Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd[1-z]Zn[z]Te методом спектральной эллипсометрии [Текст] / М. В. Якушев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 62-68 : ил. - Библиогр.: с. 67 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): спектральная эллипсометрия -- метод спектральной эллипсометрии -- слои -- гетероэпитаксиальные слои -- твердые растворы -- Cd[1-z]Zn[z]Te -- тройное полупроводниковое соединение -- кадмий–ртуть–теллур -- КРТ -- CdHgTe -- кадмий-цинк-теллур -- КЦТ -- CdZnTe -- эллипсометрические параметры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- спектры эллипсометрических параметров -- температура роста -- стабильная температура Аннотация: Представлен программно-аппаратный комплекс на основе спектрального эллипсометра, интегрированного в установку молекулярно-лучевой эпитаксии, предназначенный для контроля состава твердого раствора Cd[1-z]Zn[z]Te при малых значениях z. Рассмотрены методические особенности определения состава растущих слоев из спектров эллипсометрических параметров. Разработана методика определения состава по краю поглощения, которая позволяет с точностью 1. 2% измерять этот параметр. Рассмотрены проблемы, решение которых позволит повысить разрешение по составу. В частности, для этого требуется поддержание стабильной температуры в процессе роста. Доп.точки доступа: Якушев, М. В.; Швец, В. А.; Азаров, И. А.; Рыхлицкий, С. В.; Сидоров, Ю. Г.; Спесивцев, Е. В.; Шамирзаев, Т. С. |