621.3 П 465 Пожела, Ю. Рассеяние электронов на захваченных поверхностных полярных оптических фононах в двухбарьерной гетероструктуре [Текст] / Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 9. - С. 1093-1098 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- двухбарьерные гетероструктуры -- рассеяние электронов -- электроны -- фононы -- полярные оптические фононы -- поверхностные фононы Аннотация: Показано, что в двухбарьерной гетероструктуре наряду с захватом объемных полярных оптических фононов имеет место захват поверхностных (интерфейсных) фононов. Сила взаимодействия электронов с захваченными интерфейсными фононами снижается с уменьшением толщины фононной ямы --- полупроводникового слоя, в котором захвачены фононы. Предложен новый подход для снижения рассеяния электронов полярными оптическими фононами в двухбарьерной квантовой яме, основанный на раздельном захвате фононов в узкие фононные ямы. Вычисленная скорость рассеяния с учетом захвата интерфейсных фононов в квантовых ямах GaAs/InAs/GaAs и AlAs/GaAs/AlAs оказывается много ниже, чем полученная в приближении рассеяния захваченных электронов на объемных фононах. Получено многократное снижение скорости электрон-фононного рассеяния в квантовой яме AlAs/GaAs/AlAs путем разделения ее мономолекулярным слоем InAs, прозрачным для электронов, но являющимся отражающим барьером для полярных оптических фононов. Доп.точки доступа: Пожела, К.; Юцене, В. |
Абсолютное отрицательное сопротивление и многозначности на вольт-амперных характеристиках туннельных диодов [Текст] / К. М. Алиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 517-521
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): туннельные диоды -- высокочастотные сигналы -- нелинейные системы -- двухбарьерные гетероструктуры -- лазерные поля Аннотация: Экспериментально исследовано влияние внешних возмущений большой амплитуды в виде когерентного или шумового сигнала на поведение динамических и статических вольт-амперных характеристик туннельных диодов. Показано, что при подборе соответствующей частоты с ростом амплитуды внешнего когерентного сигнала на вольт-амперных характеристиках туннельных диодов появляются многозначности и абсолютное отрицательное сопротивление. Шумовое воздействие приводит к подавлению отрицательного дифференциального сопротивления N-типа на вольт-амперных характеристиках туннельных диодов и сильной деформации самих характеристик. Предложен возможный механизм появления абсолютного отрицательного сопротивления. Доп.точки доступа: Алиев, К. М.; Камилов, И. К.; Ибрагимов, Х. О.; Абакарова, Н. С. |