Ферромагнетизм в GaAs структурах с дельта-легированным Mn слоем [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 14. - С. 8-17 : ил. - Библиогр.: с. 16-17 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): ферромагнетизм -- полупроводниковые структуры -- GaAs -- легированные слои -- дельта-легированные слои -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- метод лазерного распыления -- мишени (физика) -- твердотельные мишени -- марганец -- Mn -- металлоорганические соединения -- одиночные дельта-легированные слои -- ростовые циклы -- эффект Холла -- Холла эффект -- магнитополевые зависимости -- нелинейные магнитополевые зависимости -- петля гистерезиса -- холловское сопротивление -- температурные зависимости -- магнитосопротивление -- отрицательное магнитосопротивление -- точка Кюри -- Кюри точка -- коэрцитивная сила Аннотация: Показано наличие ферромагнетизма в полупроводниковых GaAs структурах, полученных сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления твердотельных мишеней в едином ростовом цикле и содержащих одиночный дельта-легированный слой марганца. Структуры демонстрируют нелинейные магнитополевые зависимости сопротивления Холла с петлей гистерезиса (коэрцитивная сила около 80 Oe) и отрицательное магнитосопротивление (до 4% в поле 3000 Oe) при температурах ниже точки Кюри (~ 30 K). Доп.точки доступа: Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Калентьева, И. Л.; Кудрин, А. В. |
621.315.592 Г 220 Гасан-заде, С. Г. Обнаружение третьего уровня (A{+}) вакансии ртути в Cd[x]Hg[1-x]Te [Текст] / С. Г. Гасан-заде, М. В. Стриха, Г. А. Шепельский // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 7. - С. 905-909 : ил. - Библиогр.: с. 909 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): акцепторные состояния -- собственные дефекты -- экспериментальные данные -- ртуть -- полупроводниковые кристаллы -- кристаллы -- нейтральные акцепторы -- дырки -- фотоэлектромагнитный эффект -- ФМЭ -- магнитополевые зависимости Аннотация: В соединениях Cd[x]Hg[1-x]Te обнаружено существование ранее неизвестного мелкого акцепторного состояния (глубина залегания ~1 мэВ), принадлежащего не примеси, а собственному дефекту полупроводникового кристалла. Из анализа экспериментальных данных сделан вывод, что это состояние является третьим уровнем вакансии ртути V[Hg], возникающим благодаря захвату нейтральным акцептором дополнительной дырки (состояние A{+}). Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/07/p905-909.pdf Доп.точки доступа: Стриха, М. В.; Шепельский, Г. А. |
537 П 440 Подавление магнитотуннелирования электронов между параллельными двумерными электронными системами GaAs/InAs корреляционным взаимодействием / Ю. Н. Ханин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1227-1230 : ил. - Библиогр.: с. 1230 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнитотуннелирование электронов -- двумерные электронные системы -- ДЭС -- резонансно-туннельные гетероструктуры -- гетероструктуры -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- туннелирование -- энергетические параметры -- температурные параметры -- резонансное туннелирование -- квантовые ямы -- магнитные поля -- магнитополевые зависимости -- температурные зависимости Аннотация: Исследовано магнитотуннелирование между двумерными электронными системами GaAs/InAs в вертикальных резонансно-туннельных гетероструктурах GaAs/InAs/AlAs. Обнаружен новый тип особенности в туннельной плотности состояний (провал на уровне Ферми), радикально отличающийся от наблюдавшихся ранее при туннелировании между двумерными туннельными GaAs-системами как видом функциональной зависимости, так и энергетическими и температурными параметрами. Данный эффект, как и прежде, проявлялся в подавлении резонансного туннелирования в узком интервале вблизи нулевого смещающего напряжения в сильном магнитном поле, параллельном направлению тока. Получены магнитополевые и температурные зависимости параметров эффекта, и произведено сравнение с результатами существующих теоретических и экспериментальных работ. В качестве возможной причины эффекта предполагается наличие высокой степени беспорядка в коррелированных двумерных электронных системах в результате введения в них структурно несовершенных, напряженных слоев InAs. In this paper we investigate magnetotunneling between GaAs/InAs two-dimensional electron systems in vertical resonant tunneling GaAs/InAs/AlAs heterostructures. We found a new type of singularity in the tunneling density of states (dip on the Fermi level), which was radically defferent from that observed previously in tunneling between two-dimensional GaAs tunnel systems in kind of functional dependence, and energy and temperature parameters. This effect, as in the previous experiments, manifested itself in the suppression of resonant tunneling in a narrow range near zero bias voltage in a strong magnetic field parallel to the current direction. We investigated the magnetic field and temperature dependences of the effect parameters and compared them with the results of existing theoretical and experimental work. As a possible cause of the effect observed we assume a high degree of disorder in the correlated two-dimensional electron systems by introducing into them structurally imperfect, strained layers of InAs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1227-1230.pdf Доп.точки доступа: Ханин, Ю. Н.; Вдовин, Е. Е.; Макаровский, О.; Хенини, М.; Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (Черноголовка); Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (Черноголовка); Школа физики и астрономии, Университет Ноттингема (Великобритания); Школа физики и астрономии, Центр нанотехнологий Университета Ноттингема (Великобритания) |