов твердого раствора. Доп.точки доступа: Давыдов, В. Ю.; Сеель, Е. Р. |
Поверхностные состояния на границе раздела n-InN-электролит [Текст] / А. А. Гуткин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 12. - С. 1448-1451
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): InN -- поверхностные состояния -- МДП структуры -- металл-диэлектрик-полупроводник -- дифференциальная емкость контакта -- электролиты -- распределение Гаусса -- Гаусса распределение Аннотация: Исследованы зависимости дифференциальной емкости контакта электролит-n-InN (0001) от напряжения смещения. Их анализ на основе модели, аналогичной модели МДП структуры, показывает, что энергетический спектр поверхностных состояний InN выше дна зоны проводимости может быть представлен в виде двух относительно узких полос глубоких уровней, которые могут быть описаны распределением Гаусса. Указаны параметры этих полос. Доп.точки доступа: Гуткин, А. А.; Рудинский, М. Э.; Брунков, П. Н.; Клочихин, А. А.; Давыдов, В. Ю.; Chen, H. - Y.; Gwo, S. |
Давыдов, В. Ю. Разлет продуктов детонации флегматизированного гексогена и его смесей с дисперсным алюминием [Текст] / В. Ю. Давыдов // Химическая физика. - 2008. - Т. 27, N 8. - С. 57-60. - Библиогр.: c. 60 (12 назв. ) . - ISSN 0207-401Х
Рубрики: Физика Распространение звука Кл.слова (ненормированные): медные трубки -- детонация -- разлет продуктов детонации -- флегматизированный гексоген -- гексоген -- дисперсный алюминий -- алюминий Аннотация: Методом оптической съемки проведено измерение скоростей разлета продуктов детонации при их разлете в осевом и радикальном направлениях для флегматизированного гексогена и его смесей с дисперсным алюминием. |
Резонансное рамановское рассеяние и дисперсия полярных оптических и акустических фононов в гексагональном InN [Текст] / В. Ю. Давыдов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 170-179 : ил. - Библиогр.: с. 179 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансное рамановское рассеяние -- дисперсия -- фононы -- полярные фононы -- оптические фононы -- акустические фононы -- волновые векторы -- колебательные спектры -- энергия -- центрозонные энергии -- зоны Бриллюэна -- Бриллюэна зоны Аннотация: Показано, что исследование зависимости примесного резонансного рамановского рассеяния 1-го порядка от частоты возбуждающего света позволяет наблюдать дисперсию полярных оптических и акустических ветвей колебательного спектра гексагонального InN в широкой области волновых векторов. Установлено, что величины волновых векторов возбуждаемых фононов однозначно связаны с энергией возбуждающего фотона. Проведены измерения частот продольных оптических фононов E[1] (LO) и A[1] (LO) гексагонального InN при изменении энергии возбуждающего света в диапазоне от 2. 81 до 1. 17 эВ и продольных акустических фононов - в диапазоне от 2. 81 до 1. 83 эВ. Полученные зависимости позволили экстраполировать дисперсии фононов A[1] (LO) и E[1] (LO) вплоть до точки Gamma зоны Бриллюэна и оценить центрозонные энергии этих ветвей, величины которых до сих пор не установлены однозначно. Доп.точки доступа: Давыдов, В. Ю.; Клочихин, А. А.; Смирнов, А. Н.; Страшкова, И. Ю.; Крылов, А. С.; Lu Hai; Schaff, William J.; Lee, H. -M.; Hong, Y. -L.; Gwo, S. |
539.2 О-754 Особенности спектров рамановского рассеяния нитевидных кристаллов на основе соединений A[3]B[5] [Текст] / С. В. Карпов [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 7. - С. 1359-1366. - Библиогр.: с. 1365-1366 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рамановские спектры -- нитевидные нанокристаллы -- нановискеры -- сфалериты -- вюрцитная фаза Аннотация: Исследованы рамановские спектры нитевидных нанокристаллов (нановискеров) GaAs, выращенных на различных подложках и различающихся содержанием сфалеритной и вюрцитной фаз. Особое внимание уделено проявлению структурных особенностей в спектрах рассеяния нановискеров. Установлено, что для нановискеров характерны как случайные включения нановискеров в структуру сфалерита, так и непрерывный рост в вюрцитной