539.2 Б 934 Буторович, Д. В. Особенности формирования пленок иттебрия на поверхности Si (111) при комнатной температуре [Текст] / Д. В. Буторович, М. В. Кузьмин, М. В. Логинов, М. А. Митцев // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 1. - С. 168-172. - Библиогр.: с. 172 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): пленки иттебрия -- иттебрий -- аморфные пленки атомов кремния -- метод контактной разности потенциалов -- метод электронной Оже-спектроскопии -- метод дифракции медленных электронов -- метод термодесорбционной спектроскопии Аннотация: С помощью методов контактной разности потенциалов электронной Оже-спектроскопии, дифракции медленных электронов и термодесорбционной спектроскопии исследованы процессы, сопровождающие формирование пленок иттебрия на поверхности Si (111) при комнатной температуре. Показано, что растущие пленки металла однородны по толщине и что растворение атомов Si в них практически отсутствует. Установлено. что ограниченная диффузия атомов кремниевой подложки в металлическую пленку Yb может происходить только при облучении поверхности первичными пучками высокоэнергетичных электронов, применяемых в методе электронной Оже-спектроскопии. На основании полученных результатов сделан вывод, что наблюдавшиеся нами ранее размерные осцилляции работы выхода в тонкопленочных структурах Yb-Si (111) не могут быть обусловлены растворением атомов кремния в осаждаемой пленке иттебрия. Доп.точки доступа: Кузьмин, М. В.; Логинов, М. В.; Митцев, М. А. |
Микушкин, В. М. Химическое действие пучка инертного аргона на нитридный нанослой, сформированный ионной имплантацией поверхности GaAs [Текст] / В. М. Микушкин // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 24. - С. 40-47 : ил. - Библиогр.: с. 47 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Газы и жидкости Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аргон -- инертный аргон -- пучки аргона -- химические действия -- нанослои -- нитридные нанослои -- ионы -- имплантация ионов -- спектроскопия -- оже-спектроскопия -- электронная спектроскопия -- электронная оже-спектроскопия -- метод электронной оже-спектроскопии -- азот -- химические состояния -- энергии -- химические фазы -- твердые растворы -- оже-переходы -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- нитридные слои -- каскадное перемешивание -- полупроводники -- широкозонные полупроводники -- узкозонные полупроводники Аннотация: Методом электронной оже-спектроскопии исследованы состав и химическое состояние азота нитридного нанослоя, полученного на поверхности GaAs (100) имплантацией ионов N{+}[2] с энергией E[i]=2. 5 keV. Установлено, что помимо GaN в нитридном слое формируется химическая фаза твердого раствора GaAsN. Определены энергии оже-переходов NKVV в этих фазах, равные E[A] (GaN) =379. 8± 0. 2 eV и E[A] (GaAsN) =382. 8± 0. 2 eV относительно уровня Ферми, что позволило установить распределение азота в фазах: [N (GaN) ]=70% и [N (GaAsN) ]=30%. Обнаружено химическое действие пучка ионов аргона на нитридный слой, связанное с каскадным перемешиванием материала. Пучок аргона изменяет распределение азота в указанных фазах на противоположное. В результате формируется нанослой с доминированием фазы не широкозонного GaN, а узкозонного GaAsN полупроводника. |
535.33 П 441 Подгорный, Д. А. Определение толщин сверхтонких пленок методом электронной оже-спектроскопии [Текст] / Д. А. Подгорный, Т. Н. Сметюхова, А. В. Иржак // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2012. - Т. 78, № 8. - С. 33-36. - Библиогр.: с. 36 (9 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Спектроскопия Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхтонкие пленки -- определение толщин пленок -- метод электронной оже-спектроскопии -- электронная оже-спектроскопия -- ионное травление Аннотация: Описана методика определения толщин сверхтонких пленок методом электронной оже-спектроскопии без разрушения материала. Доп.точки доступа: Сметюхова, Т. Н.; Иржак, А. В. |