621.37/39 Б 825 Борисов, В. И. Перехват сигналов с псевдослучайной перестройкой рабочей частоты [Текст] / В. И. Борисов, В. М. Зинчук, А. Е. Лимарев, Н. П. Мухин // Радиотехника и электроника. - 2001. - Т.46,N3 . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Радиосвязь Кл.слова (ненормированные): вероятность обнаружения сигналов -- многоканальный обнаружитель -- перехват сигналов -- рабочая частота -- системы радиосвязи -- широкополосной энергетический обнаружитель Аннотация: Рассмотрены рабочие характеристики широкополосного и многоканального энергетических обнаружителей сигналов с псевдослучайной перестройкой рабочей частоты. Уделено особое влияние многоканальному адаптивному энергетическому обнаружителю. Оценено воздействие мешающих сигналов на рабочие характеристики многоканального адаптивного энергетического обнаружителя. Приведены особенности перехвата сигналов с псевдослучайной перестройкой рабочей частоты при создании ответных помех системам радиосвязи с псевдослучайной перестройкой рабочей частоты. Доп.точки доступа: Зинчук, В.М.; Лимарев, А.Е.; Мухин, Н.П. |
539.2 Б 825 Борисов, В. И. Туннельное магнитосопротивление в переходах типа металл-диэлектрик-металл с большой площадью контакта [Текст] / В. И. Борисов, А. И. Крикунов, А. И. Чмиль, П. Е. Зильберман // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 1. - Библиогр.: с. 90 (16 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): туннельное магнитосопротивление -- туннельные магнитные переходы -- магнитосопротивление -- туннельные переходы Аннотация: Синтезированы туннельные магнитные переходы "пермаллой-кобальт" с ультратонким разделяющим слоем из Al[2]О[3], имеющие большую площадь туннельного контакта. Измерены зависимости гигантского магнитосопротивления переходов от поля и угла. Относительное магнитосопротивление переходов при комнатной температуре составляет примерно 5%. Перейти: http: //www. maik. ru Доп.точки доступа: Крикунов, А. И.; Чмиль, А. И.; Зильберман, П. Е. |
069 Б 825 Борисов, В. И. (директор ООО "Несконстрой"). Конкурсные торги [Текст] : О необходимости проведения федеральными музеями открытых конкурсов на размещение заказов для государственных нужд / В. И. Борисов, К. Е. Рыбак // Справочник руководителя учреждения культуры. - 2004. - N 5 . - ISSN 1727-6772
Рубрики: Музейное дело--Общие вопросы музейного дела Право--Гражданское право Кл.слова (ненормированные): конкурсные торги -- учреждения культуры -- бюджетные учреждения -- музеи -- федеральные музеи -- открытые конкурсы -- законодательство -- заказы на поставки товаров -- размещение заказов -- государственные нужды -- закупка товаров -- процедура закупок -- государственный контракт Аннотация: Открытые конкурсы при осуществлении закупок федеральными музеями как способ экономии бюджетных и собственных средств. Доп.точки доступа: Рыбак, К. Е. (канд. философ. наук) |
Особенности квантования кондактанса одномерных каналов, полученных методом травления [Текст] / В. И. Борисов [и др. ] // Радиотехника и электроника. - 2009. - Т. 54, N 4. - С. 488-492. - Библиогр.: с. 492 (5 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): ионное травление -- гетероструктуры -- электронно-лучевые литографии -- одномерные каналы Аннотация: Методами электронно-лучевой литографии и ионного травления на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs созданы транзисторные структуры с квазиодномерным баллистическим каналом и боковыми управляющими затворами. Наблюдались плато квантования кондактанса до необычно высоких температур (до 50 К) и явления гистерезиса. Выяснено, что эти особенности обусловлены наличием вблизи канала узкой полоски положительного заряда в легированном слое AlGaAs, сформированной при травлении. Доп.точки доступа: Борисов, В. И.; Лапин, В. Г.; Темирязев, А. Г.; Торопов, А. И.; Чмиль, А. И. |
621.375 Т 654 Транзисторные структуры с управляемым потенциальным рельефом одномерного квантового канала [Текст] / В. И. Борисов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 3. - С. 85-92 : ил. - Библиогр.: с. 92 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): транзисторные структуры -- гетероструктуры -- GaAs/AlGaAs -- потенциальные рельефы -- управляемые потенциальные рельефы -- квантовые каналы -- одномерные квантовые каналы -- газы -- электронные газы -- двумерные электронные газы -- анодное окисление -- локальное анодное окисление -- метод локального анодного окисления -- микроскопы -- зондовые микроскопы -- сканирующие зондовые микроскопы -- боковые затворы -- трехсекционные боковые затворы -- измеренные зависимости -- кондактанс канала Аннотация: На основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом методом локального анодного окисления с помощью сканирующего зондового микроскопа созданы структуры с одномерным проводящим каналом и трехсекционными боковыми управляющими затворами. Показано, что затворы позволяют управлять продольным потенциальным профилем канала. На измеренных зависимостях кондактанса канала от напряжений на затворах наблюдались плато, в том числе не кратные 2e{2}/h, и максимумы, положение и вид которых определяются соотношением потенциалов на затворах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/03/p85-92.pdf Доп.точки доступа: Борисов, В. И.; Лапин, В. Г.; Сизов, В. Е.; Темирязев, А. Г. |