539.2 К 701 Корхмазян, Н. А. Потенциал плоскостного каналирования в поверхностном слое кристалла LiH [Текст] / Н. А. Корхмазян, Н. Н. Корхмазян, Н. Э. Бабаджанян // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 12. - Библиогр.: c. 100 (3 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гидрид лития -- деканалирование -- плоскостное каналирование -- потенциал каналирования Аннотация: Показано, что потенциал в поверхностном слое кристалла несколько отличается от потенциала в глубине кристалла. Это отличие крайне мало, порядка 3%. Показано также, что толщина слоя, в котором имеет место это изменение, пренебрежимо мала по сравнению с длиной деканалирования. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/12/page-98.html.ru Доп.точки доступа: Корхмазян, Н. Н.; Бабаджанян, Н. Э. |
539.2 К 31 Кашлев, Ю. А. Локальная стохастическая теория каналирования. Кинетические функции в условиях взаимодействия быстрых частиц с атомами решетки [Текст] / Ю. А. Кашлев // Теоретическая и математическая физика. - 2004. - Т. 140, N 1. - С. 86-99. - Библиогр.: с. 99 (19 назв. ). - Кинетические функции в условиях взаимодействия быстрых частиц с атомами решетки. - ил.: 2 рис. . - ISSN 0564-6162
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): кинетические функции -- атомы решетки -- уравнения Фоккера-Планка -- Фоккера-Планка уравнения -- стохастические теории -- марковские процессы -- плоскостное каналирование -- энергетические потери -- поперечные энергии Аннотация: На основе аналитических методов теории марковских процессов, в том числе с использованием локального уравнения Фоккера-Планка, исследовано движение высокоэнергетических частиц в кристаллах с учетом их взаимодействия с тепловыми колебаниями решетки. |
530.1 Б 202 Балашов, В. В. Угловая анизотропия характеристического рентгеновского излучения и оже-электронов в процессе резонансного когерентного возбуждения релятивистских ионов при плоскостном каналировании [Текст] / В. В. Балашов, А. А. Соколик, А. В. Стысин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып. 1. - С. 164-171. - Библиогр.: с. 171 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): каналирование -- оже-электроны -- угловая анизотропия -- ионы -- излучения -- рентгеновское излучение -- анизотропия -- плоскостное каналирование -- релятивистские ионы -- резонансное когерентное возбуждение -- характеристическое рентгеновское излучение -- когерентное возбуждение Аннотация: Исследована угловая анизотропия характеристического рентгеновского излучения и оже-электронов в процессе резонансного когерентного возбуждения релятивистских ионов при плоскостном каналировании. Доп.точки доступа: Соколик, А. А.; Стысин, А. В. |
Коротченко, К. Б. Особенности заселенностей квантовых состояний при плоскостном каналировании электронов и позитронов в кристалле Si [Текст] / К. Б. Коротченко // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 10. - С. 81-85 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Прохождение частиц через вещество Кл.слова (ненормированные): квантовые состояния -- плоскостное каналирование -- электроны -- позитроны -- кремний Аннотация: Показано, что учет зонной структуры энергетических уровней поперечного движения электронов и позитронов при плоскостном каналировании приводит к качественному изменению картины начальных заселенностей. Более того, схема заселенностей соседних энергетических зон заметно отличается от привычной схемы для изолированной потенциальной ямы, для которой заселенности всех четных зон (номер основного состояния принят за единицу) равны нулю. Расчеты проведены для плоскостей каналирования (110) и (111) кристалла Si при гамма = 20, 25, 35, 50, 75 и 100. Исследована зависимость заселенности от угла падения частиц на плоскость каналирования. |
Балашов, В. В. Поляризация фотонов, испускаемых в процессе резонансного когерентного возбуждения релятивистских ионов в условиях плоскостного каналирования [Текст] / В. В. Балашов, В. К. Долинов, А. А. Соколик // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып: вып. 8. - С. 463-467