фазе. Интерпретация спектра рассеяния согласуется с представлением о сложении дисперсионных зависимостей сфалерита при переходе к структуре вюрцита, что приводит к переводу краезонных мод в точке L в центрозонные моды структуры вюрцита и, как следствие, к появлению ряда новых фундаментальных мод разной симметрии. По спектрам рамановского рассеяния установлено появление в узких слоях нитевидных нанокристаллов гексагонального политипа 4H из-за случайной укладки гексагональных слоев. Сосуществование сфалеритной и вюрцитной фаз в нитевидных нанокристаллах GaAs полностью коррелирует со спектрами фотолюминесценции, полученными на тех же образцах. Доп.точки доступа: Карпов, С. В.; Новиков, Б. В.; Смирнов, М. Б.; Давыдов, В. Ю.; Смирнов, А. Н.; Штром, И. В.; Цырлин, Г. Э.; Буравлев, А. Д.; Самсоненко, Ю. Б. |
537.534 О-232 Образование и распад нитридов под действием ионных пучков [Текст] / В. М. Микушкин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 5. - С. 645-651. - Библиогр.: c. 651 (35 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): оже-электронная спектроскопия -- нитриды -- узкозонные нитриды -- ионные пучки -- нитридизация -- образование нитридов -- распад нитридов -- химические процессы Аннотация: Методом оже-электронной спектроскопии исследованы химические процессы образования и распада узкозонных нитридов InN и GaAs[1-x]N[x] под действием ионных пучков. Доп.точки доступа: Микушкин, В. М.; Брызгалов, В. В.; Гордеев, Ю. С.; Давыдов, В. Ю. |
536.42 Э 455 Электронно-лучевая модификация параметров фазового перехода изолятор-металл в пленках диоксида ванадия / А. В. Ильинский [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 15. - С. 78-85 : ил. - Библиогр.: с. 85 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): металлические пленки -- изоляторы -- электронно-лучевая обработка -- фазовые переходы -- диоксид ванадия -- оптическая спектроскопия -- дифрактометрия -- электронная бомбардировка -- дозы облучения -- температурные фазовые превращения -- коэффициент отражения -- кристаллические решетки Аннотация: Методами оптической спектроскопии, комбинационного рассеяния света (КРС) и оптической дифрактометрии исследована модификация параметров фазового перехода изолятор-металл в пленках VO[2] при бомбардировке потоком электронов средних энергий (6-10 keV). Показано, что рост дозы облучения приводит к понижению температуры фазового перехода, увеличению коэффициента отражения и уменьшению его скачка, замене фононных пиков спектра КРС моноклинной фазы широкими полосами, характерными для тетрагональной фазы, и сдвигу особенностей спектра отражения на 65 nm в коротковолновую область. Механизм процесса модификации связывается с генерацией в кристаллической решетке VO[2] кислородных вакансий с донорными свойствами. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/15/p78-85.pdf Доп.точки доступа: Ильинский, А. В.; Давыдов, В. Ю.; Кастро, Р. А.; Квашенкина, О. Е.; Пашкевич, М. Э.; Шадрин, Е. Б. |
539.21:537 С 387 Синтез GaN нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированный нанослоем титана / М. М. Рожавская [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 9. - С. 17-23 : ил. - Библиогр.: с. 23 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- нитевидные микрокристаллы -- индуцирование -- титан -- Ti -- GaN -- нитрид галлия -- сплошные пленки -- эпитаксиальные структуры -- механические напряжения -- нанокристаллы -- микрокристаллы Аннотация: Продемонстрированы возможности нового способа выращивания нитрид-галлиевых нитевидных нано- и микрокристаллов с использованием сплошных пленок титана толщиной 10-30 nm в процессе роста. Показано, что такой способ может обеспечить рост GaN нитевидных нанокристаллов высокого качества с рекордно высокой скоростью порядка 10 mum/min. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/09/p17-23.pdf Доп.точки доступа: Рожавская, М. М.; Лундин, В. В.; Лундина, Е. Ю.; Сахаров, А. В.; Трошков, С. И.; Смирнов, А. Н.; Давыдов, В. Ю.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) |