Субтерагерцовые автоколебания обеднения заселенностей электронов в зоне проводимости GaAs при наличии накачки и собственного стимулированного излучения [Текст] / Н. Н. Агеева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1157-1164 : ил. - Библиогр.: с. 1164 (33 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пикосекудная оптическая накачка -- сверхбыстрые автомодуляции -- поглощение света -- стимулированное излучение -- субтерагерцовые автоколебания -- частота автоколебаний -- нелинейные волны -- неравновесные среды -- фотогенерация -- автоколебания обеднения заселенностей электронов -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- зона проводимости -- возбуждение -- носители заряда Аннотация: Ранее обнаружено, что при пикосекундной оптической накачке в GaAs возникают сверхбыстрые взаимосвязанные автомодуляции фундаментального поглощения света и собственного стимулированного пикосекундного излучения. В настоящей работе сделаны количественные оценки, подтверждающие предположение, что указанные автомодуляции вызваны автоколебаниями обеднения заселенностей электронов в зоне проводимости. Получено выражение для частоты автоколебаний обеднения заселенностей. Показано наличие условий для самоорганизации, которые приводят к возникновению периодических нелинейных волн в неравновесных средах, каковой является фотогенерированная электроно-дырочная плазма с обеднениями заселенностей. В итоге в цикле работ, включая и настоящую, обнаружено, что при накачке в GaAs под влиянием собственного стимулированного излучения возникает коллективное возбуждение носителей заряда - автоколебания обеднения заселенностей зоны проводимости. Доп.точки доступа: Агеева, Н. Н.; Броневой, И. Л.; Забегаев, Д. Н.; Кривоносов, А. Н. |