Панютин, Е. А. Легирование структурно-неоднородных эпитаксиальных слоев фосфида галлия. Диффузионное перераспределение цинка [Текст] / Е. А. Панютин // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 33-40 : ил. - Библиогр.: с. 40 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): легирование слоев -- эпитаксиальные слои -- структурно-неоднородные эпитаксиальные слои -- структурно-неоднородные слои -- фосфид галлия -- GaP -- цинк -- Zn -- распределение цинка -- диффузионное перераспределение цинка -- компьютерное моделирование -- результаты компьютерного моделирования -- процессы диффузии -- диффузия -- эпитаксиальное осаждение -- структурные макродефекты -- винтовая дислокация -- диссоциативные модели -- межузельно-узловая диффузия -- ионы цинка -- вакансии галлия -- результаты анализа решений -- нелинейные задачи -- граничные задачи -- неоднородное распределение концентраций -- экспериментально наблюдаемые аномалии -- обратный ток -- p-n-переходы -- электронно-дырочные переходы Аннотация: Приведены результаты компьютерного моделирования распределений цинка, которые устанавливаются в процессе его диффузии, сопутствующей легированию в ходе эпитаксиального осаждения фосфида галлия. Внутреннее перераспределение вводимого цинка, обусловленное присутствием структурного макродефекта, в частности винтовой дислокации, трактуется в рамках диссоциативной модели межузельно-узловой диффузии, предполагающей существование ионов цинка в двух состояниях с различной подвижностью, активно взаимодействующих с вакансиями галлия. Результаты анализа решений нелинейной граничной задачи, демонстрирующие существование резко неоднородных распределений концентраций ионов цинка, позволяют объяснить ряд экспериментально наблюдаемых аномалий обратного тока GaP-p-n-переходов. |
53.07 Л 385 Легирование бором гетероструктур Si[1-x]Ge[x]/Si в процессе сублимации кремния в среде германа [Текст] / В. Г. Шенгуров [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 13. - С. 24-30 : ил. - Библиогр.: с. 29-30 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- эпитаксиальные слои -- бор -- легирование слоев -- кремний -- сублимация кремния -- процессы сублимации -- германий -- низкотемпературное выращивание -- процессы выращивания -- монокристаллический кремний -- ток -- легированные слои Аннотация: Сообщается о контролируемом легировании эпитаксиальных слоев Si[1-x]Ge[x] бором в процессе низкотемпературного (~ 500° C) выращивания гетероструктур SiGe/Si (100) испарением легированного бором кремниевого источника в среде германа. Источником является легированная бором пластина монокристаллического кремния, нагреваемая до ~ 1300° C пропусканием тока. С использованием данного источника были выращены гетероструктуры с селективно легированными слоями и резким профилем легирования. Максимальная концентрация атомов бора в слоях составляла ~ 1· 10{19} cm{-3}. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/13/p24-30.pdf Доп.точки доступа: Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А.; Шенгуров, Д. В.; Жукавин, Р. Х.; Дроздов, М. Н. |