Абрамов, И. И. Теоретическое исследование приборных структур, содержащих резонансно-туннельные диоды [Текст] / И. И. Абрамов, А. В. Королев // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.132-133 (40 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): резонансно-туннельные диоды -- приборные структуры -- многозначная логика -- преобразователи частоты -- генераторы сигналов -- взрывчатые вещества Аннотация: С помощью предложенных электрических моделей и разработанного комплекса программ EC-RTS-NANODEV проведено теоретическое исследование нескольких простых приборных структур, включающих резонансно-туннельные диоды. Показано, что проанализированные структуры могут использоваться в качестве элементов многозначной логики, преобразователей частоты и генераторов самых различных сигналов, включая гармонические, релаксационные и хаотические Доп.точки доступа: Королев, А.В. |
621.315.592 Г 671 Горбатюк, А. В. Теория и моделирование комбинированных механизмов ограничения области безопасной работы полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники / А. В. Горбатюк, Д. В. Гусин, Б. В. Иванов // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 373-382 : ил. - Библиогр.: с. 381-382 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): аналитические модели -- биополярные переключатели с распределенными микрозатворами -- БПЗМ -- микрозатворы -- тиристорные микрочипы -- область безопасной работы -- ОБР -- внешнее полевое управление -- полевое управление -- низкие напряжения -- высокие напряжения -- катодные эммитеры -- область объемного заряда -- неидеальные микротиристоры -- НМТ -- силовая микроэлектроника -- имитационное компьютерное моделирование -- компьютерное моделирование -- приборные структуры -- оптимизация структур Аннотация: Разработана обобщенная аналитическая модель процесса выключения биполярных переключателей с микрозатворами, учитывающая роль технологических и конструктивных несовершенств реальных структур в ограничении области их безопасной работы. На примере тиристорного микрочипа с внешним полевым управлением, работающего в схеме инвертора напряжения, проведено количественное определение границы области безопасной работы по выключаемому току. Установлено, что для неидеальной структуры эта граница в области низких напряжений определяется эффектом регенеративного отпирания катодного эмиттера, а со стороны высоких напряжений - возникновением локализации тока в "возмущенных" ячейках с участием динамического пробоя. Обсуждаются возможные применения разработанной модели для указания направлений оптимизации приборных структур с повышением их максимального коммутируемого тока. Адекватность результатов применения модели проверена с помощью имитационного компьютерного моделирования. The generalized analytical model for turn-off transient of bipolar switches with micro gates is derived taking into account both technological and design imperfectnesses limiting their safe operating area. For the specific case of thyristor microchip with external MOS-control and typical voltage source inverter circuit the safe operating area boundary with respect to turn-off current is quantitatively determined. It is found that for the non-ideal structure this boundary in the low-voltage range is due to the effect of regenerative cathode opening, whereas at high working voltages the onset of current localization in perturbed cells under dynamic avalanche controls the safe operating area upper limit. The possible applications of the model indicating the directions of device optimization with increasing maximum switching current are discussed. The adequacy of the results of the model derived is verified by numerical simulation. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p373-382.pdf Доп.точки доступа: Гусин, Д. В.; Иванов, Б. В. |
539.2 О-754 Особенности формирования графеновых слоев из аморфных углеродных и кремний-углеродных пленок / Э. А. Ильичев [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 2. - С. 10-15 : ил. - Библиогр.: с. 15 (6 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графеновые слои -- углеродные пленки -- кремний-углеродные пленки -- формирование слоев -- приборные структуры -- технологические процедуры -- атомы углерода -- термодиффузия -- гетерограницы слоев -- коэффициенты диффузии -- фазовые переходы -- углеродные квазижидкости Аннотация: Обсуждаются результаты формирования на приборных структурах графеновых слоев из аморфных углеродных и кремний-углеродных пленок посредством использования последовательности технологических процедур, включающих процессы термодиффузии атомов углерода, их накопления на гетерогранице слоев с существенно различными коэффициентами диффузии и последующего фазового перехода углеродная квазижидкость-графеновый слой. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/02/p10-15.pdf Доп.точки доступа: Ильичев, Э. А.; Кириленко, Е. П.; Петрухин, Г. Н.; Рычков, Г. С.; Сахаров, О. А.; Хамдохов, Э. З.; Чернявская, Е. С.; Шупегин, М. Л.; Щекин, А. А.; Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва) |