Нормальный и аномальный гистерезис проводимости в канале прозрачного сегнетоэлектрического транзистора [Текст] / И. Е. Титков [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 7. - С. 1448-1450. - Библиогр.: с. 1450 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гистерезисы проводимости каналов -- транзисторы -- сегнетоэлектрические транзисторы -- каналы транзисторов -- лазерные напыления -- пленки -- сегнетоэлектрические пленки -- заряды ловушки -- поляризационные заряды Аннотация: Созданы и исследованы структуры прозрачного сегнетоэлектрического полевого транзистора PZT/SnO[2]/Al[2]O[3] с "нормальным" и "аномальным" гистерезисом проводимости канала. Впервые получена "нормальная" петля модуляции в данной структуре. В качестве канала полевого транзистора использовались легированные сурьмой эпитаксиальные пленки SnO[2/]Al[2]O[3], напыленные YAG-лазером из металлической мишени. Сегнетоэлектрические пленки PZT осаждались магнетронным распылением. Распределение глубоких уровней на границе PZT/SnO[2] измерялось модифицированным методом релаксационных токов. Установлено, что соотношение поляризационного заряда и заряда ловушек на границе PZT/SnO[2] критически влияет на направление гистерезиса проводимости канала. Доп.точки доступа: Титков, И. Е.; Пронин И. П.; Каптелов Е. Ю.; Делимова Л. А.; Линийчук И. А.; Грехов И. В. |