537.312.7 К 903 Куликов, В. Д. Кинетика радиационно-индуцированной проводимости кристаллов CsI в сильных электрических полях [Текст] / В. Д. Куликов // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N7. - Библиогр.: с.65 (10 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): радиационно-индуцированная проводимость -- облучение -- ударная ионизация Аннотация: Проведены исследования кинетики радиационно-индуцированной проводимости (РИП) кристаллов CsI при рентгеновском возбуждении в зависимости о напряженности электрического поля и температуры. Показано, что увеличение проводимости в сильном электрическом поле обусловлено переводом электронов по механизму ударной ионизации с уровней захвата в зону проводимости диэлектрика |