547.135 Ч 184 Чанкина, Т. И. Термодинамические свойства индивидуальных ионов в неводных растворах на основе метода вольтовых разностей потенциалов [Текст] / Т. И. Чанкина, С. А. Чуловская, В. И. Парфенюк // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2003. - Т. 46, N 8. - Библиогр.: с. 79 (24 назв. ). - ил.: 3 табл., 1 рис. . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Химия--Органическая химия Кл.слова (ненормированные): вольтовые разности потенциалов -- ионы -- метод вольтовых разностей -- пересольватация ионов -- поверхностные потенциалы -- разность потенциалов -- растворители -- термодинамические характеристики Аннотация: Приведены и проанализированы данные по термодинамическим характеристикам пересольватации ионов хлора, натрия и калия в смесях воды с диметилсульфоксидом, а также значения поверхностных потенциалов для исследуемого растворителя на границе раствор/газовая фаза. Представленные величины рассчитаны на основе метода вольтовых разностей потенциалов при 298. 15 К. Доп.точки доступа: Чуловская, С. А.; Парфенюк, В. И. |
Изучение особенностей проявления электретного эффекта в двухслойных полимерных пленках [Текст] / М. Ф. Галиханов [и др. ] // Журнал прикладной химии. - 2008. - Т. 81, вып: вып. 1. - С. 90-94. - Библиогр.: с. 94 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Химия полимеров Кл.слова (ненормированные): антикоррозионные покрытия -- винилацетаты -- двухслойные пленки -- короноэлектреты -- механизм деполяризации -- поверхностные потенциалы -- полимерные диэлектрики -- полимерные пленки -- полиэтилен высокого давления -- сополимеры этилена -- термостимулированная деполяризация -- термостимулированная релаксация -- электретные эффекты Аннотация: Предложен механизм деполяризации двухслойных короноэлектретов. Доп.точки доступа: Галиханов, М. Ф.; Темнов, Д. Э.; Козлов, А. А.; Петрова, А. А.; Гороховатский, Ю. А.; Дебердеев, Р. Я. |
Торхов, Н. А. Фрактальная геометрия поверхностного потенциала электрохимически осажденных пленок платины и палладия [Текст] / Н. А. Торхов, В. А. Новиков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1109-1116 : ил. - Библиогр.: с. 1115-1116 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поверхностные потенциалы -- пленки -- электрохимически осажденные пленки -- платина -- палладий -- размерности -- пространственные размерности -- пространственные размерности Хаусдорфа-Безиковича -- Хаусдорфа-Безиковича пространственные размерности -- топографические размерности -- фрактальные размерности -- фрактальная геометрия -- потенциальные рельефы поверхности -- неоднородности -- контактная разность потенциалов -- КРП -- электрические заряды -- линейные размеры -- субмикронные размеры -- наноразмеры Аннотация: Поверхностные потенциалы электрохимически осажденных тонких пленок палладия и платины сильно неоднородны и отражают зернистую структуру рельефов их поверхностей. Значения пространственных размерностей Хаусдорфа-Безиковича поверхностных потенциалов этих пленок значительно превышают топологическую размерность их проекций, что свидетельствует об их фрактальной геометрии. Было установлено, что поверхности пленок платины и палладия отличаются не только своим разбросом абсолютных значений неоднородностей поверхностных потенциалов, но и формой и характером их распределения. Это оказывает существенное влияние на способ формирования (геометрию) их потенциальных рельефов и на значения их фрактальных размерностей. Кроме того, фрактальная геометрия потенциальных рельефов поверхностей этих пленок приводит к тому, что изменение полного электрического заряда их поверхностей происходит не пропорционально квадрату изменения линейных размеров исследуемых участков, как в двумерном случае, а значительно медленнее - пропорционально изменению их линейных размеров в степени (4 - D[f]), где 2 < D[f] < 3. В результате показано, что для точного проектирования приборов с металлическими элементами субмикронных и наноразмеров на основе тонких пленок платины и палладия необходимо учитывать и их фрактальную геометрию. Доп.точки доступа: Новиков, В. А. |
544 Т 502 Товбин, Ю. К. Расслаивание адсорбата в узкопористых материалах [Текст] / Ю. К. Товбин // Журнал физической химии. - 2008. - Т. 82, N 10. - С. 1805-1820. - Библиогр.: c. 1819-1820 (58 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): адсорбаты -- расслаивание -- конденсация -- узкопористые материалы -- пористые системы -- перекрытие потенциалов взаимодействия -- поверхностные потенциалы -- изотермы адсорбции-десорбции -- пористые среды -- пористые материалы Аннотация: Обсуждены условия расслаивания молекул адсорбата в пористых системах с характерным размером от 1 до 50-100 нм, содержащих как очень узкие поры, в которых происходит перекрытие потенциалов взаимодействия между стенками поры, так и относительно широкие поры, в которых перекрытие поверхностных потенциалов отсутствует. |
