Андрусенко, Д. А. Фототермоакустическое преобразование в композитных системах "пористая матрица-жидкость" [Текст] / Д. А. Андрусенко, Р. М. Бурбело, А. Г. Кузьмич // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 24. - С. 9-16 : ил. - Библиогр.: с. 16 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Газы и жидкости Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): композитные системы -- фототермоакустические преобразования -- матрицы -- пористые матрицы -- пористая матрица-жидкость -- экспериментальные исследования -- композиты -- кремниевые подложки -- монокристаллические кремниевые подложки -- амплитуды -- фотоакустические сигналы -- термоиндуцированные напряжения -- процессы релаксации Аннотация: Экспериментально исследованы особенности фототермоакустического преобразования в системах вида: слой композита "пористый кремний-жидкость" на монокристаллической кремниевой подложке. Показано, что наличие жидкости в порах приводит к существенному увеличению амплитуды и крутизны фронтов фотоакустического сигнала, что объясняется значительным вкладом давления жидкости в термоиндуцированные напряжения в образце. Экстремумы в зависимостях фотоакустического сигнала от времени, наблюдаемые для жидкости с малой вязкостью, связываются с процессом релаксации давления жидкости в порах. Доп.точки доступа: Бурбело, Р. М.; Кузьмич, А. Г. |
539.2 О-627 Оптические свойства нитевидных наноструктур, полученных металлстимулированным химическим травлением пластин слабо легированного кристаллического кремния / К. А. Гончар [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 12. - С. 1654-1659 : ил. - Библиогр.: с. 1658-1659 (23 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптические свойства -- нитевидные наноструктуры -- наноструктуры -- метод спектроскопии отражения -- спектроскопия отражения -- комбинационное рассеяние света -- метод комбинационного рассеяния света -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кремниевые нанонити -- нанонити -- монокристаллические кремниевые подложки -- кремниевые подложки -- подложки -- удельное сопротивление -- носители заряда -- время жизни заряда -- безызлучательная рекомбинация -- легированный кристаллический кремний -- кристаллический кремний -- кремний Аннотация: Методами спектроскопии отражения, комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции были исследованы слои кремниевых нанонитей с диаметрами 20-200 нм, выращенных металлстимулированным травлением монокристаллических кремниевых подложек p-типа с удельным сопротивлением 1-20 Ом x см и ориентацией поверхности (100), полученных от трех компаний-производителей и характеризующихся различным временем жизни фотовозбужденных носителей заряда. Установлено, что для нанонитей с длиной более 1 мкм интенсивность комбинационного рассеяния в 3-5 раз превышает значение для подложек. Интенсивность межзонной фотолюминесценции на длине волны 1. 12 мкм для нанонитей значительно превышала уровень для подложек и была максимальна для образцов с наибольшим объемным временем жизни, что указывает на низкий уровень темпа безызлучательной рекомбинации на поверхности нанонитей. Layers of silicon nanowires with diameters of 20-200 nm, grown by metal-assisted chemical etching of monocrystalline silicon substrates of p-type conductivity with a resistivity of 1-20Ohm x cm and surface orientation (100), which were supplied by three manufacturing companies and were characterized by different lifetimes of photoexcited charge carriers, were investigated by means of the reflection spectroscopy, Raman scattering and photoluminescence. It was found that the Raman intensity for nanowires with length larger than 1micron is 3-5 times stronger than that for the substrates. The intensity of interband photoluminescence at wavelength of 1. 12 Mum for the nanowires exceeded significantly those of the substrates and it was maximal for the samples with the longer volume lifetime that indicates a low rate of the non-radiative recombination on the surface of nanowires. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/12/p1654-1659.pdf Доп.точки доступа: Гончар, К. А.; Осминкина, Л. А.; Сиваков, В.; Лысенко, В.; Тимошенко, В. Ю.; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Leibniz Institute of Photonic Technology (Germany); Nanotechnology Institute of Lyon (France); Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова |