Технология получения одномерных фотонных кристаллов с помощью фотоэлектрохимического травления кремния [Текст] / Ю. А. Жарова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 986-994 : ил. - Библиогр.: с. 993 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
одномерные фотонные кристаллы -- 1D ФК -- фотоэлектрохимическое травление -- ФЭХТ -- кремний -- плотность тока травления -- легирование подложки -- подложки -- атомно-силовая микроскопия -- щелочные растворы -- макропоры -- шероховатость поверхностей -- затравочные канавки -- анизотропное травление -- АТ
Аннотация: Анализируются условия формирования глубоких периодических щелей в процессе фотоэлектрохимического травления n-Si ориентации (100) с линейными затравками на поверхности. Сформулированы критерии для выбора периода затравочных канавок и для плотности тока травления в зависимости от уровня легирования подложки. Характерной особенностью полученных структур является гофрировка их стенок, обусловленная следами слившихся макропор. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована неровность стенок в зависимости от режима травления и найдена плотность тока, при которой можно получить наиболее гладкие стенки. Их шероховатость в структурах с периодом 7 и 9 мкм на Si с удельным сопротивлением 15 Ом x см составила ~40 нм. Показано, что дополнительная обработка структур в щелочных растворах может уменьшить шероховатость стенок примерно в 2 раза.


Доп.точки доступа:
Жарова, Ю. А.; Федулова, Г. В.; Гущина, Е. В.; Анкудинов, А. В.; Астрова, Е. В.; Ермаков, В. А.; Перова, Т. С.


546.28:544.6:544.52
О-432


   
    Одномерные фотонные кристаллы, полученные с помощью фотоэлектрохимического травления кремния [Текст] / Е. В. Астрова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 74-77. - Библиогр.: c. 77 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 24.1
Рубрики: Химия
   Общая и неорганическая химия в целом

Кл.слова (ненормированные):
затравочные канавки -- кремний -- кристаллы -- оптические характеристики -- периодические структуры -- спектры отражения -- фотонные кристаллы -- фотоэлектрохимическое травление -- шероховатость -- щелевые структуры
Аннотация: Исследован процесс формирования периодических щелевых структур в кремнии n-типа (100) с затравками в виде V-образных канавок на поверхности и влияние шероховатости стенок на оптические характеристики полученных на их основе кристаллов.


Доп.точки доступа:
Астрова, Е. В.; Толмачев, В. А.; Федулова, Г. В.; Melnikov, V. A.; Perova, T. S.