53 Т 480 Ткаль, В. А. Вейвлет-обработка топографических изображений с расширенным динамическим диапазоном [Текст] / В. А. Ткаль, А. О. Окунев, М. Н. Петров, Л. Н. Данильчук // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 5. - С. 64-73 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): топографические изображения -- монокристалл 6H-SiC -- вейвлет-анализ -- обработка изображений Аннотация: Приведены экспериментальные результаты цифровой обработки топографических изображений монокристалла 6H-SiC с различным динамическим диапазоном при использовании вейвлет-анализа. Изображения получены топографией на основе эффекта Бормана и представлены в 8-, 16- и 32-битном формате. Показано, что 32-битные изображения после устранения зернистости экспериментального контраста более удобны для расшифровки и по сравнению с 8- и 16-битными содержат больше полезной информации о дефектах структуры исследуемого монокристалла. Эффективность вейвлет-анализа существенно повышается при цифровой обработке отдельных фрагментов топограммы и зависит от выбора области и размера опорного изображения. Доп.точки доступа: Окунев, А. О.; Петров, М. Н.; Данильчук, Л. Н. |
Ткаль, В. А. Выявление полос роста монокристаллов цифровой обработкой топографических изображений [Текст] / В. А. Ткаль, А. О. Окунев, М. Н. Петров // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 12. - С. 99-102
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полосы роста монокристаллов -- топографические изображения -- вейвлет-обработка -- фурье-анализ Аннотация: На примере топографического контраста монокристалла GaSb (Si) показана возможность выявления полос роста цифровой обработкой на основе анализа яркостных и частотных характеристик изображений. Показано, что более высокая эффективность выявления полос роста на топограммах достигается при вейвлет-обработке анализируемого контраста. Доп.точки доступа: Окунев, А. О.; Петров, М. Н. |
Влияние зонда на топографические изображения в атомно-силовой микроскопии [Текст] / Н. Г. Циркунова [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 9. - С. 82-85
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): нанообъекты -- микрообъекты -- атомно-силовая микроскопия -- топографические изображения -- погрешности метрических характеристик Аннотация: Приведены примеры возникновения погрешностей метрических характеристик при изучении микро- и нанообъектов с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ). Показан процесс деградации острия зонда как при последовательном сканировании одного и того же участка поверхности образца, так и в ходе проведения единичного сканирования. Даны примеры АСМ-изображений, полученных зондом с двумя разноуровневыми остриями. Доп.точки доступа: Циркунова, Н. Г.; Борисенко, В. Е.; Кухаренко, Л. В.; Гольцев, М. В.; Чижик, С. А. |
536.42 С 781 Статистический анализ топографических АСМ-изображений самоорганизованных квантовых точек / В. А. Севрюк [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 921-926 : ил. - Библиогр.: с. 925 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- топографические изображения -- атомно-силовая микроскопия -- подложки -- наноразмерность -- наночастицы -- высоты -- статистический анализ -- автоматизация процессов -- обработка изображений -- потери Аннотация: С целью получения статистических данных о размерах квантовых точек используется анализ топографических изображений, полученных методом атомно-силовой микроскопии. В силу неидеальности подложки, содержащей на расстояниях 1-10 мкм перепады высоты величиной порядка размера наночастиц, а также недостаточного разрешения близко расположенных точек из-за конечности радиуса закругления зонда АСМ автоматизация процесса статистического анализа их большого массива требует специальных методик обработки топографических изображений, устраняющих потерю части частиц, возникающую при обычной обработке. В качестве такой методики применена свертка исходной матрицы АСМ изображения со специально подобранной матрицей, позволяющей определить положение каждой наночастицы и затем, используя исходную матрицу, измерить их геометрические параметры. Приведены результаты статистического анализа указанным методом самоорганизованных квантовых точек InAs, сформированных на поверхности эпитаксиального слоя AlGaAs. Показано, что их концентрация, средний размер и полуширина распределения по высоте существенно зависят от потока In и общего объема осажденного InAs, изменяющихся в незначительных пределах. To obtain statistical parameters of quantum dots it suggested using analysis of AFM topography images of substrate with grown quantum dots. The automation of statistical analysis process of large array of quantum dots requires special treatment of the topography images eliminating loss of particles, which occurs during standard processing due to nonideality of the substrate, which is characterized by height gradients of size of nanoparticle on distance of 1-10 mum and insufficient lateral resolution of closely spaced quantum dots caused by the finite size of the AFM tip apex. It proposed to use convolution product of original matrix of AFM image with special matrix, which allows to find the lateral position of each nanoparticles, and then, using original matrix to determine their geometrical parameters. It is presented results of statistical analysis using stated above technique of InAs self- organized quantum dots, formed on the surface of AlGaAs epitaxial layer. It is shown that their concentration, average size and full width at half maximum of height distribution strongly depends on In flow and total deposited volume of InAs, which are varied in negligible ranges. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p921-926.pdf Доп.точки доступа: Севрюк, В. А.; Брунков, П. Н.; Шальнев, И. В.; Гуткин, А. А.; Климко, Г. В.; Гронин, С. В.; Сорокин, С. В.; Конников, С. Г. |