Investigation of KyF[4]: Yb, ER // KyF[4] nanocrystals – mechanism of the KyF[4] formation [Text] = Исследование KyF[4]: Yb, ER // KyF[4] нанокристаллы – механизм образования KyF[4] / Helmut Schafer [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2009. - Т. 54, N 12. - С. 1997-2002 : рис. - Библиогр.: с. 2002 (24 назв. )
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- нанотехнологии -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- лантаниды -- кубические фазы Доп.точки доступа: Helmut Schafer; Pavel Ptacek; Katharina Hickmann; Manuel Prinz; Manfred Neumann; Markus Haase |
Нестеров, А. А. Низкотемпературный синтез фаз системы PbTiO[3] - PbZrO[3] и электрофизические свойства материалов на их основе [Текст] / А. А. Нестеров, Е. В. Карюков, К. С. Масуренков // Журнал прикладной химии. - 2009. - Т. 82, вып: вып. 3. - С. 382-385. - Библиогр.: c. 385 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): аммонийно-нитратные растворы -- аморфные фазы -- керамические изделия -- кубические фазы -- метод ДТА -- низкотемпературный синтез -- оксиды свинца -- РФА -- электрофизические свойства -- ЭФП Аннотация: Разработаны новые низкотемпературные методы синтеза фаз. Доп.точки доступа: Карюков, Е. В.; Масуренков, К. С. |
Зиненко, В. И. Динамика решетки ВiFеО[3] под гидростатическим давлением [Текст] / В. И. Зиненко, М. С. Павловский // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 7. - С. 1328-1332. - Библиогр.: с. 1332 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гидроскопические давления -- поляризуемость ионов -- ионные кристаллы -- колебания кристаллических решеток -- кристаллические решетки -- кубические фазы -- поляризация -- ромбоэдрические фазы Аннотация: В рамках неэмпирической модели ионного кристалла с учетом дипольной и квадрупольной поляризуемости ионов вычислены значения частот колебаний кристаллической решетки ВiFеО[3] в кубической фазе (Рт3т) и ромбоэдрической парафазе (RЗс). В сегнетоэлектрической фазе с симметрией R3с вычисленное значение спонтанной поляризации 136 мю С умножено на cm[-2] хорошо согласуется с экспериментальными данными. Рассчитаны зависимости от давления объема элементарной ячейки, модулей упругости и частот колебаний. Получено, что частота неустойчивой сегнетоэлектрической моды как в кубической (RЗс), так и в ромбоэдрической (RЗс) фазе практически не зависит от приложенного давления в отличие от классических сегнетоэлектриков со структурой перовскита, где сегнетоэлектрическая неустойчивость очень чувствительна к изменению давления. Доп.точки доступа: Павловский, М. С. |
539.2 О-741 Осипов, В. В. Лазерный синтез нанопорошков в стехиометрии иттрий-алюминиевого граната [Текст] / В. В. Осипов, В. В. Лисенков, В. В. Платонов // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 1. - С. 103-110 : ил. - Библиогр.: с. 110 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанопорошки -- лазерный синтез -- смеси оксидов -- оксиды -- оксид иттрия -- оксид алюминия -- иттрий-алюминиевый гранат -- стехиометрия -- метод лазерного испарения -- мощные лазеры -- длительность импульса -- частота следования -- энергия импульса -- оптическая Nd3+: YAG-керамика -- кубические фазы -- длины волн -- численный анализ -- предварительный анализ -- лазерное испарение -- мишени (физика) -- 3D-модели Аннотация: Впервые получен нанопорошок из смеси оксидов иттрия и алюминия в стехиометрии иттрий-алюминиевого граната (YAG) методом лазерного испарения с помощью мощного CO[2]-лазера. Лазер с длительностью импульса >200 mus, частотой следования 500 Hz и энергией импульса ~ 1 J обеспечил высокую производительность процесса: 24 g/h. C использованием полученных нанопорошков приготовлена оптическая Nd{3+}: YAG-керамика в кубической фазе с пропусканием на длине волны 1. 06 mum 77%. Успешному выполнению данной задачи способствовало проведение предварительного численного анализа процесса лазерного испарения мишени с помощью 3D-модели. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/01/p103-110.pdf Доп.точки доступа: Лисенков, В. В.; Платонов, В. В. |