537 Р 243 Распределение электрического поля в p-n-переходах кремниевых детекторов с торцевой чувствительностью [Текст] / В. К. Еремин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1282-1289 : ил. - Библиогр.: с. 1288 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): p-n переходы -- кремниевые детекторы -- торцевая чувствительность -- электрические поля -- эксперименты -- Большой адронный коллайдер -- протоны -- протонные пучки -- БАК -- детекторы с торцевой чувствительностью -- edgeless-детекторы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- поверхностные потенциалы Аннотация: Разработка кремниевых детекторов с торцевой чувствительностью (edgeless-детекторов) началась в 2004 г. в связи с подготовкой эксперимента TOTEM на Большом адронном коллайдере в ЦЕРНе. В рамках данного эксперимента необходимо регистрировать протоны, рассеянные под предельно малыми углами по отношению к протонному пучку БАК, что приводит к ограничению на максимальное расстояние между пучком и чувствительной областью детекторов. Для решения этой задачи был разработан новый тип кремниевых детекторов - детекторы с торцевой чувствительностью (edgeless-детекторы), имеющие структуру, контролирующую распределение тока вблизи края p-n-перехода. В настоящей работе исследованы распределение потенциала и электрического поля в области торца кремниевых edgeless-детекторов, обсуждаются модели, объясняющие полученные результаты, и их соответствие вольт-амперным характеристикам кремниевых edgeless-детекторов, разработанных для эксперимента TOTEM. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1282-1289.pdf Доп.точки доступа: Еремин, В. К.; Налетко, А. С.; Вербицкая, Е. М.; Еремин, И. В.; Егоров, Н. Н. |
539.227 Э 455 Электронная эмиссия и зарядка природного алмаза при его облучении электронами средних энергий [Текст] / Е. Н. Евстафьева [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 10. - С. 1460-1463. - Библиогр.: c. 1463 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика твердого тела Радиоэлектроника Электроника Кл.слова (ненормированные): алмазы -- зарядовые характеристики -- измерения -- кристаллы -- облучение -- поверхностные потенциалы -- природные алмазы -- экспериментальные исследования -- электронная эмиссия -- электронно-эмиссионные свойства -- электроны -- эффекты зарядки Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований процесса зарядки кристалла природного алмаза под воздействием электронного пучка с энергией первичных электронов в диапазоне 1-30 кэВ. Изучена кинетика зарядки в зависимости от дозы облучения и электронно-эмиссионных свойств кристалла. Определены такие фундаментальные характеристики, как значение второй кроссоверной равновесной энергии облучающих электронов, величины высоковольтных поверхностных потенциалов и аккумулированных зарядов. Доп.точки доступа: Евстафьева, Е. Н.; Дицман, С. А.; Рау, Э. И.; Чукичев, М. В. |
621.315.592 Я 890 Яфаров, Р. К. Формирование встроенного потенциала в кристаллах кремния (100) при СВЧ плазменной микрообработке / Р. К. Яфаров // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 529-534 : ил. - Библиогр.: с. 534 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): результаты исследований -- электронные свойства -- поверхность кремния -- монокристаллы кремния -- кремний -- оксидные покрытия -- плазменная микрообработка -- СВЧ плазменная микрообработка -- низкоэнергетичная СВЧ плазменная микрообработка -- электрофизические свойства -- функциональные свойства -- поверхностные потенциалы -- химическая активность -- полупроводниковые кристаллы -- кристаллы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ Аннотация: Приведены результаты исследований закономерностей влияния на электронные свойства поверхности монокристаллов кремния кристаллографической ориентации (100) с естественным оксидным покрытием низкоэнергетичной СВЧ плазменной микрообработки в различных плазмообразующих средах. Рассмотрены модельные механизмы процессов и факторы, обеспечивающие устойчивую модификацию электронных свойств поверхности кристаллов кремния за счет формирования встроенных поверхностных потенциалов, определяемых химической активностью используемых рабочих газов при плазменной микрообработке в условиях слабой адсорбции. Показана принципиальная возможность активного формирования электронных свойств поверхности полупроводниковых кристаллов с целью расширения их электрофизических и функциональных свойств. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p529-534.pdf Доп.точки доступа: Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук. Саратовский филиал |
539.2 С 232 Сбор фотоносителей в высокоомных кремниевых аморфно-кристаллических гетероструктурах / И. М. Котина [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1198-1204 : ил. - Библиогр.: с. 1204 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): высокоомные кремниевые аморфно-кристаллические гетероструктуры -- кремниевые аморфно-кристаллические гетероструктуры -- аморфно-кристаллические гетероструктуры -- гетероструктуры -- спектры фоточувствительности -- фоточувствительность -- удельное сопротивление -- гетерограницы -- поверхностные потенциалы -- фототоки Аннотация: Pассматривается механизм электронного транспорта в аморфно-кристаллических гетероструктурах, созданных на основе высокоомного p-кремния, с целью объяснения особенностей экспериментальных спектров фоточувствительности указанных структур, приготовленных на подложках с различным удельным сопротивлением. Выясняется причина образования инверсионного слоя на гетерогранице в данных структурах и влияние удельного сопротивления на величину поверхностных потенциалов. Приведены нетривиальные данные о влиянии работы выхода металлических контактов к аморфной пленке на механизм образования фототока. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1198-1204.pdf Доп.точки доступа: Котина, И. М.; Данишевский, А. М.; Коньков, О. И.; Теруков, Е. И.; Тухконен, Л. М.; Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Константинова; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. КонстантиноваСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина) |