Рубрики: Физика Классическая электродинамика. Теория относительности Кл.слова (ненормированные): рентгеновское излучение -- релятивистские ионы -- плоскостное каналирование -- резонансное когерентное возбуждение -- параметры Стокса -- Стокса параметры Аннотация: Недавнее наблюдение сильной анизотропии характеристического рентгеновского излучения при резонансном когерентном возбуждении релятивистских ионов Fe\{24+\} в условиях плоскостного каналирования в кристалле кремния ставит метод резонансного когерентного возбуждения в ряд кандидатов в источники поляризованного рентгеновского излучения. На основе аппарата матрицы плотности мы выполнили расчеты параметров Стокса излучения. Поведение поляризационных характеристик излучения в различных направлениях объяснено исходя из рассмотрения свойств возбуждающей ион резонансной части поля кристалла, которая имеет вид эллиптически поляризованного электрического поля. Доп.точки доступа: Долинов, В. К.; Соколик, А. А. |
Сыщенко, В. В. Моделирование некогерентного излучения быстрых частиц в ориентированном кристалле [Текст] / В. В. Сыщенко, А. И. Тарновский, Н. Ф. Шульга // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 4. - С. 80-86
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): заряженные частицы -- некогерентное излучение -- кристаллографическая плоскость -- плоскостное каналирование -- атомные цепочки -- тепловые колебания атомов решетки Аннотация: Некогерентное тормозное излучение электронов высокой энергии в кристалле обусловлено тепловым разбросом атомов относительно их равновесного положения в решетке. В настоящей работе развита процедура моделирования некогерентного излучения, основанная на квазиклассических формулах теории тормозного излучения. Продемонстрирована значительная ориентационная зависимость интенсивности жесткого некогерентного излучения при углах падения электронов на плотноупакованную кристаллографическую ось (плоскость), близких к критическому углу аксиального (плоскостного) каналирования. Результаты моделирования находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными. Доп.точки доступа: Тарновский, А. И.; Шульга, Н. Ф. |
Богданов, О. В. Особенности формирования спектров излучения релятивистских электронов при (111) -плоскостном каналировании в кристалле Si [Текст] / О. В. Богданов, К. Б. Коротченко, Ю. Л. Пивоваров // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 12. - С. 84-88
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектральная интенсивность -- каналирование электронов -- плоскостное каналирование -- тонкие кристаллы кремния -- спектры релятивистских электронов Аннотация: Численно рассчитанна спектральная интенсивность излучения при (111) -каналировании электронов в тонких кристаллах Si при увеличении энергии электронов от 100 до 900 МэВ и изменении угла влета электронов относительно плоскостей (111). Обнаружено, что спектры имеют более сложную структуру, а полный выход излучения в несколько раз выше, чем при (100) - или (110) -каналировании. Доп.точки доступа: Коротченко, К. Б.; Пивоваров, Ю. Л. |
539.1 С 750 Сравнение эффективности отклонения пучков протонов различной энергии изогнутым кристаллом при использовании плоскостного каналирования и стохастического механизма отклонения / А. Г. Афонин [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 99, вып. 4. - С. 203-206
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): протоны -- пучки протонов -- отклонение пучков протонов -- изогнутые кристаллы -- плоскостное каналирование -- стохастический механизм отклонения Аннотация: Проведено сравнение эффективности поворота пучка протонов с кинетической энергией частиц 50, 15 и 1. 3 ГэВ при помощи плоскостного каналирования в изогнутом кристалле кремния и при помощи стохастического механизма поворота заряженных частиц изогнутым кристаллом. Представлены результаты моделирования отклонения протонов при однократном прохождении через кристалл и результаты эксперимента по отклонению циркулирующего пучка, проведенного на ускорителе У-70 ИФВЭ. Доп.точки доступа: Афонин, А. Г.; Баранов, В. Т.; Иванова, И. В.; Маишеев, В. А.; Савин, Д. А.; Чесноков, Ю. А.; Чирков, П. Н.; Ганенко, В. Б.; Кириллин, И. В.; Шульга, Н. Ф.; Трутень, В. И.; Институт физики высоких энергий; Институт физики высоких энергий; Институт физики высоких энергий; Институт физики высоких энергий; Институт физики высоких энергий; Институт физики высоких энергий; Институт физики высоких энергий; Харьковский физико-технический институт (Украина); Харьковский физико-технический институт (Украина); Харьковский физико-технический институт (Украина); Харьковский национальный университет им. Каразина (Украина)Харьковский физико-технический институт (Украина) |