530.1 Д 797 Дубровский, В. Г. Физические следствия эквивалентности условий стационарного роста нитевидных нанокристаллов и нуклеации на тройной линии [Текст] / В. Г. Дубровский // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 2. - С. 1-11 : ил. - Библиогр.: с. 10-11 (25 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- полупроводниковые нанокристаллы -- теоретические модели -- стационарный рост нанокристаллов -- кристаллические структуры -- физические следствия -- механизм Небольсина - Щетинина -- Небольсина - Щетинина механизм -- пар-жидкость-кристалл -- боковые поверхности -- условие Гласа -- Гласа условие -- нуклеация -- поверхностные энергии -- активационные барьеры -- зародыши (физика) -- катализаторы -- кубические фазы Аннотация: Предложена новая теоретическая модель стационарного роста и кристаллической структуры полупроводниковых нитевидных нанокристаллов (ННК) и исследованы ее физические следствия. Показано, что условие стационарного роста ННК по механизму "пар-жидкость-кристалл" (ПЖК) Небольсина-Щетинина, требующее несмачивания каплей боковой поверхности ННК, эквивалентно условию Гласа нуклеации на тройной линии при моноцентрическом росте ННК. Получен энергетический критерий стационарного роста ННК в общем случае фасетированной боковой поверхности. Определены эффективные поверхностные энергии, определяющие активационный барьер нуклеации зародышей на вершине ННК. На основе предложенной модели исследован вопрос о кристаллической структуре III-V ННК (кубическая фаза типа цинковой обманки или гексагональная вюрцитная). В частности, показано, что уменьшение поверхностной энергии катализатора должно приводить к преимущественному формированию кубической фазы, что подтверждается экспериментами по ПЖК-росту GaAs-ННК с катализаторами Au и Ga. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/02/p1-11.pdf |
536.42 Б 912 Буравлев, А. Д. Молекулярно-пучковая эпитаксия (Ga,Mn)As нитевидных кристаллов на поверхности GaAs(100) [Текст] / А. Д. Буравлев, Г. О. Абдрашитов, Г. Э. Цырлин // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 17. - С. 78-83 : ил. - Библиогр.: с. 82-83 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- нитевидные кристаллы -- наноструктуры -- ННК -- рост кристаллов -- подложки -- эпитаксия -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- массивы кристаллов -- температура роста -- электроны -- быстрые электроны -- дифракция электронов -- кристаллографические фазы -- кубические фазы Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии были впервые получены массивы нитевидных кристаллов (Ga, Mn) As на подложке GaAs (100) при температуре роста 485 °C. Из данных картин дифракции быстрых электронов на отражение установлено, что ННК в этой системе формируются в кубической кристаллографической фазе. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/17/p78-83.pdf Доп.точки доступа: Абдрашитов, Г. О.; Цырлин, Г. Э. |
539.2 М 757 Молокеев, М. С. Процессы упорядочения структурных элементов, критические и некритические параметры переходов в кристалле (NH[4])[3]WO[3]F[3] [Текст] / М. С. Молокеев, авт. С. В. Мисюль // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 1. - С. 144-153. - Библиогр.: с. 153 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): переходы в кристалле -- кристаллы -- низкотемпературные триклинные фазы -- кубические фазы Аннотация: По данным рентгеновского эксперимента от порошкового образца определена структура низкотемпературной триклинной фазы и уточнена структура кубической фазы кристалла (NH[4]) [3]WO[3]F[3]. Уточнение профильных и структурных параметров проводилось по методике, реализованной в программе DDM. Обсуждение полученных результатов ведется с привлечением теоретико-группового анализа полного конденсата параметров порядка, учитывающего критические и некритические упорядочения атомов и позволяющего интерпретировать полученные экспериментальные данные. Доп.точки доступа: Мисюль, С. В. |
