Корчагина, Т. Т. Формирование и кристаллизация нанокластеров кремния в пленках SiN[x]: H с применением фемтосекундных импульсных отжигов [Текст] / Т. Т. Корчагина, В. А. Володин, B. N. Chichkov // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1660-1665 : ил. - Библиогр.: с. 1665 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): формирование нанокластеров -- нанокластеры -- кристаллизация нанокластеров -- кремний в пленках -- пленки -- фемтосекундные импульсы -- импульсные отжиги -- подложки из стекла -- стекло -- плазмо-химические методы -- лазерные отжиги -- титан-сапфировые лазеры -- структурные изменения -- спектроскопия света -- рассеяние света -- комбинационное рассеяние -- молярные доли -- аморфный кремний -- импульсная кристаллизация -- импульсная обработка Аннотация: Пленки SiN[x]: H разного состава, осажденные на подложки из стекла и кремния с применением плазмо-химического метода при температуре 380{o}C, были подвергнуты импульсным лазерным отжигам. Обработки проводились с применением излучения титан-сапфирового лазера с длиной волны 800 нм и длительностью импульса 30 фс. Структурные изменения в пленках были исследованы с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света. В исходных пленках с молярной долей избыточного кремния ~1/5 и выше обнаружены нанокластеры аморфного кремния. Были найдены режимы, необходимые для импульсной кристаллизации нанокластеров. По данным спектроскопии комбинационного рассеяния, в исходных пленках с небольшим количеством избыточного кремния (x > 1. 25) кластеров кремния обнаружено не было. Импульсные обработки привели к формированию в данных пленках нанокластеров кремния с размерами 1-2 нм. Доп.точки доступа: Володин, В. А.; Chichkov, B. N. |
621.375 Ф 796 Формирование нанокристаллов кремния в пленке SiN[x] на лавсане с применением фемтосекундных импульсных обработок [Текст] / Т. Т. Корчагина [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 13. - С. 62-69 : ил. - Библиогр.: с. 68-69 (20 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): кремний -- нанокристаллы -- нанокластеры -- формирование нанокристаллов -- лавсан -- импульсы -- лазерные импульсы -- фемтосекундные импульсы -- фемтосекундные лазерные импульсы -- импульсная обработка -- фемтосекундная обработка -- фемтосекундная импульсная обработка -- импульсный отжиг -- подложки (физика) -- плазмо-химическое осаждение -- импульсная кристаллизация -- лазеры -- титан-сапфировые лазеры -- длины волн -- свет -- рассеяние света -- комбинационное рассеяние -- полупроводниковые нанокристаллы -- диэлектрические пленки Аннотация: Исследовано формирование нанокластеров Si в пленке SiN[x] с избыточным содержанием кремния под воздействием фемтосекундных лазерных импульсов. Пленка была выращена при температуре 100° C с применением плазмо-химического осаждения на подложке из лавсана. Для импульсной кристаллизации использовался титан-сапфировый лазер с длиной волны излучения 800 nm и длительностью импульса 50 fs. По данным комбинационного рассеяния света получено, что импульсные отжиги стимулировали собирание избыточного кремния в нанокластеры и их кристаллизацию. Развитый подход может быть использован для формирования полупроводниковых нанокристаллов в диэлектрических пленках на подложках из пластика. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/13/p62-69.pdf Доп.точки доступа: Корчагина, Т. Т.; Володин, В. А.; Попов, А. А.; Хорьков, К. С.; Герке, М. Н. |