Влияние легирования Sc и Yb на электрические и люминесцентные свойства кремния, полученного методом Стокбаргера [Текст] / Т. С. Шамирзаев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 9. - С. 1668-1671. - Библиогр.: с. 1671 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): легирование -- легирование скандием -- легирование иттебрием -- кремний -- метод Стокбаргера -- Стокбаргера метод -- низкотемпературная люминесценция -- спектры фотолюминесценции -- проводимость Аннотация: Исследовалось влияние легирования скандием и иттебрием на электрофизические и люминесцентные свойства мультикристаллического кремния, выращенного методом Стокбаргера. Обнаружено, что удельное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда и положение максимума полосы низкотемпературной люминесценции, имеющие одинаковые значения вдоль направления роста нелегированного слитка, демонстрируют монотонное изменение значений вдоль направления роста легированных слитков. Анализ спектров фотолюминесценции и типа проводимости в различных точках легированных слитков позволил сделать вывод о том, что изменения их электрофизических свойств вдоль направления роста обусловлены перераспределением фоновых акцепторов, концентрация которых монотонно уменьшается от начала к концу слитка. Перераспределение фоновых примесей объясняется образованием соединений фоновая примесь-легирующая примесь, обладающих коэффицентами распределения в расплаве кремния, сильно отличающимися от единицы. Доп.точки доступа: Шамирзаев, Т. С.; Непомнящих, А. И.; Красин, Б. А.; Семенова, О. И.; Токарев, А. С.; Бородовский, П. А.; Булдыгин, А. Ф.; Сарычев, П. П. |
Бородовский, П. А. Аномальная релаксация фотопроводимости в кремнии при высоких уровнях инжекции [Текст] / П. А. Бородовский, А. Ф. Булдыгин, С. В. Голод // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 329-311
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): неравновесные носители -- кремний -- лазерные диоды -- импульсный свет -- инжекция -- релаксация фотопроводимости -- экситоны Аннотация: Исследуется аномальный эффект релаксации неравновесных носителей заряда в образцах кремния при их возбуждении импульсным светом лазерного диода (1060 нм / 500 мВт). Эксперименты проводились при высоких уровнях инжекции как с использованием СВЧ-измерений проводимости, так и обычной методики измерения релаксации фотопроводимости. Необычное явление наблюдалось в начальной области релаксации фотопроводимости после окончания импульса света. Предлагается упрощенная модель для объяснения аномального эффекта, включающая экситоны при высоких уровнях возбуждения. Доп.точки доступа: Булдыгин, А. Ф.; Голод, С. В. |