539.21:535 С 873 Структурные и оптические свойства тонких пленок In[2]O[3], полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 546-550 : ил. - Библиогр.: с. 550 (32 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- оптические свойства -- тонкие пленки -- кубические фазы -- автоволновое окисление -- электронно-микроскопические исследования -- фотоэлектронная спектроскопия -- электрические свойства -- длина волны -- удельное сопротивление Аннотация: Пленки кубической фазы In[2]O[3] получены автоволновой реакцией окисления. Электронно-микроскопические исследования и фотоэлектронная спектроскопия профилей распределения показали, что образцы однородны по всей площади и толщине, характерный размер зерна 20-40 нм. Проведены исследования оптических и электрических свойств пленок In[2]O[3], полученных при различном давлении в вакуумной камере. В диапазоне длины волн 400-1100 нм пленки имели прозрачность более 85% и удельное сопротивление 1. 8 x 10{-2} Ом x см. Cubic phase In[2]O[3] films have been obtained by autowave oxidation. Electron microscopy studies and profiles of photoelectron spectroscopy have shown that the samples were uniform within the area and thickness, with a typical grain size 20- 40 nm. The data on optical and electrical properties of In[2]O[3] films have been obtained at different pressures in the vacuum chamber. In wavelength range 400-1100 nm transparency of the films was > 85% and the resistivity was 1. 8 x 10{-2}Om x cm. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p546-550.pdf Доп.точки доступа: Тамбасов, И. А.; Мягков, В. Г.; Иваненко, А. А.; Немцев, И. В.; Быкова, Л. Е.; Бондаренко, Г. Н.; Михлин, Ю. Л.; Максимов, И. А.; Иванов, В. В.; Балашов, С. В.; Карпенко, Д. С. |
621.315.592 Р 345 Резонансный уровень хрома в ромбоэдрической и кубической фазах сплавов Pb[1-x-y]Ge[x]Cr[y]Te / Е. П. Скипетров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 721-727 : ил. - Библиогр.: с. 726-727 (31 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): температурные зависимости -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- твердые растворы -- свободные электроны -- резонансные уровни -- хром -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- закон дисперсии Кейна -- Кейна закон дисперсии -- фазовые переходы -- структурные переходы -- ромбоэдрические фазы -- кубические фазы -- запрещенные зоны -- состав сплавов -- электронные структуры -- теллурид свинца -- Pb Аннотация: Исследованы температурные зависимости коэффициента Холла (4. 2 меньше или равно T меньше или равно 300 K, B меньше или равно 0. 07 Тл) в твердых растворах Pb[1-x-y]Ge[x]Cr[y]Te (x=0. 03-0. 08, y меньше или равно 0. 01). Обнаружено увеличение абсолютной величины коэффициента Холла с ростом температуры, указывающее на уменьшение концентрации свободных электронов в результате движения резонансного уровня хрома, стабилизирующего уровень Ферми, относительно дна зоны проводимости. В рамках двухзонного закона дисперсии Кейна с учетом структурного фазового перехода при увеличении температуры рассчитаны температурные зависимости коэффициента Холла, удовлетворительно согласующиеся с экспериментальными. Определены энергетическое положение и температурные коэффициенты движения резонансного уровня хрома относительно середины запрещенной зоны в ромбоэдрической и кубической фазах. Temperature dependences of the Hall coefficient (4. 2 less-than or equal to T less-than or equal to 300K, B less-than or equal to 0. 07 T) in Pb[1-x-y]Ge[x]Cr[y]Te (x = 0. 03-0. 08, y less-than or equal to 0. 01) solid solutions are studied. An increase of the absolute value of the Hall coefficient upon increasing of temperature, indicating the decrease of the free electron concentration due to the movement of the chromium resonant level, stabilizing the Fermi level, relative to the conduction band bottom, is found. In the frame of the two-band Kane dispersion law, taking into account the structural phase transition upon increasing of temperature, the temperature dependences of the Hall coefficient, satisfactorily coinciding with experimental ones, are calculated. The energy position and temperature coefficients of the chromium resonant level movement relative to the middle of the gap in rhombohedra and cubic phases are determined. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p721-727.pdf Доп.точки доступа: Скипетров, Е. П.; Пичугин, Н. А.; Слынько, Е. И.; Слынько, В. Е. |