Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия [Текст] / В. П. Хвостиков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 270-277 : ил. - Библиогр.: с. 277 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термофотоэлектрические генераторы -- ТФЭ генераторы -- эмиттеры -- инфракрасные эмиттеры -- солнечное излучение -- карбид кремния -- вольфрам -- тантал -- термофотоэлектрические элементы -- ТФЭ элементы -- элементы ТФЭ -- антимонид галлия -- тепловые излучения -- вольфрамовые эмиттеры -- ТФЭ генераторы цилиндрического типа -- ТФЭ генераторы конического типа -- фотоэлементы -- электрическая мощность Аннотация: Разработаны, созданы и протестированы конструкции термофотоэлектрических (ТФЭ) генераторов с инфракрасными эмиттерами, разогреваемыми концентрированным солнечным излучением. Исследованы излучатели из карбида кремния, вольфрама или тантала различной формы и геометрических размеров. Для термофотоэлектрических элементов на основе антимонида галлия эффективность преобразования теплового излучения вольфрамовых эмиттеров составила 19%. Рассмотрены особенности работы двух вариантов ТФЭ генераторов-цилиндричесого и конического типов. В демонстрационной модели ТФЭ генератора из 12 фотоэлементов при преобразовании концентрированного солнечного излучения значение выходной электрической мощности составило P=3. 8 Вт. Доп.точки доступа: Хвостиков, В. П.; Сорокина, С. В.; Потапович, Н. С.; Хвостикова, О. А.; Малевская, А. В.; Власов, А. С.; Шварц, М. З.; Тимошина, Н. Х.; Андреев, В. М. |
539.21:537 Г 621 Голубев, О. Л. Регулирование количества локальных эмитирующих нановыступов на поверхности полевого эмиттера [Текст] / О. Л. Голубев, авт. В. А. Ивченко // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 20. - С. 63-68 : ил. - Библиогр.: с. 68 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): нановыступы -- наноразмерные выступы -- эмитирующие нановыступы -- локальные нановыступы -- эмиттеры -- полевые эмиттеры -- вольфрамовые эмиттеры -- эмитирующие поверхности -- термополевое воздействие -- электрические поля -- температура -- количество выступов -- напряженность поля Аннотация: Описывается процедура направленного изменения количества эмитирующих наноразмерных выступов на поверхности полевого вольфрамового эмиттера. Суть процедуры состоит в том, что сначала посредством термополевого воздействия на эмиттер на его поверхности выращивается некое достаточно большое количество выступов, что не представляет, как правило, больших сложностей. Затем посредством процедуры контролируемого снижения величины напряженности приложенного электрического поля при определенной постоянной температуре эмиттера можно уменьшать количество выступов вплоть до единичного выступа на поверхности. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/20/p63-68.pdf Доп.точки доступа: Ивченко, В. А. |