530.1 Т 338 Теоретическое исследование влияния вакансий на электронную структуру монослоя гексагонального нитрида бора [Текст] / М. В. Сержантова [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 139, вып. 4. - С. 764-768. - Библиогр.: с. 768 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): вакансии -- бивакансии -- электронная структура монослоя -- монослои -- гексагональный нитрид бора -- нитрид бора -- бор -- азот Аннотация: Исследовано влияние вакансий бора, азота и бивакансий на электронную структуру монослоя гексагонального нитрида бора. Доп.точки доступа: Сержантова, М. В.; Кузубов, А. А.; Федоров, А. С.; Краснов, П. О.; Томилин, Ф. Н. |
538.9 Т 338 Теоретическое исследование вакансий и адатомов в белом графене [Текст] / А. А. Кузубов [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 93, вып. 6. - С. 368-371
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гексагональный нитрид бора -- нитрид бора -- белый графен -- вакансии (физика) -- адатомы Аннотация: Проведено исследование стабильности вакансий атомов бора, азота и бивакансий в монослое h-BN при деформации на 2% и 4% вдоль одной из осей. Установлено, что наиболее стабильными являются вакансии атомов азота, при этом их концентрация незначительна и не оказывает влияния на свойства "белого графена". На число вакансий оказывает влияние подвижность адатомов азота и бора на поверхности слоя, поэтому проведена оценка вероятности рекомбинации с вакансиями. Доп.точки доступа: Кузубов, А. А.; Сержантова, М. В.; Федоров, А. С.; Томилин, Ф. Н.; Кожевникова, Т. А. |
621.315.592 Д 138 Давыдов, С. Ю. Упругие и диэлектрические характеристики графеноподобных соединений A[N]-B[8-N] / С. Ю. Давыдов // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1065-1070 : ил. - Библиогр.: с. 1069 (34 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод связывающих орбиталей -- МСО -- связывающие орбитали Харрисона -- Харрисона связывающие орбитали -- графены -- силицен -- гексагональный нитрид бора -- графеноподобные структуры -- бинарные соединения -- силовые константы -- линейная диэлектрическая восприимчивость -- диэлектрическая восприимчивость -- восприимчивость -- электронные подсистемы -- ионные подсистемы -- упругие характеристики -- диэлектрические характеристики -- расчетные схемы -- проницаемость -- диэлектрическая проницаемость Аннотация: Методом связывающих орбиталей Харрисона рассмотрены графен, силицен, гексагональный нитрид бора и еще 14 гипотетических графеноподобных структур бинарных соединений IV-IV, III-V, II-VI. Получены аналитические выражения для силовых констант центрального (k[0]) и нецентрального (k[1]) взаимодействий, линейных диэлектрических восприимчивостей электронной (chi{el}[1]) и ионной (chi{ion}[1]) подсистем. Расчеты показали, что в рамках использованной расчетной схемы двумерная гексагональная структура для ZnS и ZnSe не реализуется (k[1]<0). Сопоставление (там, где это возможно) вычисленных значений силовых констант и диэлектрических проницаемостей (высокочастотной, epsilon[бесконечность], и статической, epsilon[0]) с их значениями для соответствующих трехмерных соединений показывает, что полученные нами результаты вполне разумны. Harrison’s bond orbital method is applied to the consideration of graphene, silicone, hexagonal NB and 14 hypothetical graphene-like IV-IV, III-V and II-VI compounds. Simple analytical formulas for the central (k0) and noncentral (k[1]) force constants, linear dielectric susceptibilities for the electronic (chi{el}[1]) and ionic (chi{ion}[1]) subsystems are obtained. Calculations show, that within the scope of the applied theory the 2D hexagonal structure for ZnS and ZnSe is unstable (k[1] < 0). Comparison of the calculated values of the high-frequency (epsilon[0]) and static (epsilon[infinity]dielectric constants with the available experimental data for the corresponding 3D compounds demonstrates quite reasonable agreement. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1065-1070.pdf Доп.точки доступа: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |