621.375 И 889 Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As [Текст] / А. Д. Буравлев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 10. - С. 21-27 : ил. - Библиогр.: с. 27 (6 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- самоупорядоченные квантовые точки -- формирование квантовых точек -- процессы формирования -- исследования -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- морфология поверхности -- атомно-силовая микроскопия -- поверхностная плотность -- размеры квантовых точек -- атомы -- осажденные подслои Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (100) синтезированы (In, Mn) As квантовые точки. Исследование морфологии поверхности полученных образцов с помощью методики атомно-силовой микроскопии продемонстрировало, что присутствие Mn влияет на поверхностную плотность и размеры самоупорядоченных квантовых точек. Изучено влияние предварительно осажденного подслоя атомов Mn на свойства образцов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/10/p21-27.pdf Доп.точки доступа: Буравлев, А. Д.; Зайцев, А. А.; Брунков, П. Н.; Сапега, В. Ф.; Хребтов, А. И.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Дубровский, В. Г.; Устинов, В. М. |
536.42 Б 912 Буравлев, А. Д. Молекулярно-пучковая эпитаксия (Ga,Mn)As нитевидных кристаллов на поверхности GaAs(100) [Текст] / А. Д. Буравлев, Г. О. Абдрашитов, Г. Э. Цырлин // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 17. - С. 78-83 : ил. - Библиогр.: с. 82-83 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- нитевидные кристаллы -- наноструктуры -- ННК -- рост кристаллов -- подложки -- эпитаксия -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- массивы кристаллов -- температура роста -- электроны -- быстрые электроны -- дифракция электронов -- кристаллографические фазы -- кубические фазы Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии были впервые получены массивы нитевидных кристаллов (Ga, Mn) As на подложке GaAs (100) при температуре роста 485 °C. Из данных картин дифракции быстрых электронов на отражение установлено, что ННК в этой системе формируются в кубической кристаллографической фазе. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/17/p78-83.pdf Доп.точки доступа: Абдрашитов, Г. О.; Цырлин, Г. Э. |
621.315.592 Ф 796 Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств [Текст] / А. Д. Буравлев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 188-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- ННК -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- разбавленные магнитные полупроводники -- РМП -- магнитные свойства -- пар-жидкость-кристалл -- температурные зависимости -- полевые зависимости -- статическая магнитная восприимчивость Аннотация: Метод молекулярно-пучковой эпитаксии использован для синтеза массивов (Ga, Mn) As нитевидных нанокристаллов на поверхности GaAs (111) B в диапазоне ростовых температур 480-680 °C. Установлено, что формирование полученных нитевидных нанокристаллов может быть описано в рамках механизма "пар-жидкость-кристалл". Показано, что рост (Ga, Mn) As нитевидных нанокристаллов должен происходить в условиях, стабилизированных по галлию. Выявлено, что полевые и температурные зависимости статической магнитной восприимчивости образцов, полученных при температуре 660 °C, демонстрируют парамагнитное поведение. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p188-193.pdf Доп.точки доступа: Буравлев, А. Д.; Цырлин, Г. Э.; Романов, В. В.; Баграев, Н. Т.; Брилинская, Е. С.; Лебедева, Н. А.; Новиков, С. В.; Lipsanen, H.; Дубровский, В. Г. |
539.2 И 889 Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si (111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Ю. Б. Самсоненко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 441-445 : ил. - Библиогр.: с. 445 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- ННК -- модифицированные поверхности -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- температура подложки -- температурная зависимость -- кристаллические структуры -- нанокристаллы -- GaAs Аннотация: Исследованы процессы роста самокаталитических GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на модифицированных 3 различными методами поверхностях Si (111). В качестве технологического метода получения нанокристаллов была использована молекулярно-пучковая эпитаксия. Установлено, что в интервале температур подложки 610-630 {o} С имеет место резкое увеличение поверхностной плотности и диаметра нанокристаллов, в то время как температурная зависимость длины нанокристаллов имеет максимум при 610 {o} C. Повышение температуры до 640 {o} C приводит к подавлению формирования нитевидных нанокристаллов. Описан метод, позволяющий получать чисто кубические GaAs нитевидные нанокристаллы. Дано теоретическое обоснование появления кубической фазы в самокаталитических GaAs нитевидных нанокристаллах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p441-445.pdf Доп.точки доступа: Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Хребтов, А. И.; Буравлев, А. Д.; Поляков, Н. К.; Улин, В. П.; Дубровский, В. Г.; Werner, P. |
621.315.592 Ф 796 Формирование одиночных GaAs нитевидных нанокристаллов на вольфрамовом острие и исследование их электрических характеристик [Текст] / А. О. Голубок [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1079-1083 : ил. - Библиогр.: с. 1082-1083 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Приборостроение Приборостроение в целом Кл.слова (ненормированные): нитевые нанокристаллы -- ННК -- нановискеры -- GaAs-нановискеры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- фокусированный ионный пучок -- ФИП -- электронные свойства -- туннельная спектроскопия -- сверхвысокий вакуум -- СВВ -- вольт-амперные характеристики -- запрещенные зоны -- легирование структуры -- плотность электронных состояний -- ПЭС Аннотация: Предложен метод формирования одиночных полупроводниковых GaAs-нановискеров и их ансамблей на вершине химически заточенного вольфрамового острия в установке молекулярно-пучковой эпитаксии. Для выделения одиночного нановискера использовалась техника сфокусированного ионного пучка. Электронные свойства одиночных нановискеров исследовались с помощью упругой туннельной спектроскопии в условиях сверхвысокого вакуума. Измеренные вольт-амперные характеристики позволили оценить ширину запрещенной зоны GaAs-вискеров и степень легирования структуры. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1079-1083.pdf Доп.точки доступа: Голубок, А. О.; Самсоненко, Ю. Б.; Мухин, И. С.; Буравлев, А. Д.; Цырлин, Г. Э. |
621.315.592 П 960 Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs [Текст] / И. П. Сошников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1114-1116 : ил. - Библиогр.: с. 1116 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пьезоэффект -- структуры -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- GaAs -- кристаллические структуры -- вюрцит -- контактные слои -- пьезоэлектрические преобразования Аннотация: Обнаружен аномальный пьезоэлектрический эффект в нитевидных нанокристаллах GaAs (коэффициент пьезоэлектрического преобразования d[33]~26 пКл/Н). Полученный результат может объясняться преимущественным содержанием в нитевидных нанокристаллах GaAs фазы с кристаллической структурой типа вюрцита и увеличением усилия при давлении на контактный слой. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1114-1116.pdf Доп.точки доступа: Сошников, И. П.; Афанасьев, Дм. Е.; Петров, В. А.; Цырлин, Г. Э.; Буравлев, А. Д.; Самсоненко, Ю. Б.; Хребтов, А.; Танклевская, Е. М.; Селезнев, И. А. |
621.315.592 Ф 796 Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии [Текст] / И. П. Сошников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 840-846 : ил. - Библиогр.: с. 845-846 (39 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- ННК -- квантовые точки -- КТ -- подложки -- электронная литография -- метод электронной литографии -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- электронные пучки -- экспериментальные исследования Аннотация: Проведено экспериментальное исследование процессов формирования упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs на положках GaAs (111) B методами электронной литографии и каталитического роста в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. Определены основные параметры электронно-литографического процесса для формирования каталитических капель Au с размерами от 10 до 150 нм. Установлено, что последующий рост при молекулярно-пучковой эпитаксии протекает по преимущественно диффузионному механизму. Показано, что на участках с повторным экспонированием в электронном пучке после "взрывного" (lift off) процесса может наблюдаться подавление роста нитевидных нанокристаллов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p840-846.pdf Доп.точки доступа: Сошников, И. П.; Афанасьев, Дм. Е.; Цырлин, Г. Э.; Петров, В. А.; Танклевская, Е. М.; Самсоненко, Ю. Б.; Буравлев, А. Д.; Хребтов, А. И.; Устинов, В. М. |
539.2 О-754 Особенности спектров рамановского рассеяния нитевидных кристаллов на основе соединений A[3]B[5] [Текст] / С. В. Карпов [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 7. - С. 1359-1366. - Библиогр.: с. 1365-1366 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рамановские спектры -- нитевидные нанокристаллы -- нановискеры -- сфалериты -- вюрцитная фаза Аннотация: Исследованы рамановские спектры нитевидных нанокристаллов (нановискеров) GaAs, выращенных на различных подложках и различающихся содержанием сфалеритной и вюрцитной фаз. Особое внимание уделено проявлению структурных особенностей в спектрах рассеяния нановискеров. Установлено, что для нановискеров характерны как случайные включения нановискеров в структуру сфалерита, так и непрерывный рост в вюрцитной фазе. Интерпретация спектра рассеяния согласуется с представлением о сложении дисперсионных зависимостей сфалерита при переходе к структуре вюрцита, что приводит к переводу краезонных мод в точке L в центрозонные моды структуры вюрцита и, как следствие, к появлению ряда новых фундаментальных мод разной симметрии. По спектрам рамановского рассеяния установлено появление в узких слоях нитевидных нанокристаллов гексагонального политипа 4H из-за случайной укладки гексагональных слоев. Сосуществование сфалеритной и вюрцитной фаз в нитевидных нанокристаллах GaAs полностью коррелирует со спектрами фотолюминесценции, полученными на тех же образцах. Доп.точки доступа: Карпов, С. В.; Новиков, Б. В.; Смирнов, М. Б.; Давыдов, В. Ю.; Смирнов, А. Н.; Штром, И. В.; Цырлин, Г. Э.; Буравлев, А. Д.; Самсоненко, Ю. Б. |
621.315.592 И 889 Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs:Be / А. Д. Буравлев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 797-801 : ил. - Библиогр.: с. 800-801 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- фотолитография -- травление фотопреобразователей -- металлизация фотопреобразователей -- фотопреобразователи -- фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- фотоэлектрические свойства -- эмуляторы -- солнечное излучение -- солнечная энергия -- поверхность подложки -- выращивание нанокристаллов Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs (111) B синтезированы массивы нитевидных нанокристаллов GaAs: Be. Последовательное применение процессов фотолитографии, травления и металлизации позволило создать прототипы фотоэлектрических преобразователей, в которых выращенные массивы нитевидных нанокристаллов были использованы в качестве активных слоев. Исследование фотоэлектрических свойств полученных структур, проведенное с помощью эмулятора солнечного излучения, продемонстрировало, что эффективность преобразования солнечной энергии составляет порядка 0. 1%. С учетом площади, занимаемой одиночным нитевидным нанокристаллом p-типа на поверхности подложки GaAs n-типа, пересчитанное значение эффективности преобразования достигает величины 1. 1%. Arrays of GaAs: Be nanowires were synthesized by molecular beam epitaxy on the GaAs (111) B substrate. Prototypes of photovoltaic converters using the nanowires as an active medium were fabricated by means of photolithography, etching and metallization. The study of photovoltaic properties under illumination with a solar simulator (AM1. 5G spectrum) demonstrated that the efficiency of solar energy conversion was about 0. 1%. The recalculated value of the efficiency, taking into account the square occupied by p-type nanowires on the n-type GaAs substrate surface, is equal to 1. 1%. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p797-801.pdf Доп.точки доступа: Буравлев, А. Д.; Безнасюк, Д. В.; Гильштейн, Е. П.; Tchernycheva, M.; De Luna Bugallo, A.; Rigutti, L.; Yu, L.; Proskuryakov, Yu.; Шторм, И. В.; Тимофеева, М. А.; Самсоненко, Ю. Б.; Хребтов, А. И.; Цырлин, А. И. |
535 К 321 Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства / А. Д. Буравлев [и др.] ; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург), Санкт-Петербургский государственный университет, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург), Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1033-1036 : ил. - Библиогр.: с. 1036 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Оптика в целом Кл.слова (ненормированные): самоупорядоченные квантовые точки -- СМКТ -- квантовые точки -- КТ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- оптические свойства -- просвечивающая электронная микроскопия -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- ПЭМ -- разбавленные магнитные полупроводники -- РМП -- Mn -- магний -- In -- индий -- легирование -- структурные дефекты -- магнитные поля Аннотация: Самоупорядоченные квантовые точки (In, Mn) As синтезированы с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001). Результаты измерений, полученных с помощью просвечивающей электронной микроскопии, показали, что легирование Mn центральной части квантовых точек не приводит к образованию структурных дефектов. Изучены оптические свойства образцов, в том числе во внешнем магнитном поле. The self-assembled (In, Mn) As quantum dots are synthesized by molecular beam epitaxy on GaAs (100) substrates. The results of investigation by transmission electron microscopy demonstrate that Mn doping of the central part of quantum dots do not result in formation of structural defects. The optical properties of the samples were studied, including in an applied magnetic field. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1033-1036.pdf Доп.точки доступа: Буравлев, А. Д.; Неведомский, В. Н.; Убыйвовк, Е. В.; Сапега, В. Ф.; Хребтов, А. И.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Устинов, В. М.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный университет; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |
