Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440-470 нм [Текст] / А. Ф. Цацульников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 96-100 : ил. - Библиогр.: с. 100 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиодные структуры -- квантовые ямы -- КЯ -- сверхтонкие квантовые ямы -- короткопериодные сверхрешетки -- КПСР -- InGaN/GaN -- диоды -- мощные светоизлучающие диоды -- варизонная активная область -- эффективность -- квантовая эффективность -- излучения -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- фотолюминесценция -- ФЛ Аннотация: Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств светодиодных структур с активной областью на основе сверхтонких InGaN-квантовых ям, ограниченных с обеих сторон короткопериодными сверхрешетками InGaN/GaN. Исследованы зависимости эффективности излучения от дизайна активной области. Показано, что использование InGaN/GaN в качестве ограничивающих варизонных короткопериодных сверхрешеток позволяет существенно увеличить квантовую эффективность излучения. Доп.точки доступа: Цацульников, А. Ф.; Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Заварин, Е. Е.; Усов, С. О.; Николаев, А. Е.; Черкашин, Н. А.; Бер, Б. Я.; Казанцев, Д. Ю.; Мизеров, М. Н.; Hee Seok Park; Hytch, M.; Hue, F. |