Определение нормальной и латеральной компонент темнового тока n-p-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур p-Cd[x]Hg[l-x]Te с x=0. 22 [Текст] / Д. Ю. Протасов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 12. - С. 32-37 : ил. - Библиогр.: с. 37 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): фотодиоды -- n-p-фотодиоды -- компоненты темнового тока -- темновой ток -- нормальные компоненты темнового тока -- латеральные компоненты темнового тока -- фотоприемники -- матричные фотоприемники -- многоэлементные матричные фотоприемники -- фотоприемники длинноволнового инфракрасного диапазона -- ионы бора -- имплантация -- гетероэпитаксиальные структуры -- гетероэпитаксиальные слои -- ионная имплантация -- p-Cd[x]Hg[l-x]Te -- кадмий -- ртуть -- теллур -- магнитные поля Аннотация: Проведено исследование зависимости темнового тока фотодиодов многоэлементных матричных фотоприемников длинноволнового инфракрасного диапазона, изготовленных методом имплантации ионов бора в гетероэпитаксиальные слои кадмий-ртуть-теллура, от индукции магнитного поля. Предложен метод раздельного определения латеральной и нормальной компонент темнового тока в таких фотодиодах. Установлено, что для исследуемых фотодиодов, размеры которых сравнимы с длиной диффузии неосновных носителей заряда, темновой ток при 77 K в основном определяется латеральной компонентой. Доп.точки доступа: Протасов, Д. Ю.; Костюченко, В. Я.; Павлов, А. В.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н. |
Комаров, С. М. Плетение из ионов бора [Текст] / С. М. Комаров // Химия и жизнь - XXI век. - 2009. - N 4. - С. 8-9 . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Химическая технология Общие вопросы химической технологии Кл.слова (ненормированные): борид бора -- бор -- ионы бора -- термоэлектрики -- полупроводники Аннотация: У специалистов по бору есть идея изготавливать на основе соединений этого элемента так называемые термоэлектрики - вещества, способные напрямую преобразовывать тепло в электричестве. |
544 А 640 Ананьина, О. Ю. Квантово-химическое моделирование адсобции ионов бора B{+} на поверхности SiO[2]/Si (100) [Текст] / О. Ю. Ананьина, авт. А. С. Яновский // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 5. - С. 628-631 : Рис. - Библиогр.: c. 631 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Химия Химическая связь и строение молекул Кл.слова (ненормированные): квантово-химическое моделирование -- адсорбция -- ионы бора -- поверхности SiO[2]/Si (100) -- геометрические характеристики -- электронные характеристики -- моделирование Аннотация: Представлены результаты квантово-химических расчетов адсорбции и миграции ионов бора B{+} на поверхности SiO[2]/Si (100). Доп.точки доступа: Яновский, А. С. |
544.723:(546.27:546.28-32) Т 484 Ткаченко, А. В. Квантово-химическое изучение свойств поверхности SiO[2]/Si (100) с имплантированными ионами бора [Текст] / А. В. Ткаченко, О. Ю. Ананьина, А. С. Яновский // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 2. - С. 176-179. - Библиогр.: c. 179 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Химия Физическая химия поверхностных явлений Кл.слова (ненормированные): SiO[2]/Si (100) -- адсорбция -- геометрические характеристики -- ионная имплантация -- ионы бора -- квантово-химические расчеты -- модифицированное пренебрежение дифференциальным перекрытием -- поверхности -- равновесные состояния -- физико-химические свойства -- электронные характеристики Аннотация: Представлены результаты квантово-химических расчетов свойств поверхности SiO2/Si (100) с имплантированными ионами бора В+. Рассчитаны зависимости полной энергии системы "кластер - ион бора В+" в зависимости от нахождения иона В+ в кислородных и кремниевых вакансиях, геометрические и электронные характеристики равновесных состояний кластера с имплантированным ионом бора. Доп.точки доступа: Ананьина, О. Ю.; Яновский, А. С. |
541.6 С 387 Синтез поли-[N-(2,3-дигидроксипропил)аминостирола] - нового сорбента ионов бора (III) / Д. В. Нестеров [и др.] // Журнал прикладной химии. - 2013. - Т. 86, вып. 5. - С. 830-834. - Библиогр.: с. 834 (33 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): глицидол -- ионы бора -- полистирол -- сорбенты -- степень функционализации Аннотация: Разработан метод получения сорбента путем последовательных процессов нитрования, восстановления и обработки глицидолом полистирола, что позволяет получать полимер с максимальной степенью функционализации. Доп.точки доступа: Нестеров, Д. В.; Молочников, Л. С.; Кодесс, М. И.; Маточкина, Е. Г.; Корякова, О. В.; Ятлук, Ю. Г.; Пестов, А. В. |