Дергачева, М. Б. Электроосаждение полупроводниковых пленок CuInSe2 на стеклоуглеродном электроде из сернокислых электролитов [Текст] / М. Б. Дергачева, В. В. Чайкин // Журнал прикладной химии. - 2008. - Т. 81, вып: вып. 4. - С. 576-579. - Библиогр.: с. 579 (2 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): диселенид индия меди -- индий -- медь -- полупроводниковые пленки -- преобразователи солнечной энергии -- рентгенофазовый анализ -- селен -- сернокислые растворы -- солнечные элементы -- стеклоуглеродные электроды -- фототок -- электролиз -- электроосаждение Аннотация: Исследовано электрохимическое поведение ионов селена, меди, индия при совместном соосаждении на стеклоуглеродном электроде из сернокислых растворов. Доп.точки доступа: Чайкин, В. В. |
Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si (001) для высокоэффективных тандемных А{III}B{v}/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке [Текст] / М. А. Путято [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 26-33. - Библиогр.: c. 33 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): GaAs -- активная кремниевая подложка -- атомно-слоевая эпитаксия -- гетеропереход -- гетероструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- преобразователи солнечной энергии -- солнечная энергия -- солнечные элементы Аннотация: Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был предложен метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образования островков, если первый монослой GaAs был сформирован методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре (200-350 С). Был найден режим выращивания пленок GaAs на Si с плотностью прорастающих дислокаций менее 10 {6} см{-2}, что соответствует лучшим мировым достижениям. Показано, что при выращивании гетероперехода GaAs/Si в приповерхностном слое кремния формируется р-n-переход. Это позволяет создать высокоэффективные каскадные преобразователи солнечной энергии на основе соединений А{III}B{v} на активной подложке Si в едином ростовом цикле. Доп.точки доступа: Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Емельянов, Е. А.; Паханов, Н. А.; Преображенский, В. В. |
539.2 С 494 Случинская, И. А. Структурное положение и зарядовое состояние никеля в SrTiO[3] / И. А. Случинская, А. И. Лебедев, А. Ерко // Физика твердого тела. - 2014. - Т. 56, вып. 3. - С. 442-447 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (27 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): XAFS-спектроскопия -- зарядовое состояние никеля -- кристаллография в целом -- преобразователи солнечной энергии -- рентгеновская дифракция -- структурное положение никеля -- титанат стронция Аннотация: Исследованы свойства титаната стронция, легированного никелем, с помощью рентгеновской дифракции и XAFS-спектроскопии. Доп.точки доступа: Лебедев, А. И.; Ерко, А.; Московский государственный университет; Московский государственный университетHelmholtz-Zentrum, BESSY GmbH (Berlin (Germany) |