Микушкин, В. М. Химическое действие пучка инертного аргона на нитридный нанослой, сформированный ионной имплантацией поверхности GaAs [Текст] / В. М. Микушкин // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 24. - С. 40-47 : ил. - Библиогр.: с. 47 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Газы и жидкости Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аргон -- инертный аргон -- пучки аргона -- химические действия -- нанослои -- нитридные нанослои -- ионы -- имплантация ионов -- спектроскопия -- оже-спектроскопия -- электронная спектроскопия -- электронная оже-спектроскопия -- метод электронной оже-спектроскопии -- азот -- химические состояния -- энергии -- химические фазы -- твердые растворы -- оже-переходы -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- нитридные слои -- каскадное перемешивание -- полупроводники -- широкозонные полупроводники -- узкозонные полупроводники Аннотация: Методом электронной оже-спектроскопии исследованы состав и химическое состояние азота нитридного нанослоя, полученного на поверхности GaAs (100) имплантацией ионов N{+}[2] с энергией E[i]=2. 5 keV. Установлено, что помимо GaN в нитридном слое формируется химическая фаза твердого раствора GaAsN. Определены энергии оже-переходов NKVV в этих фазах, равные E[A] (GaN) =379. 8± 0. 2 eV и E[A] (GaAsN) =382. 8± 0. 2 eV относительно уровня Ферми, что позволило установить распределение азота в фазах: [N (GaN) ]=70% и [N (GaAsN) ]=30%. Обнаружено химическое действие пучка ионов аргона на нитридный слой, связанное с каскадным перемешиванием материала. Пучок аргона изменяет распределение азота в указанных фазах на противоположное. В результате формируется нанослой с доминированием фазы не широкозонного GaN, а узкозонного GaAsN полупроводника. |