Механизмы сенсорного эффекта в кондуктометрических датчиках на основе диоксида олова для детектирования газов-восстановителей [Текст] / В. Ф. Громов [и др. ] // Российский Химический Журнал (ЖРХО им. Д.И.Менделеева). - 2008. - Т. 52, N 5. - С. 80-87. - Библиогр.: с. 87 (35 назв. ) . - ISSN 0373-0247
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): SnO[2]-пленки -- газы-восстановители -- гетерогенные электронные системы -- датчики на основе диоксида олова -- детектирование -- кондуктометрические датчики -- металлоксидные наночастицы -- пленочные сенсоры -- сенсорные характеристики -- сенсорные эффекты -- скорость хемосорбции -- энергетические диаграммы Аннотация: Обсуждаются особенности работы кондуктометрических сенсоров, используемых для детектирования газов-восстановителей. Доп.точки доступа: Громов, В. Ф.; Герасимов, Г. Н.; Белышева, Т. В.; Трахтенберг, Л. И. |
Кузнецов, В. А. Анализ фазовых диаграмм системы CdS-CdSe-CdTe [Текст] / В. А. Кузнецов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1153-1156 : ил. - Библиогр.: с. 1156 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): энергетические диаграммы -- полупроводниковые соединения -- CdS-CdSe-CdTe -- запрещенные зоны -- твердые растворы -- деформационные потенциалы -- смешанные сингонии -- фоточувствительность Аннотация: На основе анализа энергетических диаграмм полупроводниковых соединений A {II}B{VI} предложены методика определения глубины провисания запрещенной зоны и механизм этого эффекта, связанный с деформационным потенциалом, который может возникать в области существования смешанных сингоний твердых растворов. Подбирая состав двойной или тройной системы, за счет эффекта провисания зоны можно увеличить фоточувствительность в заданной области спектра. |
Брудный, В. Н. Уровень локальной электронейтральности и электронные свойства GaSe под давлением [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, С. Ю. Саркисов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1194-1202 : ил. - Библиогр.: с. 1201-1202 (37 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электронейтральность -- электронные свойства -- структурные параметры решетки -- электронные спектры GaSe -- гидростатическое сжатие -- напряжение растяжения -- межзонные переходы -- гидростатическое давление -- давление -- энергетические диаграммы -- межфазные границы -- GaSe Аннотация: Из первых принципов выполнены расчеты структурных параметров решетки и электронных зонных спектров GaSe. Рассмотрена их зависимость от гидростатического сжатия до 5 ГПа и однородного двухосного напряжения растяжения и сжатия (от -3 до 3 ГПа) в базальной плоскости элементарной ячейки. Расчеты хорошо воспроизводят известные из эксперимента особенности поведения важнейших межзонных переходов в GaSe под гидростатическим давлением и в отсутствие экспериментальных данных дают прогноз зависимости структурных и электронных свойств GaSe при приложении двухосного напряжения. На основе вычисленных зонных спектров определено энергетическое положение уровня локальной зарядовой нейтральности CNL E[v]+0. 8 эВ, проанализированы электронные свойства ростового материала и энергетические диаграммы межфазных границ в GaSe. Доп.точки доступа: Кособуцкий, А. В.; Саркисов, С. Ю. |
539.2 Т 163 Талочкин, А. Б. Фотопроводимость многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к Si-матрице [Текст] / А. Б. Талочкин, авт. И. Б. Чистохин // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 936-940 : ил. - Библиогр.: с. 939-940 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- многослойные структуры -- Si/Ge -- квантовые точки -- КТ -- оптические переходы -- электронно-дырочные состояния -- ФП -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- Si-матрицы -- псевдоморфные квантовые точки -- энергетические диаграммы -- германий -- Ge -- Si -- кремний Аннотация: Исследованы спектры продольной фотопроводимости многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, полученными псевдоморфно к Si-матрице. Наблюдались линии оптических переходов между дырочными уровнями квантовых точек и электронными состояниями Si. Это позволило построить подробную энергетическую диаграмму электронно-дырочных уровней структуры. Показано, что дырочные уровни псевдоморфных квантовых точек Ge хорошо описываются с помощью простейшей модели "квантового ящика" с использованием реальных размеров островков Ge. Установлена возможность управления положением длинноволновой границы фоточувствительности с помощью изменения параметров роста структур Si/Ge с квантовыми точками Ge. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p936-940.pdf Доп.точки доступа: Чистохин, И. Б. |