Диэлектрический волновод для среднего и дальнего инфракрасного излучения [Текст] / Н. С. Аверкиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1073-1077 : ил. - Библиогр.: с. 1077 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): волноводы -- диэлектрические волноводы -- инфракрасное излучение -- скин-эффект -- гетеролазеры -- слои -- слои GaAs -- легированные слои -- легирование -- твердые растворы Аннотация: Проанализирована возможность использования нормального скин-эффекта для создания диэлектрического волновода для длинноволнового излучения. Предложен диэлектрический волновод, совмещенный с гетеролазером, сформированный из нелегированного слоя GaAs, окруженного сильно легированными слоями твердых растворов n- и p-Al[x]Ga[1-x]As, от которых, благодаря нормальному скин-эффекту, излучение отражается. Показано, что для создания эффективного волновода надо использовать слои твердого раствора n-Al[x]Ga[1-x]As с x<0. 45, концентрацией электронов N>5x10{18} см{-3} и слои твердого раствора p-Al[x]Ga[1-x]As любого состава с концентрацией дырок P>=3x10{19} см{-3}. Доп.точки доступа: Аверкиев, Н. С.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Тарасов, И. С. |