539.2 В 586 Влияние потока мышьяка при молекулярно-пучковой эпитаксии самокаталитических нитевидных нанокристаллов (Ga,Mn)As / Н. В. Сибирев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1425-1430 : ил. - Библиогр.: с. 1429-1430 (35 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- ННК -- Ga -- галлий -- Mn -- марганец -- мышьяк -- кристаллизация -- кинетика -- модель Гиваргизова - Чернова -- Гиваргизова - Чернова модель -- потоки -- As -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии Аннотация: Проведены исследования влияния потока мышьяка на скорость роста самокаталитических нитевидных нанокристаллов (Ga, Mn) As. Показано, что при малых потоках мышьяка рост нитевидных нанокристаллов лимитируется скоростью кристаллизации материала под каплей. Однако при больших потоках мышьяка кинетика роста определяется транспортом галлия в каплю. Экспериментально показано, что при малых потоках мышьяка зависимость длины от диаметра нитевидного нанокристалла является монотонно возрастающей, хорошо описываемой в рамках модели Гиваргизова-Чернова. При этом монотонно убывающая диффузионная зависимость наблюдается при больших потоках мышьяка. The investigation of the As flux influence on the growth of self-catalyzed (Ga, Mn) As nanowires was carried out. It is shown that for small arsenic fluxes the nanowire growth is limited by the material crystallization occurring under droplets. At high arsenic fluxes the growth kinetics is determined by gallium transport to the droplet. It was experimentally demonstrated, that the nanowire length-diameter dependence is monotonically increasing at small arsenic fluxes. It can be described in the frame of the Givargizov-Chernov model. At large arsenic fluxes a decreasing diffusion-like dependence is observed. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1425-1430.pdf Доп.точки доступа: Сибирев, Н. В.; Буравлев, А. Д.; Трушков, Ю. М.; Безнасюк, Д. В.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Академический университет (Санкт-Петербург); Академический университет (Санкт-Петербург); Академический университет (Санкт-Петербург); Академический университет (Санкт-Петербург); Академический университет (Санкт-Петербург); Академический университет (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный университет; Институт аналитического приборостроения Российской академии наук (Санкт-Петербург); Институт аналитического приборостроения Российской академии наук (Санкт-Петербург); Институт аналитического приборостроения Российской академии наук (Санкт-Петербург) |
539.21:537 И 889 Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов / А. Д. Буравлев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 3. - С. 358-363 : ил. - Библиогр.: с. 362 (31 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- электрические свойства -- электрические контакты -- электронно-лучевая литография -- температура отжига -- отжиг -- деградация структур -- структуры -- разбавленные магнитные полупроводники -- РМП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- носители заряда -- контакты Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезированы массивы (Ga, Mn) As нитевидных нанокристаллов. Использование электронно-лучевой литографии позволило создать электрические контакты к одиночным нитевидным нанокристаллам. Изучено влияние температуры отжига на свойства контактов. Определена оптимальная температура отжига, равная 160°C. Обнаружено, что повышение температуры отжига ведет к деградации структур. На основании исследования вольт-амперных характеристик одиночных нитевидных наноструктур был определен ряд их электрофизических параметров, таких как удельное сопротивление и подвижность носителей заряда. Arrays of (Ga, Mn) As nanowires were synthesized by molecular beam epitaxy. The electrical contacts to single nanowire were obtained by electron-beam lithography. The influence of the annealing temperature on the contact properties is studied. The optimal annealing temperature is found to be equal to 160°C. I was shown, that the increasing of the annealing temperature results in degradation of the structures. The electrical parameters of the single nanowires were obtained based on the investigation of the current-voltage characteristics of the single nanowires, such as the resistivity and the mobility of the charge carriers. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/03/p358-363.pdf Доп.точки доступа: Буравлев, А. Д.; Сибирев, Н. В.; Гильштейн, Е. П.; Брунков, П. Н.; Мухин, И. С.; Tchernycheva, M.; Хребтов, А. И.; Самоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Institut d`Electronique Fondamentale UMR CNRS 8622. France; Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский государственный университет; Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Институт аналитического приборостроения Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный университет; Институт аналитического приборостроения Российской академии наук (Санкт-Петербург) |