Елесин, В. Ф. Перестраиваемый терагерцовый генератор на двухъямной наноструктуре с когерентной электронной подсистемой [Текст] / В. Ф. Елесин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 128, N 5. - С. 922-937. - Библиогр.: с. 937 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): терагерцовый генератор -- двухъямная наноструктура -- когерентная электронная подсистема -- электроны -- когерентное резонансное туннелирование электронов -- электромагнитное поле -- генерация электромагнитного поля -- генераторы -- резонансное туннелирование электронов -- электронная подсистема Аннотация: Изучена двухъямная наноструктура (ДНС), состоящая из двух туннельно связанных одинаковых ям, к которым приложено постоянное электрическое напряжение V[dc]. Такая структура дает возможность генерации электромагнитного поля в актуальном терагерцовом диапазоне (труднодостижимом для каскадных лазеров) с плавной перестройкой частоты и облегчает выполнение условий когерентности (поскольку частота генерации меньше частоты оптического фонона), сохраняя присущие когерентному лазеру преимущества. |
Нелин, Е. А. Резонансные параметры двухбарьерных структур [Текст] / Е. А. Нелин // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып: вып. 10. - С. 6-11
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): двухбарьерные структуры -- резонансное туннелирование электронов -- импедансный подход -- резонансные параметры Аннотация: Получены аналитические выражения для собственных значений и ширины уровней энергии двухбарьерных структур. |
Шишлов, Н. М. Природа высокопроводящего состояния в полидифениленфталиде [Текст] / Н. М. Шишлов // Химическая физика. - 2010. - Т. 29, N 4. - С. 75-83 : ил. - Библиогр.: с. 82-83 (43 назв. ) . - ISSN 0207-401X
Рубрики: Физика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): высокопроводящие состояния -- полидифениленфталид -- тонкие пленки -- несопряженные полимеры -- ПДФ -- ВПС -- широкозонные полимеры -- электронные структуры -- макромолекулы -- электрические поля -- инжектированные электроны -- электроноакцепторные свойства -- молекулярная электроника -- транспортные узлы -- резонансное туннелирование электронов -- когерентное туннелирование электронов -- туннелирование электронов -- инжекция электронов -- резонансная инжекция -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- химическое подключение -- интерфейсные диполя -- гидроксильные группы -- каброксильные группы -- каброксилат-ионы -- диссоциативные захваты -- фталидные циклы -- молекулы ДНК -- полевая эмиссия -- проводимость электронов Аннотация: Для тонких пленок ряда несопряженных полимеров, в том числе и полидифениленфталида (ПДФ), наблюдается во многом загадочный переход в металлоподобное высокопроводящее состояние (ВПС). Проанализированы существующие модели ВПС в широкозонных полимерах. Главной особенностью этих моделей является существенное преобразование (часто маловероятное) электронной структуры части макромолекул под действием внешних факторов (электрическое поле, свет, инжектированные электроны и др. ). Предлагается концепция ВПС в ПДФ, основанная на результатах изучения электроноакцепторных свойств фрагментов макромолекул ПДФ и представлениях молекулярной электроники. В качестве транспортных узлов для резонансного когерентного туннелирования электронов рассматриваются электроноакцепторные вакантные орбитали фрагментов макромолекул и соответствующие им уровни энергии. В отсутствие собственных носителей заряда в ПДФ решающую роль в образовании ВПС играют эффективная инжекция электронов из электродов и, соответственно, процессы в интерфейсе. Резонансная инжекция электронов с уровня Ферми электродов непосредственно на транспортные уровни полимера достигается за счет приложенного электрического поля, "химического подключения" макромолекул к электродам и соответствующей модификации интерфейсного диполя. Присоединение макромолекул ПДФ к электродам может происходить по дефектным гидроксильным и карбоксильным группам. Карбоксилат-ион, вступающий во взаимодействие с металлом, может также образоваться при диссоциативном захвате инжектированного электрона фталидным циклом, примыкающим к электроду. В проводящем канале при толщине пленки в 1 мкм должно быть больше десяти макромолекул ПДФ, поэтому необходимо предположить наличие эффективного переноса электрона между макромолекулами. Для обоснования концепции привлекаются также литературные данные по изучению проводимости молекул ДНК и полевой эмиссии электронов из металлов, покрытых пленкой ПДФ. |
539.2 К 220 Карева, Г. Г. Электрофизические явления в структуре металл/наноокисел/p{+}-кремний при трансформации ее в резонансно-туннельный диод / Г. Г. Карева, авт. М. И. Векслер // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1087-1093 : ил. - Библиогр.: с. 1092-1093 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрофизические явления -- металл-диэлектрик-полупроводник -- МДП -- кремниевая электроника -- резонансно-туннельные диоды -- РТД -- квантовые ямы -- КЯ -- уровни легирования -- кремний -- Si -- наноокислы -- резонансное туннелирование электронов -- туннелирование электронов -- электроны -- наноструктуры -- свойства наноструктуры -- диоды -- область пространственного заряда -- ОПЗ Аннотация: Для исследования и разработки новой компонентной базы кремниевой электроники проведен анализ электрофизических явлений в структуре металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) при переводе ее размерных параметров в нанометровый диапазон благодаря увеличению уровня легирования дырочного Si до N[A]~ 10{19} см{-3} и уменьшению толщины окисла до 0. 4-4. 0 нм. В результате становится возможным с помощью относительно небольшого (единицы вольт) запирающего напряжения создать необходимые и достаточные условия для резонансного туннелирования электронов. Это приводит к трансформации МДП конденсатора в резонансно-туннельный диод, которая сопровождается принципиальным расширением свойств и функций МДП наноструктуры. To investigate and develop novel silicon-based electronic components, the electro-physical effects in a metal-insulator- semiconductor (MIS) structure with nanometer size parameters, gained by enhancement of the silicon doping level up to N[A] ~ 10{19} cm? 3 and reduction of the oxide thickness down to 0. 4-4. 0 nm, have been studied. As a result of such changes, the MIS nanostructure satisfies necessary and sufficient conditions for the electron resonant tunneling that can be observed at relatively low (some volts) reverse biases. Thereby a MIS capacitor can be transformed into a resonant-tunneling diode with substantial extension of its properties and functions. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1087-1093.pdf Доп.точки доступа: Векслер, М. И.; Санкт-Петербургский государственный университетФизико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |