Адсорбция Co на реконструированные поверхности кремния: Si (100) -c (4 x 12) -Al и Si (111) -5. 55 x 5. 55-Cu [Текст] / Д. А. Олянич [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 3. - С. 15-22 : ил. - Библиогр.: с. 21-22 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поверхностные слои -- реконструированные поверхности -- адсорбция -- нанотехнологии -- нанометровый диапазон -- реконструкции силицидов -- Co/Si -- кремний -- туннельные микроскопы -- силицидные покрытия -- силицид кобальта -- наноструктуры Аннотация: Использование поверхностных реконструкций для модификации свойств подложек кремния с целью создания на них новых структур нанометрового масштаба является перспективным направлением развития нанотехнологий. Среди стабильных реконструкций выделяются реконструкции Si (100) -c (4 x 12) -Al и Si (111) -5. 55 x 5. 55-Cu, возможность использования которых в качестве шаблонных поверхностей продемонстрирована в недавних исследованиях. В настоящей работе методом сканирующей туннельной микроскопии исследовалась адсорбция Co на этих реконструкциях при различных температурах подложки. Показано, что при комнатной температуре формируется слабоупорядоченный слой металлического Co с сохранившимися реконструкциями на границе раздела Co/Si. Повышение температуры приводит к формированию ограненных островков силицида кобальта на обеих поверхностях. Доп.точки доступа: Олянич, Д. А.; Чубенко, Д. Н.; Грузнев, Д. В.; Котляр, В. Г.; Устинов, В. В.; Солин, Н. И.; Зотов, А. В.; Саранин, А. А. |
536.42 Ф 796 Формирование и методика исследования ультратонких слоев силицида кобальта в структурах Ti/Co/Ti, TiN/Ti/Co и TiN/Co на кремнии [Текст] / В. И. Рудаков [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 2. - С. 122-128. - Библиогр.: c. 128 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): силицид кобальта -- ультратонкие слои -- магнетронное распыление -- термический отжиг -- кремний -- аморфный кремний -- Si -- alpha-Si -- жертвенные слои -- масс-спектрометрия -- ионная масс-спектрометрия -- времяпролетная масс-спектрометрия -- оже-электронная спектроскопия -- сканирующая электронная микроскопия -- рентгеновский дисперсионный микроанализ Аннотация: Исследованы процессы формирования ультратонких слоев CoSi2 в структурах Ti (8 nm) /Co (10 nm) /Ti (5 nm), TiN (18 nm) /Ti (2 nm) /Co (8 nm) и TiN (18 nm) /Co (8 nm), полученных магнетронным распылением на поверхности Si (100). Структуры подвергались двухстадийному быстрому термическому отжигу. В промежутке между стадиями отжига с поверхности химически удалялся "жертвенный" слой, а на две последние структуры дополнительно наносился аморфный кремний alpha-Si толщиной 17 nm. На различных этапах технологического маршрута проводилось комплексное исследование структур с помощью времяпролетной "катионной" вторичной ионной масс-спектрометрии, оже-электронной спектроскопии и сканирующей электронной микроскопии, совмещенной с рентгеновским дисперсионным микроанализом. Показано, что представленный комплекс аналитических измерений позволяет эффективно решать проблемы, связанные с физическим контролем процесса образования ультратонких слоев силицидов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/02/p122-128.pdf Доп.точки доступа: Рудаков, В. И.; Денисенко, Ю. И.; Наумов, В. В.; Симакин, С. Г. |
536.42 Г 646 Гомоюнова, М. В. Формирование сверхтонких магнитных пленок кобальта на поверхности Si (111) 7x7 [Текст] / М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, И. И. Пронин // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 6. - С. 120-124. - Библиогр.: c. 123-124 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): магнитные пленки -- сверхтонкие магнитные пленки -- кобальт -- фотоэлектронная спектроскопия -- напыление кобальта -- силицид кобальта -- интерфейсный силицид кобальта -- твердые растворы -- островковые пленки -- кремний -- кремниевые поверхности -- рост пленок -- ферромагнитное упорядочение Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения и магнитного линейного дихроизма исследованы фазовый состав, электронное строение и магнитные свойства сверхтонких пленок кобальта (толщиной до 20 Angstrem), формирующихся при напылении металла на поверхность кремния Si (111) 7x7, находящуюся при комнатной температуре. Показано, что с увеличением покрытия на поверхности кремния последовательно образуются интерфейсный силицид кобальта и островковая пленка твердого раствора кремния в кобальте. Рост металлической пленки кобальта начинается после нанесения ~7 Angstrem Co. Обнаружено, что ферромагнитное упорядочение системы, характеризуемое намагниченностью вдоль поверхности образца, наступает после напыления ~6 Angstrem Co на стадии формирования твердого раствора Co-Si. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/06/p120-124.pdf Доп.точки доступа: Гребенюк, Г. С.; Пронин, И. И. |
536.42 Ф 796 Формирование интерфейса Сo/Si(110): фазовый состав и магнитные свойства / М. В. Гомоюнова [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 6. - С. 78-84. - Библиогр.: c. 83-84 (30 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): фотоэлектронная спектроскопия -- синхротронное излучение -- магнитный линейный дихроизм -- фотоэмиссия электронов -- интерфейсы -- силициды -- кобальт -- кремний -- силицид кобальта -- интерфейсный силицид кобальта -- твердые растворы -- ферромагнитное упорядочение -- напыление -- отжиг -- ферромагнитный силицид кобальта -- немагнитные силициды кобальта Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения, а также магнитного линейного дихроизма в фотоэмиссии остовных электронов исследовано формирование интерфейса Сo/Si (110) 16 x 2 и его магнитные свойства. Показано, что при покрытиях менее 7 Angstrem нанесение кобальта на поверхность кремния, находящуюся при комнатной температуре, приводит к образованию сверхтонкого (1. 7 Angstrem) слоя интерфейсного силицида кобальта и пленки твердого раствора кремния в кобальте. Ферромагнитное упорядочение интерфейса возникает при дозе напыления, равной 6-7 Angstrem, когда на слое твердого раствора начинает расти пленка металлического кобальта. Отжиг образца, покрытого пленкой Со нанометровой толщины, приводит при температурах выше ~300oC к постепенному исчезновению пленки металла и формированию четырех силицидных фаз - метастабильного ферромагнитного силицида Co[3]Si и трех стабильных немагнитных силицидов кобальта - Co[2]Si, CoSi и CoSi[2]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/06/p78-84.pdf Доп.точки доступа: Гомоюнова, М. В.; Гребенюк, Г. С.; Попов, К. М.; Пронин, И. И. |