Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне [Текст] / А. В. Антонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1511-1513 : ил. - Библиогр.: с. 1513 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотопроводимость -- квантовые точки -- КТ -- нанокластеры -- гетероструктуры -- InAs/GaAs -- металл-органическая газофазная эпитаксия -- МОГФЭ -- метод металл-органической газофазной эпитаксии -- длина волны -- комнатная температура -- инфракрасный диапазон -- релаксация (физика) -- атмосферное давление -- реакторы Аннотация: Методом металл-органической газофазной эпитаксии в реакторе атмосферного давления изготовлены многослойные гетероструктуры InAs/GaAs, содержащие плотные массивы слабодефектных, частично релаксированных нанокластеров InAs, более крупных, чем бездефектные квантовые точки. Структуры имеют интенсивную фотопроводимость в диапазоне длин волн 1-2 мкм при комнатной температуре. Обнаружительная способность изготовленных макетов фотоприемников составляет D*=10{9} см x Гц{1/2} x Вт{-1}. Время релаксации фотопроводимости на длине волны 1. 5 мкм составляет менее 10 нс. Доп.точки доступа: Антонов, А. В.; Востоков, Н. В.; Дроздов, М. Н.; Молдавская, Л. Д.; Шашкин, В. И.; Хрыкин, О. И.; Яблонский, А. Н. |