Хачатурова, Т. А. Эффект спиновой фильтрации в двойных туннельных переходах: двухзонная модель электронной структуры магнитных диэлектриков [Текст] / Т. А. Хачатурова, М. А. Белоголовский, А. И. Хачатуров // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 8. - С. 442-445
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): спиновая фильтрация -- спиновые фильтры -- туннельные переходы -- двойные туннельные переходы -- двухзонные модели -- магнитные диэлектрики -- края валентной зоны -- валентные зоны -- изоляторы -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Обсуждается влияние верхнего края валентной зоны изолятора на эффект спиновой фильтрации в туннельных структурах с наноразмерными слоями магнитного диэлектрика. Показано, что в том случае, когда уровень Ферми находится посередине запрещенной зоны диэлектрика, данный эффект полностью исчезает при нулевом напряжении смещения и существенно подавляется при конечных напряжениях. Указанное обстоятельство и является основной причиной наблюдавшегося недавно гигантского расхождения между теоретическими значениями магнетосопротивления двойных туннельных спиновых фильтров и соответствующими экспериментальными данными. Доп.точки доступа: Белоголовский, М. А.; Хачатуров, А. И. |