539.2 Л 278 Латышев, А. В. Термоэлектрические явления на границе раздела кристаллитов [Текст] / А. В. Латышев, А. А. Юшканов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 7 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): границы раздела -- кристаллиты -- термоэлектрические явления Аннотация: Получены аналитические выражения для скачка температуры и разности потенциалов электрического поля при прохождении электрического поля через границу раздела кристаллитов. Считаются заданными величина потока электронов (тока) и величина потока тепла, индуцированная первым потоком. Используются кинетическое уравнение в tau-приближении для электронов и уравнение Максвелла для электрического поля. Исследована зависимость коэффициентов скачка температуры и разности потенциалов как функций химического потенциала. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-1.html.ru Доп.точки доступа: Юшканов, А. А. |
538.9 Г 49 Гинзбург, В. Л. О сверхпроводимости и сверхтекучести (что мне удалось сделать, а что не удалось) , а также о "физическом минимуме" на начало XXI века [Текст] / В. Л. Гинзбург // Успехи физических наук. - 2004. - Т. 174, N 11. - С. 1240-1255. - Библиогр.: с. 1254-1255 (77 назв. ). - О сверхпроводимости и сверхтекучести (что мне удалось сделать, а что не удалось) , а также о "физическом минимуме" на начало 21 векаО сверхпроводимости и сверхтекучести (что мне удалось сделать, а что не удалось) , а также о "физическом минимуме" на начало двадцать первого века. - ил.: 4 рис., 7 фот. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): нобелевские лекции -- физика -- сверхпроводимость -- сверхтекучесть -- термоэлектрические явления -- теория Ландау -- Ландау теория Аннотация: Теория фазовых переходов Ландау, являющаяся теорией среднего поля, в случае сверхпроводников. Теория сверхпроводников применима и в непосредственной близости от Т[c]. Это объясняется относительно большим значением в сверхпроводниках. Перейти: http://data.ufn.ru//ufn04/ufn04_11/Russian/nob0411c_r.pdf |
621.315.592 С 530 Снарский, А. А. О предельных значениях добротности термоэлектрических композитов [Текст] / А. А. Снарский, М. И. Женировский, И. В. Безсуднов // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 82-86
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термоэлектрические явления -- проводимость -- теплопроводность -- термоэлектрическая добротность -- термоэлектрические композиты Аннотация: Показано, что учет влияния термоэлектрических явлений на эффективные проводимость и теплопроводность может приводить к "жестким" ограничениям на эффективную термоэлектрическую добротность. В ряде случаев существует предельное значение добротности, сколь бы высоко ни было значение добротности фаз. Доп.точки доступа: Женировский, М. И.; Безсуднов, И. В. |
Стафеев, В. И. Термоэлектрические и другие явления в структурах с неравновесными носителями заряда и наночастицами [Текст] / В. И. Стафеев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1321-1328 : ил. - Библиогр.: с. 1328 (37 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- носители заряда -- неравновесные носители заряда -- термоэлектрические явления -- электрофизические явления -- электрогравитационные явления -- n-p переходы -- эффект Пельтье -- Пельтье эффект -- инжекционный перенос тепла -- молекулярные наночастицы Аннотация: Приведены результаты исследований термоэлектрических и других электрофизических явлений в полупроводниковых структурах с n-p-переходами при прохождении тока в пропускном направлении. Направление переноса тепла противоположно наблюдаемому при "обычном" эффекте Пельтье, а величина эффекта намного больше. Оценены возможные параметры термоэлектрических охлаждающих устройств на этом эффекте. Оценены размеры элементарных структурных единиц конденсированных фаз. Описаны термоэлектрические, электрогравитационные и другие явления в веществах, носителями электрических зарядов в которых являются многомолекулярные нанокомплексы - зародыши других фаз. |
539.2 С 427 Скворцов, А. А. К вопросу об электромиграции расплавленных включений в системе алюминий-кремний [Текст] / А. А. Скворцов, В. Е. Мурадов, Е. А. Каштанова // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 11. - С. 35-42 : ил. - Библиогр.: с. 42 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): алюминий -- Al -- кремний -- Si -- система алюминий-кремний -- расплавленные включения -- электромиграция расплавленных включений -- формирование расплавленных включений -- сравнительный анализ -- кристаллы -- температурные интервалы -- контактное плавление -- электростимулированная миграция -- электрические поля -- линии напряженности -- размерные зависимости -- скорость перемещения -- удельная скорость -- расплавленные зоны -- механизмы перемещения -- кристаллизация -- межфазные границы -- термоэлектрические явления -- атомы -- численные значения -- заряды -- расплавы -- коэффициенты Пельтье -- Пельтье коэффициенты -- система кристалл-расплав Аннотация: Проведен сравнительный анализ формирования и электромиграции расплавленных включений алюминий-кремний (Al-Si) в кристаллах кремния и алюминия. Обнаружено, что в температурном интервале T=850-920 K в результате контактного плавления в рассматриваемой системе формируются расплавленные включения размером 50-800 mum. Обнаружена их электростимулированная миграция (j=< 4· 10{6} A/m{2}) вдоль линий напряженности электрического поля. По размерной зависимости удельной скорости перемещения W/j расплавленных зон Al-Si в кремнии и алюминии сделан вывод о механизмах перемещения расплавленных зон: это плавление и кристаллизация на межфазных границах за счет термоэлектрических явлений и электромиграции атомов в объеме включения. Экспериментально определены численные значения эффективных зарядов атомов Al и Si в расплавах Al-Si, а также коэффициенты Пельтье системы кристалл-расплав. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/11/p35-42.pdf Доп.точки доступа: Мурадов, В. Е.; Каштанова, Е. А. |