621.396 А 194 Аверин, С. В. Быстродействующие фотодетекторы: сравнительный анализ планарной структуры и структуры с углубленными контактами [Текст] / С. В. Аверин, Р. Сашо // Радиотехника и электроника. - 2003. - Т.48,N10. - Библиогр.:с.1269 (24 назв.) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники--Электроника Кл.слова (ненормированные): фотодетекторы -- быстродействующие фотодетекторы -- металл-полупроводник-металл -- МПМ -- МПМ-диоды -- встречно-штыревые контакты Аннотация: В рамках двумерной модели исследованы процессы дрейфа фотогенерированных носителей заряда в активном объеме быстродействующих фотодиодов в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ) обычной планарной структуры и структуры с углубленными встречно штыревыми контактами. Дано сравнение двух типов фотодиодных структур с точки зрения характеристик сигнала импульсного отклика детектора и квантовой эффективности. Показано, что структура с углубленными контактами обеспечивает однородное распределение электрического поля в активной области диода. Время сбора дырок в такой структуре существенно снижается, приводя к большой ширине полосы пропускания детектора. В таких структурах фотогенерированные носители могут быть эффективно собраны, что ведет к лучшей квантовой эффективности. Показано также, что МПМ-диоды с углубленными контактами позволяют уменьшить сопротивление узких и тонких встречно-штыревых контактов планарного МПМ-диода. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Сашо, Р. |