Дергачева, М. Б. Электроосаждение теллурида кадмия из электролитов на основе этиленгликоля [Текст] / М. Б. Дергачева, Н. В. Пенькова, И. Э. Ким // Журнал прикладной химии. - 2010. - Т. 83, вып: вып. 3. - С. 431-434. - Библиогр.: c. 434 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): CdTe -- метод вольтамперометрии -- полупроводниковые материалы -- стеклоуглеродные электроды -- теллурид кадмия -- электролиты -- электроосаждение пленок -- этиленгликоль Аннотация: Определен фазовый состав и размер частиц электроосажденных пленок CdTe. Доп.точки доступа: Пенькова, Н. В.; Ким, И. Э. |
Дергачева, М. Б. Электроосаждение пленок CuInSe[2] на молибденовом электроде [Текст] / М. Б. Дергачева, К. А. Уразов, Н. В. Пенькова // Журнал прикладной химии. - 2010. - Т. 83, вып: вып. 4. - С. 601-605. - Библиогр.: c. 605 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): CuInSe[2] -- ионы индия -- ионы меди -- ионы селена -- медь-индиевый диселенид -- молибденовые электроды -- сульфосалициловая кислота -- электроосаждение пленок Аннотация: Выбран оптимальный интервал потенциалов для осаждения соединения CuInSe[2]. Доп.точки доступа: Уразов, К. А.; Пенькова, Н. В. |
539.2 Ф 166 Фазовые превращения при металлизации Ag-In и сращивании вертикальных диодных ячеек многопереходных солнечных элементов / Н. П. Клочко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 845-853 : ил. - Библиогр.: с. 853 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): многопереходные кремниевые фотоэлектрические преобразователи -- МП Si-ФЭП -- ВКСИ -- фазовые превращения -- p-n переходы -- вертикальные диодные ячейки -- ВДЯ -- пленки индия -- индий -- In -- электроосаждение пленок -- трафаретная печать -- метод трафаретной печати -- пленки серебра -- серебро -- Ag -- кремниевые пластины -- электрохимическое осаждение -- структура поверхности -- морфология поверхности -- термообработка -- термическая обработка -- металлизация -- сращивание пластин -- солнечные элементы -- концентрированное освещение Аннотация: Исследованы условия сращивания кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами с помощью припоя системы Ag-In. Изучались композиции из электроосажденных пленок индия на посеребренных методом трафаретной печати кремниевых пластинах и изготовленные путем послойного электрохимического осаждения пленки серебра и индия на поверхности посеребренных в вакууме кремниевых вертикальных диодных ячеек. Исследование условий электрохимического осаждения, структуры и морфологии поверхности полученных слоев показало, что для гарантированного сращивания допустимо использование 8-минутной термообработки при 400 °C под давлением стопки металлизированных кремниевых пластин, однако соотношение толщин слоев индия и серебра не должно превышать 1: 3. При выполнении данного условия припой после сращивания пластин имеет структуру InAg[3] (или InAg[3] с примесью фазы Ag), благодаря чему температура плавления спая превышает 700 °C, что гарантированно обеспечивает функционирование таких солнечных элементов в условиях концентрированного освещения. The conditions for joining silicon multifunction solar cells with vertical p-n-transitions by means of Ag-In system solder have been investigated. We studied the composition of the electrodeposited indium films on silver-plated by screen-printing silicon wafers and the silver and indium layers fabricated by serial electrochemical deposition on the surface of vacuum evaporated silver on silicon in diode vertical cells. The studies of the electrochemical deposition conditions, structure and surface morphology of the obtained layers have shown that the guaranteed matching is possible by using an 8-minute heat treatment at 400°С under the pressure of a stack of metalized silicon wafers, but the ratio of the thicknesses of indium and silver layers should not exceed 1: 3. When these requirements were fulfilled the solder after the splice of the plates has a structure InAg[3] (or InAg[3] with Ag mixture phase), because the junction melting point exceeded 700°С, which is guaranteed the operation of such solar cells under concentrated illumination. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p845-853.pdf Доп.точки доступа: Клочко, Н. П.; Хрипунов, Г. С.; Волкова, Н. Д.; Копач, В. Р.; Лобов, В. Н.; Кириченко, М. В.; Момотенко, А. В.; Харченко, Н. М.; Никитин, В. А. |